All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบ CER ติดพื้นผิวแบบ CA0508JRNPO0BN101 100pF 100V NPO 100PF คาปาซิเตอร์0508 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ CER ติดพื้นผิวแบบ CA0508JRNPO0BN101 100pF 100V NPO 100PF คาปาซิเตอร์0508 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ CER ติดพื้นผิวแบบ CA0508JRNPO0BN101 100pF 100V NPO 100PF คาปาซิเตอร์0508 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ CER ติดพื้นผิวแบบ CA0508JRNPO0BN101 100pF 100V NPO 100PF คาปาซิเตอร์0508 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ CER ติดพื้นผิวแบบ CA0508JRNPO0BN101 100pF 100V NPO 100PF คาปาซิเตอร์0508 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ CER ติดพื้นผิวแบบ CA0508JRNPO0BN101 100pF 100V NPO 100PF คาปาซิเตอร์0508 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ CER ติดพื้นผิวแบบ CA0508JRNPO0BN101 100pF 100V NPO 100PF คาปาซิเตอร์0508

฿1.03-2.05

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 4,000 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

HK

CL31A226KQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KQH1IN - Product Image 1

CL31A226KQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KQH1IN - Product Image 2

CL31A226KQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KQH1IN - Product Image 3

CL31A226KQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KQH1IN - Product Image 4

CL31A226KQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KQH1IN - Product Image 5

CL31A226KQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KQH1IN - Product Image 6

CL31A226KQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KQH1IN

฿6.82-68.18

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุแบบเดิม 100.PF 50.0V CA064C101M5GAC3020 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบเดิม 100.PF 50.0V CA064C101M5GAC3020 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบเดิม 100.PF 50.0V CA064C101M5GAC3020 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบเดิม 100.PF 50.0V CA064C101M5GAC3020 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบเดิม 100.PF 50.0V CA064C101M5GAC3020 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบเดิม 100.PF 50.0V CA064C101M5GAC3020 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบเดิม 100.PF 50.0V CA064C101M5GAC3020

฿1.71-3.41

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 4,000 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

HK

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C42333 310D10 +++++ P6 0.033uF 310V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C42333 310D10 +++++ P6 0.033uF 310V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C42333 310D10 +++++ P6 0.033uF 310V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C42333 310D10 +++++ P6 0.033uF 310V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C42333 310D10 +++++ P6 0.033uF 310V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C42333 310D10 +++++ P6 0.033uF 310V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม C42333 310D10 +++++ P6 0.033uF 310V

฿5.46

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น

CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.

2 yrs

CL21Y106KABVPN (ตัวเก็บประจุแบบชิป MLCC ขนาด 0805 2012 10uF 25Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KABVPN - Product Image 1

CL21Y106KABVPN (ตัวเก็บประจุแบบชิป MLCC ขนาด 0805 2012 10uF 25Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KABVPN - Product Image 2

CL21Y106KABVPN (ตัวเก็บประจุแบบชิป MLCC ขนาด 0805 2012 10uF 25Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KABVPN - Product Image 3

CL21Y106KABVPN (ตัวเก็บประจุแบบชิป MLCC ขนาด 0805 2012 10uF 25Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KABVPN - Product Image 4

CL21Y106KABVPN (ตัวเก็บประจุแบบชิป MLCC ขนาด 0805 2012 10uF 25Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KABVPN - Product Image 5

CL21Y106KABVPN (ตัวเก็บประจุแบบชิป MLCC ขนาด 0805 2012 10uF 25Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KABVPN - Product Image 6

CL21Y106KABVPN (ตัวเก็บประจุแบบชิป MLCC ขนาด 0805 2012 10uF 25Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KABVPN

฿6.82-68.18

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

CL21Y106KABZNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7S 125 ) CL21Y106KABZNW - Product Image 1

CL21Y106KABZNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7S 125 ) CL21Y106KABZNW - Product Image 2

CL21Y106KABZNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7S 125 ) CL21Y106KABZNW - Product Image 3

CL21Y106KABZNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7S 125 ) CL21Y106KABZNW - Product Image 4

CL21Y106KABZNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7S 125 ) CL21Y106KABZNW - Product Image 5

CL21Y106KABZNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7S 125 ) CL21Y106KABZNW - Product Image 6

CL21Y106KABZNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7S 125 ) CL21Y106KABZNW

฿6.82-68.18

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุแบบชุด CAP ARRAY W3A45C681KAT2A ของผู้ผลิต - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบชุด CAP ARRAY W3A45C681KAT2A ของผู้ผลิต - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบชุด CAP ARRAY W3A45C681KAT2A ของผู้ผลิต - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบชุด CAP ARRAY W3A45C681KAT2A ของผู้ผลิต - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบชุด CAP ARRAY W3A45C681KAT2A ของผู้ผลิต - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบชุด CAP ARRAY W3A45C681KAT2A ของผู้ผลิต - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบชุด CAP ARRAY W3A45C681KAT2A ของผู้ผลิต

฿1.71-3.07

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 4,000 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

HK

ตัวเก็บประจุ CA064C270J5GAC3124 27.0PF 50.0V จากผู้ผลิต - Product Image 1

ตัวเก็บประจุ CA064C270J5GAC3124 27.0PF 50.0V จากผู้ผลิต - Product Image 2

ตัวเก็บประจุ CA064C270J5GAC3124 27.0PF 50.0V จากผู้ผลิต - Product Image 3

ตัวเก็บประจุ CA064C270J5GAC3124 27.0PF 50.0V จากผู้ผลิต - Product Image 4

ตัวเก็บประจุ CA064C270J5GAC3124 27.0PF 50.0V จากผู้ผลิต - Product Image 5

ตัวเก็บประจุ CA064C270J5GAC3124 27.0PF 50.0V จากผู้ผลิต - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ CA064C270J5GAC3124 27.0PF 50.0V จากผู้ผลิต

฿2.39-4.78

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10,000 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

HK