All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C212A475K45Y380ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 4.7uF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C212A475K45Y380ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 4.7uF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C212A475K45Y380ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 4.7uF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C212A475K45Y380ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 4.7uF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C212A475K45Y380ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 4.7uF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C212A475K45Y380ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 4.7uF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C212A475K45Y380ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 4.7uF 10% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

฿10.89-41.96

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A124JD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 120nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A124JD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 120nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A124JD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 120nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A124JD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 120nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A124JD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 120nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A124JD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 120nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม W222A124JD5L00A00A ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 120nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

฿0.9608-3.53

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 6TPB330MAL 2917 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 6TPB330MAL 2917 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 6TPB330MAL 2917 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 6TPB330MAL 2917 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 6TPB330MAL 2917 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 6TPB330MAL 2917 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 6TPB330MAL 2917 ( ความจุ: 330uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V )

฿16.66-63.74

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FK5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FK5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FK5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FK5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FK5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FK5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FK5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.9608-3.53

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495X106K035ATE250 2917 ( ค่าความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495X106K035ATE250 2917 ( ค่าความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495X106K035ATE250 2917 ( ค่าความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495X106K035ATE250 2917 ( ค่าความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495X106K035ATE250 2917 ( ค่าความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495X106K035ATE250 2917 ( ค่าความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T495X106K035ATE250 2917 ( ค่าความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V

฿76.55-269.03

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MPE104J2E07AJ22610 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MPE104J2E07AJ22610 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MPE104J2E07AJ22610 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MPE104J2E07AJ22610 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MPE104J2E07AJ22610 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MPE104J2E07AJ22610 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม MPE104J2E07AJ22610 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100nF 5% 250V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

฿0.9608-3.53

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D474X9035A2TE3 ขนาด 1206 ( ความจุ: 470nF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 35V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D474X9035A2TE3 ขนาด 1206 ( ความจุ: 470nF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 35V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D474X9035A2TE3 ขนาด 1206 ( ความจุ: 470nF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 35V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D474X9035A2TE3 ขนาด 1206 ( ความจุ: 470nF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 35V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D474X9035A2TE3 ขนาด 1206 ( ความจุ: 470nF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 35V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D474X9035A2TE3 ขนาด 1206 ( ความจุ: 470nF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 35V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D474X9035A2TE3 ขนาด 1206 ( ความจุ: 470nF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 35V )

฿2.25-9.61

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1B300KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 30pF 10% 3kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1B300KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 30pF 10% 3kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1B300KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 30pF 10% 3kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1B300KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 30pF 10% 3kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1B300KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 30pF 10% 3kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1B300KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 30pF 10% 3kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07S1B300KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 30pF 10% 3kV 5 มม.

฿0.9608-3.53

MOQ: 10