All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KO00 A170 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KO00 A170 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KO00 A170 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KO00 A170 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KO00 A170 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KO00 A170 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KO00 A170

฿1.67-30.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
CL31B106KBHNFN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 50Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KBHNFN - Product Image 1
CL31B106KBHNFN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 50Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KBHNFN - Product Image 2
CL31B106KBHNFN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 50Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KBHNFN - Product Image 3
CL31B106KBHNFN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 50Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KBHNFN - Product Image 4
CL31B106KBHNFN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 50Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KBHNFN - Product Image 5
CL31B106KBHNFN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 50Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KBHNFN - Product Image 6

CL31B106KBHNFN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 50Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KBHNFN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ฟิล์มโพลีโพรพีลีน Metallized X2ตัวเก็บประจุความปลอดภัย,0.068UF 300V , P10mm - Product Image 1
ฟิล์มโพลีโพรพีลีน Metallized X2ตัวเก็บประจุความปลอดภัย,0.068UF 300V , P10mm - Product Image 2
ฟิล์มโพลีโพรพีลีน Metallized X2ตัวเก็บประจุความปลอดภัย,0.068UF 300V , P10mm - Product Image 3
ฟิล์มโพลีโพรพีลีน Metallized X2ตัวเก็บประจุความปลอดภัย,0.068UF 300V , P10mm - Product Image 4

ฟิล์มโพลีโพรพีลีน Metallized X2ตัวเก็บประจุความปลอดภัย,0.068UF 300V , P10mm

฿0.8334-1.17
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1,000 ชิ้น
SUPERTECH ELECTRONIC CO., LTD.
17 yrsTW flagTW
CL10A106MA8NRW (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0603 1608 10uF 25Vdc ± 20% X5R 85 ) CL10A106MA8NRW - Product Image 1
CL10A106MA8NRW (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0603 1608 10uF 25Vdc ± 20% X5R 85 ) CL10A106MA8NRW - Product Image 2
CL10A106MA8NRW (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0603 1608 10uF 25Vdc ± 20% X5R 85 ) CL10A106MA8NRW - Product Image 3
CL10A106MA8NRW (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0603 1608 10uF 25Vdc ± 20% X5R 85 ) CL10A106MA8NRW - Product Image 4
CL10A106MA8NRW (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0603 1608 10uF 25Vdc ± 20% X5R 85 ) CL10A106MA8NRW - Product Image 5
CL10A106MA8NRW (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0603 1608 10uF 25Vdc ± 20% X5R 85 ) CL10A106MA8NRW - Product Image 6

CL10A106MA8NRW (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0603 1608 10uF 25Vdc ± 20% X5R 85 ) CL10A106MA8NRW

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. มาตรฐาน UL94

฿5.34
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 10% 4.7F 50V B7 TEMP coef-55C + 125C - Product Image 1
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 10% 4.7F 50V B7 TEMP coef-55C + 125C - Product Image 2
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 10% 4.7F 50V B7 TEMP coef-55C + 125C - Product Image 3
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 10% 4.7F 50V B7 TEMP coef-55C + 125C - Product Image 4
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 10% 4.7F 50V B7 TEMP coef-55C + 125C - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 10% 4.7F 50V B7 TEMP coef-55C + 125C

฿1,587.35
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ม้วน
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
ตัวเก็บประจุเซรามิก Taiyo Yuden ของแท้0805/2012 25V 4.7F 10% B7 SMD -55C ถึง + 125C MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิก Taiyo Yuden ของแท้0805/2012 25V 4.7F 10% B7 SMD -55C ถึง + 125C MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิก Taiyo Yuden ของแท้0805/2012 25V 4.7F 10% B7 SMD -55C ถึง + 125C MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิก Taiyo Yuden ของแท้0805/2012 25V 4.7F 10% B7 SMD -55C ถึง + 125C MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิก Taiyo Yuden ของแท้0805/2012 25V 4.7F 10% B7 SMD -55C ถึง + 125C MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก Taiyo Yuden ของแท้0805/2012 25V 4.7F 10% B7 SMD -55C ถึง + 125C MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T

฿1,210.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ม้วน
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
CL05X226MR6I3W (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0402 1005 22UF ± 4Vdc 20% X6S 105 ) CL05X226MR6I3W - Product Image 1
CL05X226MR6I3W (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0402 1005 22UF ± 4Vdc 20% X6S 105 ) CL05X226MR6I3W - Product Image 2
CL05X226MR6I3W (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0402 1005 22UF ± 4Vdc 20% X6S 105 ) CL05X226MR6I3W - Product Image 3
CL05X226MR6I3W (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0402 1005 22UF ± 4Vdc 20% X6S 105 ) CL05X226MR6I3W - Product Image 4
CL05X226MR6I3W (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0402 1005 22UF ± 4Vdc 20% X6S 105 ) CL05X226MR6I3W - Product Image 5
CL05X226MR6I3W (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0402 1005 22UF ± 4Vdc 20% X6S 105 ) CL05X226MR6I3W - Product Image 6

CL05X226MR6I3W (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0402 1005 22UF ± 4Vdc 20% X6S 105 ) CL05X226MR6I3W

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60