All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

B 85

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRM219B31C106KA73(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B31C106KA73 - Product Image 1

GRM219B31C106KA73(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B31C106KA73 - Product Image 2

GRM219B31C106KA73(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B31C106KA73 - Product Image 3

GRM219B31C106KA73(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B31C106KA73 - Product Image 4

GRM219B31C106KA73(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B31C106KA73 - Product Image 5

GRM219B31C106KA73(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B31C106KA73 - Product Image 6

GRM219B31C106KA73(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B31C106KA73

฿16.69-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM21BB31E106MA73(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB31E106MA73 - Product Image 1

GRM21BB31E106MA73(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB31E106MA73 - Product Image 2

GRM21BB31E106MA73(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB31E106MA73 - Product Image 3

GRM21BB31E106MA73(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB31E106MA73 - Product Image 4

GRM21BB31E106MA73(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB31E106MA73 - Product Image 5

GRM21BB31E106MA73(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB31E106MA73 - Product Image 6

GRM21BB31E106MA73(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB31E106MA73

฿16.69-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32EB31C476KE15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% B 85 47uF GRM32EB31C476KE15 - Product Image 1

GRM32EB31C476KE15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% B 85 47uF GRM32EB31C476KE15 - Product Image 2

GRM32EB31C476KE15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% B 85 47uF GRM32EB31C476KE15 - Product Image 3

GRM32EB31C476KE15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% B 85 47uF GRM32EB31C476KE15 - Product Image 4

GRM32EB31C476KE15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% B 85 47uF GRM32EB31C476KE15 - Product Image 5

GRM32EB31C476KE15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% B 85 47uF GRM32EB31C476KE15 - Product Image 6

GRM32EB31C476KE15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% B 85 47uF GRM32EB31C476KE15

฿6.68-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 1

GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 2

GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 3

GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 4

GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 5

GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 6

GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18

฿6.68-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM21BB30J476ME15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30J476ME15 - Product Image 1

GRM21BB30J476ME15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30J476ME15 - Product Image 2

GRM21BB30J476ME15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30J476ME15 - Product Image 3

GRM21BB30J476ME15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30J476ME15 - Product Image 4

GRM21BB30J476ME15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30J476ME15 - Product Image 5

GRM21BB30J476ME15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30J476ME15 - Product Image 6

GRM21BB30J476ME15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30J476ME15

฿16.69-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32EB31E226ME15 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1210 22 F 25Vdc ±20% B 85 22uF GRM32EB31E226ME15 - Product Image 1

GRM32EB31E226ME15 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1210 22 F 25Vdc ±20% B 85 22uF GRM32EB31E226ME15 - Product Image 2

GRM32EB31E226ME15 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1210 22 F 25Vdc ±20% B 85 22uF GRM32EB31E226ME15 - Product Image 3

GRM32EB31E226ME15 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1210 22 F 25Vdc ±20% B 85 22uF GRM32EB31E226ME15 - Product Image 4

GRM32EB31E226ME15 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1210 22 F 25Vdc ±20% B 85 22uF GRM32EB31E226ME15 - Product Image 5

GRM32EB31E226ME15 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1210 22 F 25Vdc ±20% B 85 22uF GRM32EB31E226ME15 - Product Image 6

GRM32EB31E226ME15 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1210 22 F 25Vdc ±20% B 85 22uF GRM32EB31E226ME15

฿16.69-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM219B30J226ME47(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM219B30J226ME47 - Product Image 1

GRM219B30J226ME47(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM219B30J226ME47 - Product Image 2

GRM219B30J226ME47(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM219B30J226ME47 - Product Image 3

GRM219B30J226ME47(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM219B30J226ME47 - Product Image 4

GRM219B30J226ME47(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM219B30J226ME47 - Product Image 5

GRM219B30J226ME47(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM219B30J226ME47 - Product Image 6

GRM219B30J226ME47(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM219B30J226ME47

฿16.69-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM319B31A106KE18(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±10% B 85 10uF GRM319B31A106KE18 - Product Image 1

GRM319B31A106KE18(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±10% B 85 10uF GRM319B31A106KE18 - Product Image 2

GRM319B31A106KE18(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±10% B 85 10uF GRM319B31A106KE18 - Product Image 3

GRM319B31A106KE18(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±10% B 85 10uF GRM319B31A106KE18 - Product Image 4

GRM319B31A106KE18(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±10% B 85 10uF GRM319B31A106KE18 - Product Image 5

GRM319B31A106KE18(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±10% B 85 10uF GRM319B31A106KE18 - Product Image 6

GRM319B31A106KE18(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±10% B 85 10uF GRM319B31A106KE18

฿16.69-66.75

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs