All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM472K39X7RL6FL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 500V ขนาดขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM472K39X7RL6FL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 500V ขนาดขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM472K39X7RL6FL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 500V ขนาดขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM472K39X7RL6FL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 500V ขนาดขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM472K39X7RL6FL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 500V ขนาดขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM472K39X7RL6FL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 500V ขนาดขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM472K39X7RL6FL5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 500V ขนาดขา 5 มม.

฿0.952-4.45

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C212E104J3AC000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C212E104J3AC000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C212E104J3AC000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C212E104J3AC000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C212E104J3AC000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C212E104J3AC000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C212E104J3AC000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

฿1.59-6.67

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C212E104J3AC000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C212E104J3AC000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C212E104J3AC000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C212E104J3AC000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C212E104J3AC000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C212E104J3AC000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C212E104J3AC000 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

฿1.59-6.67

MOQ: 5

298D475X9010M2T ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 0603 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 1

298D475X9010M2T ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 0603 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 2

298D475X9010M2T ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 0603 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 3

298D475X9010M2T ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 0603 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 4

298D475X9010M2T ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 0603 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 5

298D475X9010M2T ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 0603 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 6

298D475X9010M2T ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 0603 ( ความจุ: 4.7uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V )

฿11.43-45.38

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F102K39Y5RN6UK5R ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F102K39Y5RN6UK5R ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F102K39Y5RN6UK5R ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F102K39Y5RN6UK5R ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F102K39Y5RN6UK5R ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F102K39Y5RN6UK5R ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น F102K39Y5RN6UK5R ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม.

฿3.18-12.70

MOQ: 5

CA45-A020K106T ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 1

CA45-A020K106T ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 2

CA45-A020K106T ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 3

CA45-A020K106T ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 4

CA45-A020K106T ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 5

CA45-A020K106T ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 6

CA45-A020K106T ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 1206 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V )

฿3.50-13.01

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S332K47X7RN63J7R ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV รุ่น X7R - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S332K47X7RN63J7R ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV รุ่น X7R - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S332K47X7RN63J7R ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV รุ่น X7R - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S332K47X7RN63J7R ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV รุ่น X7R - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S332K47X7RN63J7R ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV รุ่น X7R - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S332K47X7RN63J7R ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV รุ่น X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น S332K47X7RN63J7R ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV รุ่น X7R

฿5.08-20.00

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF225K2G8AS8034A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 2.2uF 10% 400V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF225K2G8AS8034A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 2.2uF 10% 400V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF225K2G8AS8034A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 2.2uF 10% 400V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF225K2G8AS8034A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 2.2uF 10% 400V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF225K2G8AS8034A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 2.2uF 10% 400V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF225K2G8AS8034A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 2.2uF 10% 400V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF225K2G8AS8034A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 2.2uF 10% 400V

฿5.72-23.17

MOQ: 5