All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

CL21A106KOCL3R (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KOCL3R - Product Image 1
CL21A106KOCL3R (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KOCL3R - Product Image 2
CL21A106KOCL3R (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KOCL3R - Product Image 3
CL21A106KOCL3R (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KOCL3R - Product Image 4
CL21A106KOCL3R (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KOCL3R - Product Image 5
CL21A106KOCL3R (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KOCL3R - Product Image 6

CL21A106KOCL3R (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KOCL3R

฿6.82-68.20
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(292)
Taiyo Yuden ไดอิเล็กทริกสูง1uF X7R ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603/1608 25V 10% MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T - Product Image 1
Taiyo Yuden ไดอิเล็กทริกสูง1uF X7R ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603/1608 25V 10% MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T - Product Image 2
Taiyo Yuden ไดอิเล็กทริกสูง1uF X7R ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603/1608 25V 10% MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T - Product Image 3
Taiyo Yuden ไดอิเล็กทริกสูง1uF X7R ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603/1608 25V 10% MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T - Product Image 4
Taiyo Yuden ไดอิเล็กทริกสูง1uF X7R ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603/1608 25V 10% MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T - Product Image 5

Taiyo Yuden ไดอิเล็กทริกสูง1uF X7R ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603/1608 25V 10% MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T

฿0.1262-0.341
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 4,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
CL21B106KQQNFN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21B106KQQNFN - Product Image 1
CL21B106KQQNFN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21B106KQQNFN - Product Image 2
CL21B106KQQNFN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21B106KQQNFN - Product Image 3
CL21B106KQQNFN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21B106KQQNFN - Product Image 4
CL21B106KQQNFN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21B106KQQNFN - Product Image 5
CL21B106KQQNFN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21B106KQQNFN - Product Image 6

CL21B106KQQNFN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21B106KQQNFN

฿6.82-68.20
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(292)
CL31A226KQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KQH1IN - Product Image 1
CL31A226KQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KQH1IN - Product Image 2
CL31A226KQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KQH1IN - Product Image 3
CL31A226KQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KQH1IN - Product Image 4
CL31A226KQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KQH1IN - Product Image 5
CL31A226KQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KQH1IN - Product Image 6

CL31A226KQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KQH1IN

฿6.82-68.20
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(292)
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42154*310D28+++++P6 สำหรับป้องกัน EMI ขนาด 0.15uF 310V ระยะพิทช์ 15 มม. มาตรฐาน UL94 V-0 ทนไฟ - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42154*310D28+++++P6 สำหรับป้องกัน EMI ขนาด 0.15uF 310V ระยะพิทช์ 15 มม. มาตรฐาน UL94 V-0 ทนไฟ - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42154*310D28+++++P6 สำหรับป้องกัน EMI ขนาด 0.15uF 310V ระยะพิทช์ 15 มม. มาตรฐาน UL94 V-0 ทนไฟ - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42154*310D28+++++P6 สำหรับป้องกัน EMI ขนาด 0.15uF 310V ระยะพิทช์ 15 มม. มาตรฐาน UL94 V-0 ทนไฟ - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42154*310D28+++++P6 สำหรับป้องกัน EMI ขนาด 0.15uF 310V ระยะพิทช์ 15 มม. มาตรฐาน UL94 V-0 ทนไฟ - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42154*310D28+++++P6 สำหรับป้องกัน EMI ขนาด 0.15uF 310V ระยะพิทช์ 15 มม. มาตรฐาน UL94 V-0 ทนไฟ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42154*310D28+++++P6 สำหรับป้องกัน EMI ขนาด 0.15uF 310V ระยะพิทช์ 15 มม. มาตรฐาน UL94 V-0 ทนไฟ

฿5.80
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
CL21Y106KABVPN (ตัวเก็บประจุแบบชิป MLCC ขนาด 0805 2012 10uF 25Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KABVPN - Product Image 1
CL21Y106KABVPN (ตัวเก็บประจุแบบชิป MLCC ขนาด 0805 2012 10uF 25Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KABVPN - Product Image 2
CL21Y106KABVPN (ตัวเก็บประจุแบบชิป MLCC ขนาด 0805 2012 10uF 25Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KABVPN - Product Image 3
CL21Y106KABVPN (ตัวเก็บประจุแบบชิป MLCC ขนาด 0805 2012 10uF 25Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KABVPN - Product Image 4
CL21Y106KABVPN (ตัวเก็บประจุแบบชิป MLCC ขนาด 0805 2012 10uF 25Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KABVPN - Product Image 5
CL21Y106KABVPN (ตัวเก็บประจุแบบชิป MLCC ขนาด 0805 2012 10uF 25Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KABVPN - Product Image 6

CL21Y106KABVPN (ตัวเก็บประจุแบบชิป MLCC ขนาด 0805 2012 10uF 25Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KABVPN

฿6.82-68.20
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(292)
CL10X106MO8NRN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MO8NRN - Product Image 1
CL10X106MO8NRN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MO8NRN - Product Image 2
CL10X106MO8NRN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MO8NRN - Product Image 3
CL10X106MO8NRN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MO8NRN - Product Image 4
CL10X106MO8NRN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MO8NRN - Product Image 5
CL10X106MO8NRN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MO8NRN - Product Image 6

CL10X106MO8NRN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MO8NRN

฿6.82-68.20
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(292)
CL21Y106KABZNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7S 125 ) CL21Y106KABZNW - Product Image 1
CL21Y106KABZNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7S 125 ) CL21Y106KABZNW - Product Image 2
CL21Y106KABZNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7S 125 ) CL21Y106KABZNW - Product Image 3
CL21Y106KABZNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7S 125 ) CL21Y106KABZNW - Product Image 4
CL21Y106KABZNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7S 125 ) CL21Y106KABZNW - Product Image 5
CL21Y106KABZNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7S 125 ) CL21Y106KABZNW - Product Image 6

CL21Y106KABZNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7S 125 ) CL21Y106KABZNW

฿6.82-68.20
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(292)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60