All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม AF473K2G109L270D9R แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF 10% แรงดัน 400V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม AF473K2G109L270D9R แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF 10% แรงดัน 400V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม AF473K2G109L270D9R แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF 10% แรงดัน 400V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม AF473K2G109L270D9R แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF 10% แรงดัน 400V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม AF473K2G109L270D9R แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF 10% แรงดัน 400V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม AF473K2G109L270D9R แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF 10% แรงดัน 400V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม AF473K2G109L270D9R แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF 10% แรงดัน 400V

฿2.22-9.19

MOQ: 5

ไดโยยูเดน JMK105CBJ106MV-F MSASJ105CB5106MFNQ11 200ชิ้นตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC ไดอิเล็กทริกสูง0402 X5R 10uF - Product Image 1

ไดโยยูเดน JMK105CBJ106MV-F MSASJ105CB5106MFNQ11 200ชิ้นตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC ไดอิเล็กทริกสูง0402 X5R 10uF - Product Image 2

ไดโยยูเดน JMK105CBJ106MV-F MSASJ105CB5106MFNQ11 200ชิ้นตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC ไดอิเล็กทริกสูง0402 X5R 10uF - Product Image 3

ไดโยยูเดน JMK105CBJ106MV-F MSASJ105CB5106MFNQ11 200ชิ้นตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC ไดอิเล็กทริกสูง0402 X5R 10uF - Product Image 4

ไดโยยูเดน JMK105CBJ106MV-F MSASJ105CB5106MFNQ11 200ชิ้นตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC ไดอิเล็กทริกสูง0402 X5R 10uF - Product Image 5

ไดโยยูเดน JMK105CBJ106MV-F MSASJ105CB5106MFNQ11 200ชิ้นตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC ไดอิเล็กทริกสูง0402 X5R 10uF

฿0.3166

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH472Z30Y5VN63L5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH472Z30Y5VN63L5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH472Z30Y5VN63L5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH472Z30Y5VN63L5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH472Z30Y5VN63L5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH472Z30Y5VN63L5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH472Z30Y5VN63L5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.6332-1.90

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 224CL0058 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 224CL0058 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 224CL0058 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 224CL0058 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 224CL0058 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 224CL0058 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม 224CL0058 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

฿1.90-7.60

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFA2A222JC4PF50A1ST0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFA2A222JC4PF50A1ST0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFA2A222JC4PF50A1ST0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFA2A222JC4PF50A1ST0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFA2A222JC4PF50A1ST0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFA2A222JC4PF50A1ST0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFA2A222JC4PF50A1ST0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V

฿0.3166-0.9498

MOQ: 50

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE272J2A0502ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.7nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE272J2A0502ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.7nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE272J2A0502ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.7nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE272J2A0502ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.7nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE272J2A0502ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.7nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE272J2A0502ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.7nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม PE272J2A0502ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 2.7nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

฿0.6332-3.17

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HGK3DF223ZA4BW ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HGK3DF223ZA4BW ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HGK3DF223ZA4BW ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HGK3DF223ZA4BW ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HGK3DF223ZA4BW ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HGK3DF223ZA4BW ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HGK3DF223ZA4BW ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม.

฿5.07-20.27

MOQ: 5

562R5GAD10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 6.4มม. 1nF 20% 1kV 6.4มม - Product Image 1

562R5GAD10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 6.4มม. 1nF 20% 1kV 6.4มม - Product Image 2

562R5GAD10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 6.4มม. 1nF 20% 1kV 6.4มม - Product Image 3

562R5GAD10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 6.4มม. 1nF 20% 1kV 6.4มม - Product Image 4

562R5GAD10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 6.4มม. 1nF 20% 1kV 6.4มม - Product Image 5

562R5GAD10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 6.4มม. 1nF 20% 1kV 6.4มม - Product Image 6

562R5GAD10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 6.4มม. 1nF 20% 1kV 6.4มม

฿23.43-88.34

MOQ: 1