All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

B 85

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRM219B30J106KE39(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B30J106KE39 - Product Image 1

GRM219B30J106KE39(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B30J106KE39 - Product Image 2

GRM219B30J106KE39(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B30J106KE39 - Product Image 3

GRM219B30J106KE39(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B30J106KE39 - Product Image 4

GRM219B30J106KE39(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B30J106KE39 - Product Image 5

GRM219B30J106KE39(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B30J106KE39 - Product Image 6

GRM219B30J106KE39(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B30J106KE39

฿16.69-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 1

GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 2

GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 3

GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 4

GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 5

GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 6

GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15

฿6.68-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM319B31E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31E106MA12 - Product Image 1

GRM319B31E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31E106MA12 - Product Image 2

GRM319B31E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31E106MA12 - Product Image 3

GRM319B31E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31E106MA12 - Product Image 4

GRM319B31E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31E106MA12 - Product Image 5

GRM319B31E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31E106MA12 - Product Image 6

GRM319B31E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31E106MA12

฿16.69-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32EB31C476ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 47 F ± 16Vdc 20% B 85 47uF GRM32EB31C476ME15 - Product Image 1

GRM32EB31C476ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 47 F ± 16Vdc 20% B 85 47uF GRM32EB31C476ME15 - Product Image 2

GRM32EB31C476ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 47 F ± 16Vdc 20% B 85 47uF GRM32EB31C476ME15 - Product Image 3

GRM32EB31C476ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 47 F ± 16Vdc 20% B 85 47uF GRM32EB31C476ME15 - Product Image 4

GRM32EB31C476ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 47 F ± 16Vdc 20% B 85 47uF GRM32EB31C476ME15 - Product Image 5

GRM32EB31C476ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 47 F ± 16Vdc 20% B 85 47uF GRM32EB31C476ME15 - Product Image 6

GRM32EB31C476ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 47 F ± 16Vdc 20% B 85 47uF GRM32EB31C476ME15

฿6.68-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 1

GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 2

GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 3

GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 4

GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 5

GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 6

GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16

฿16.69-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM21BB30G476ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 47 F ± 4Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30G476ME15 - Product Image 1

GRM21BB30G476ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 47 F ± 4Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30G476ME15 - Product Image 2

GRM21BB30G476ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 47 F ± 4Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30G476ME15 - Product Image 3

GRM21BB30G476ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 47 F ± 4Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30G476ME15 - Product Image 4

GRM21BB30G476ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 47 F ± 4Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30G476ME15 - Product Image 5

GRM21BB30G476ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 47 F ± 4Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30G476ME15 - Product Image 6

GRM21BB30G476ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 47 F ± 4Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30G476ME15

฿16.69-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32DB11C106MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32DB11C106MA01 - Product Image 1

GRM32DB11C106MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32DB11C106MA01 - Product Image 2

GRM32DB11C106MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32DB11C106MA01 - Product Image 3

GRM32DB11C106MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32DB11C106MA01 - Product Image 4

GRM32DB11C106MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32DB11C106MA01 - Product Image 5

GRM32DB11C106MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32DB11C106MA01 - Product Image 6

GRM32DB11C106MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32DB11C106MA01

฿16.69-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM188B30J106ME47(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30J106ME47 - Product Image 1

GRM188B30J106ME47(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30J106ME47 - Product Image 2

GRM188B30J106ME47(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30J106ME47 - Product Image 3

GRM188B30J106ME47(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30J106ME47 - Product Image 4

GRM188B30J106ME47(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30J106ME47 - Product Image 5

GRM188B30J106ME47(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30J106ME47 - Product Image 6

GRM188B30J106ME47(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30J106ME47

฿16.69-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs