All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

คาปาซิเตอร์ซีรีส์0.1F 5.5V 0.33F 4.0F 1.5F คาปาซิเตอร์แบบสองชั้น c/v/h ของแท้ - Product Image 1
คาปาซิเตอร์ซีรีส์0.1F 5.5V 0.33F 4.0F 1.5F คาปาซิเตอร์แบบสองชั้น c/v/h ของแท้ - Product Image 2
คาปาซิเตอร์ซีรีส์0.1F 5.5V 0.33F 4.0F 1.5F คาปาซิเตอร์แบบสองชั้น c/v/h ของแท้ - Product Image 3
คาปาซิเตอร์ซีรีส์0.1F 5.5V 0.33F 4.0F 1.5F คาปาซิเตอร์แบบสองชั้น c/v/h ของแท้ - Product Image 4
คาปาซิเตอร์ซีรีส์0.1F 5.5V 0.33F 4.0F 1.5F คาปาซิเตอร์แบบสองชั้น c/v/h ของแท้ - Product Image 5
คาปาซิเตอร์ซีรีส์0.1F 5.5V 0.33F 4.0F 1.5F คาปาซิเตอร์แบบสองชั้น c/v/h ของแท้ - Product Image 6

คาปาซิเตอร์ซีรีส์0.1F 5.5V 0.33F 4.0F 1.5F คาปาซิเตอร์แบบสองชั้น c/v/h ของแท้

฿6.79-13.58
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00MC00 A180 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00MC00 A180 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00MC00 A180 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00MC00 A180 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00MC00 A180 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00MC00 A180 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00MC00 A180

฿2.72-30.56
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(292)
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ STC รุ่น C42823*310C30+++++P6 ขนาด 0.082uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ซีรีส์ C42 ระยะพิทช์ 10 มม. มาตรฐาน UL94

฿5.44
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
CL32B106KBV6PN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 10uF 50Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL32B106KBV6PN - Product Image 1
CL32B106KBV6PN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 10uF 50Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL32B106KBV6PN - Product Image 2
CL32B106KBV6PN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 10uF 50Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL32B106KBV6PN - Product Image 3
CL32B106KBV6PN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 10uF 50Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL32B106KBV6PN - Product Image 4
CL32B106KBV6PN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 10uF 50Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL32B106KBV6PN - Product Image 5
CL32B106KBV6PN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 10uF 50Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL32B106KBV6PN - Product Image 6

CL32B106KBV6PN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 10uF 50Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL32B106KBV6PN

฿6.79-67.90
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(292)
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KO00 A170 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KO00 A170 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KO00 A170 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KO00 A170 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KO00 A170 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KO00 A170 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KO00 A170

฿1.70-30.56
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(292)
ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE222J2A0501ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE222J2A0501ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE222J2A0501ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE222J2A0501ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE222J2A0501ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE222J2A0501ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE222J2A0501ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.2nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

฿1.02-3.74
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 10% 4.7F 50V B7 TEMP coef-55C + 125C - Product Image 1
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 10% 4.7F 50V B7 TEMP coef-55C + 125C - Product Image 2
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 10% 4.7F 50V B7 TEMP coef-55C + 125C - Product Image 3
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 10% 4.7F 50V B7 TEMP coef-55C + 125C - Product Image 4
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 10% 4.7F 50V B7 TEMP coef-55C + 125C - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 10% 4.7F 50V B7 TEMP coef-55C + 125C

฿1,616.49
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ม้วน
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
ตัวเก็บประจุเซรามิก Taiyo Yuden ของแท้0805/2012 25V 4.7F 10% B7 SMD -55C ถึง + 125C MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิก Taiyo Yuden ของแท้0805/2012 25V 4.7F 10% B7 SMD -55C ถึง + 125C MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิก Taiyo Yuden ของแท้0805/2012 25V 4.7F 10% B7 SMD -55C ถึง + 125C MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิก Taiyo Yuden ของแท้0805/2012 25V 4.7F 10% B7 SMD -55C ถึง + 125C MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิก Taiyo Yuden ของแท้0805/2012 25V 4.7F 10% B7 SMD -55C ถึง + 125C MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก Taiyo Yuden ของแท้0805/2012 25V 4.7F 10% B7 SMD -55C ถึง + 125C MSAST21GAB7475KTNA01 / TMK212AB7475KG-T

฿1,232.23
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ม้วน
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60