All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

CL21A106KPCLQW (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น 0805 2012 10uF 10Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KPCLQW - Product Image 1
CL21A106KPCLQW (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น 0805 2012 10uF 10Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KPCLQW - Product Image 2
CL21A106KPCLQW (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น 0805 2012 10uF 10Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KPCLQW - Product Image 3
CL21A106KPCLQW (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น 0805 2012 10uF 10Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KPCLQW - Product Image 4
CL21A106KPCLQW (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น 0805 2012 10uF 10Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KPCLQW - Product Image 5
CL21A106KPCLQW (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น 0805 2012 10uF 10Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KPCLQW - Product Image 6

CL21A106KPCLQW (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น 0805 2012 10uF 10Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KPCLQW

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโลหะ C42564 * 310E20 +++++ X2 P8แรงดันไฟฟ้าสูง0.56uF 310V AC - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโลหะ C42564 * 310E20 +++++ X2 P8แรงดันไฟฟ้าสูง0.56uF 310V AC - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโลหะ C42564 * 310E20 +++++ X2 P8แรงดันไฟฟ้าสูง0.56uF 310V AC - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโลหะ C42564 * 310E20 +++++ X2 P8แรงดันไฟฟ้าสูง0.56uF 310V AC - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโลหะ C42564 * 310E20 +++++ X2 P8แรงดันไฟฟ้าสูง0.56uF 310V AC - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโลหะ C42564 * 310E20 +++++ X2 P8แรงดันไฟฟ้าสูง0.56uF 310V AC - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโลหะ C42564 * 310E20 +++++ X2 P8แรงดันไฟฟ้าสูง0.56uF 310V AC

฿7.34
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 X7R 25V 10% AEC-Q200 -55C + TMK107AB7105KAHT MCAST168AB7105KTNA01 125C - Product Image 1
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 X7R 25V 10% AEC-Q200 -55C + TMK107AB7105KAHT MCAST168AB7105KTNA01 125C - Product Image 2
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 X7R 25V 10% AEC-Q200 -55C + TMK107AB7105KAHT MCAST168AB7105KTNA01 125C - Product Image 3
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 X7R 25V 10% AEC-Q200 -55C + TMK107AB7105KAHT MCAST168AB7105KTNA01 125C - Product Image 4
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 X7R 25V 10% AEC-Q200 -55C + TMK107AB7105KAHT MCAST168AB7105KTNA01 125C - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 X7R 25V 10% AEC-Q200 -55C + TMK107AB7105KAHT MCAST168AB7105KTNA01 125C

฿1,058.35
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ม้วน
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม P6ปลอดภัยตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C42683ป้องกันแรงดัน STC สำหรับ310D10 +++++++ 0.068uF 310V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม P6ปลอดภัยตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C42683ป้องกันแรงดัน STC สำหรับ310D10 +++++++ 0.068uF 310V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม P6ปลอดภัยตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C42683ป้องกันแรงดัน STC สำหรับ310D10 +++++++ 0.068uF 310V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม P6ปลอดภัยตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C42683ป้องกันแรงดัน STC สำหรับ310D10 +++++++ 0.068uF 310V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม P6ปลอดภัยตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C42683ป้องกันแรงดัน STC สำหรับ310D10 +++++++ 0.068uF 310V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม P6ปลอดภัยตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C42683ป้องกันแรงดัน STC สำหรับ310D10 +++++++ 0.068uF 310V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม P6ปลอดภัยตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C42683ป้องกันแรงดัน STC สำหรับ310D10 +++++++ 0.068uF 310V

฿5.34
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495D477M006ATE100 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495D477M006ATE100 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495D477M006ATE100 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495D477M006ATE100 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495D477M006ATE100 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495D477M006ATE100 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495D477M006ATE100 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V )

฿23.01-86.34
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
CL31B106KPK6PJ (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KPK6PJ - Product Image 1
CL31B106KPK6PJ (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KPK6PJ - Product Image 2
CL31B106KPK6PJ (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KPK6PJ - Product Image 3
CL31B106KPK6PJ (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KPK6PJ - Product Image 4
CL31B106KPK6PJ (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KPK6PJ - Product Image 5
CL31B106KPK6PJ (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KPK6PJ - Product Image 6

CL31B106KPK6PJ (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KPK6PJ

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
CL31A227MSKNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 220uF ± 2.5Vdc 20% X5R 85 ) CL31A227MSKNNW - Product Image 1
CL31A227MSKNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 220uF ± 2.5Vdc 20% X5R 85 ) CL31A227MSKNNW - Product Image 2
CL31A227MSKNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 220uF ± 2.5Vdc 20% X5R 85 ) CL31A227MSKNNW - Product Image 3
CL31A227MSKNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 220uF ± 2.5Vdc 20% X5R 85 ) CL31A227MSKNNW - Product Image 4
CL31A227MSKNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 220uF ± 2.5Vdc 20% X5R 85 ) CL31A227MSKNNW - Product Image 5
CL31A227MSKNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 220uF ± 2.5Vdc 20% X5R 85 ) CL31A227MSKNNW - Product Image 6

CL31A227MSKNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 220uF ± 2.5Vdc 20% X5R 85 ) CL31A227MSKNNW

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
CL31A226KOHNNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 16Vdc 10% X5R 85 ) CL31A226KOHNNN - Product Image 1
CL31A226KOHNNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 16Vdc 10% X5R 85 ) CL31A226KOHNNN - Product Image 2
CL31A226KOHNNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 16Vdc 10% X5R 85 ) CL31A226KOHNNN - Product Image 3
CL31A226KOHNNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 16Vdc 10% X5R 85 ) CL31A226KOHNNN - Product Image 4
CL31A226KOHNNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 16Vdc 10% X5R 85 ) CL31A226KOHNNN - Product Image 5
CL31A226KOHNNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 16Vdc 10% X5R 85 ) CL31A226KOHNNN - Product Image 6

CL31A226KOHNNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 16Vdc 10% X5R 85 ) CL31A226KOHNNN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60