All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 1
GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 2
GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 3
GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 4
GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 5
GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 6

GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18

฿6.67-66.66
MOQ: 1
GRM31CR60J106MA01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM31CR60J106MA01 - Product Image 1
GRM31CR60J106MA01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM31CR60J106MA01 - Product Image 2
GRM31CR60J106MA01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM31CR60J106MA01 - Product Image 3
GRM31CR60J106MA01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM31CR60J106MA01 - Product Image 4
GRM31CR60J106MA01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM31CR60J106MA01 - Product Image 5
GRM31CR60J106MA01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM31CR60J106MA01 - Product Image 6

GRM31CR60J106MA01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM31CR60J106MA01

฿16.67-66.66
MOQ: 1
บริการครบวงจรแบบออนไลน์ ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MCP1640T-I/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 1
บริการครบวงจรแบบออนไลน์ ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MCP1640T-I/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 2
บริการครบวงจรแบบออนไลน์ ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MCP1640T-I/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 3
บริการครบวงจรแบบออนไลน์ ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MCP1640T-I/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 4
บริการครบวงจรแบบออนไลน์ ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MCP1640T-I/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 5
บริการครบวงจรแบบออนไลน์ ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MCP1640T-I/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 6

บริการครบวงจรแบบออนไลน์ ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MCP1640T-I/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC)

฿10.00-13.00
MOQ: 1
MCP1502T-40E/CHY VREF SERIES 4.096V SOT23-6 ชิป IC ของแท้ใหม่เอี่ยมในสต็อก - Product Image 1
MCP1502T-40E/CHY VREF SERIES 4.096V SOT23-6 ชิป IC ของแท้ใหม่เอี่ยมในสต็อก - Product Image 2
MCP1502T-40E/CHY VREF SERIES 4.096V SOT23-6 ชิป IC ของแท้ใหม่เอี่ยมในสต็อก - Product Image 3
MCP1502T-40E/CHY VREF SERIES 4.096V SOT23-6 ชิป IC ของแท้ใหม่เอี่ยมในสต็อก - Product Image 4
MCP1502T-40E/CHY VREF SERIES 4.096V SOT23-6 ชิป IC ของแท้ใหม่เอี่ยมในสต็อก - Product Image 5
MCP1502T-40E/CHY VREF SERIES 4.096V SOT23-6 ชิป IC ของแท้ใหม่เอี่ยมในสต็อก - Product Image 6

MCP1502T-40E/CHY VREF SERIES 4.096V SOT23-6 ชิป IC ของแท้ใหม่เอี่ยมในสต็อก

฿3.34-26.67
MOQ: 100
GGM32ER71C226KE19(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 16Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71C226KE19 - Product Image 1
GGM32ER71C226KE19(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 16Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71C226KE19 - Product Image 2
GGM32ER71C226KE19(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 16Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71C226KE19 - Product Image 3
GGM32ER71C226KE19(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 16Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71C226KE19 - Product Image 4
GGM32ER71C226KE19(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 16Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71C226KE19 - Product Image 5
GGM32ER71C226KE19(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 16Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71C226KE19 - Product Image 6

GGM32ER71C226KE19(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 16Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71C226KE19

฿16.67-66.66
MOQ: 1
GRM319B10J106ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM319B10J106ME01 - Product Image 1
GRM319B10J106ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM319B10J106ME01 - Product Image 2
GRM319B10J106ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM319B10J106ME01 - Product Image 3
GRM319B10J106ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM319B10J106ME01 - Product Image 4
GRM319B10J106ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM319B10J106ME01 - Product Image 5
GRM319B10J106ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM319B10J106ME01 - Product Image 6

GRM319B10J106ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM319B10J106ME01

฿16.67-66.66
MOQ: 1
GRT188C80G106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 4Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80G106ME13 - Product Image 1
GRT188C80G106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 4Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80G106ME13 - Product Image 2
GRT188C80G106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 4Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80G106ME13 - Product Image 3
GRT188C80G106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 4Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80G106ME13 - Product Image 4
GRT188C80G106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 4Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80G106ME13 - Product Image 5
GRT188C80G106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 4Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80G106ME13 - Product Image 6

GRT188C80G106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 4Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80G106ME13

฿16.67-66.66
MOQ: 1
GRM21BC80J106KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 GRM21BC80J106KE19 10uF - Product Image 1
GRM21BC80J106KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 GRM21BC80J106KE19 10uF - Product Image 2
GRM21BC80J106KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 GRM21BC80J106KE19 10uF - Product Image 3
GRM21BC80J106KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 GRM21BC80J106KE19 10uF - Product Image 4
GRM21BC80J106KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 GRM21BC80J106KE19 10uF - Product Image 5
GRM21BC80J106KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 GRM21BC80J106KE19 10uF - Product Image 6

GRM21BC80J106KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 GRM21BC80J106KE19 10uF

฿16.67-66.66
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy