All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ะะ พ

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L07E1B472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L07E1B472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L07E1B472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L07E1B472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L07E1B472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L07E1B472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L07E1B472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม.

฿0.3166-1.90

MOQ: 20

8 DIP 93C46B-I/P ช่องผู้ผลิตส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ - Product Image 1

8 DIP 93C46B-I/P ช่องผู้ผลิตส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ - Product Image 2

8 DIP 93C46B-I/P ช่องผู้ผลิตส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ - Product Image 3

8 DIP 93C46B-I/P ช่องผู้ผลิตส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ - Product Image 4

8 DIP 93C46B-I/P ช่องผู้ผลิตส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ - Product Image 5

8 DIP 93C46B-I/P ช่องผู้ผลิตส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ - Product Image 6

8 DIP 93C46B-I/P ช่องผู้ผลิตส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ

฿3.17-6.34

MOQ: 1

25LC320A-I/P 8 DIP ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ ของแท้ บริการครบวงจร - Product Image 1

25LC320A-I/P 8 DIP ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ ของแท้ บริการครบวงจร - Product Image 2

25LC320A-I/P 8 DIP ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ ของแท้ บริการครบวงจร - Product Image 3

25LC320A-I/P 8 DIP ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ ของแท้ บริการครบวงจร - Product Image 4

25LC320A-I/P 8 DIP ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ ของแท้ บริการครบวงจร - Product Image 5

25LC320A-I/P 8 DIP ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ ของแท้ บริการครบวงจร - Product Image 6

25LC320A-I/P 8 DIP ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ ของแท้ บริการครบวงจร

฿6.97-13.78

MOQ: 1

HLR-04VF Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=3.96mm Connector 2x2P 3.96mm HL 2 - Product Image 1

HLR-04VF Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=3.96mm Connector 2x2P 3.96mm HL 2 - Product Image 2

HLR-04VF Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=3.96mm Connector 2x2P 3.96mm HL 2 - Product Image 3

HLR-04VF Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=3.96mm Connector 2x2P 3.96mm HL 2 - Product Image 4

HLR-04VF Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=3.96mm Connector 2x2P 3.96mm HL 2 - Product Image 5

HLR-04VF Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=3.96mm Connector 2x2P 3.96mm HL 2 - Product Image 6

HLR-04VF Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=3.96mm Connector 2x2P 3.96mm HL 2

฿4.75-18.05

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC220J20COHF6FJ5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 22pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC220J20COHF6FJ5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 22pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC220J20COHF6FJ5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 22pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC220J20COHF6FJ5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 22pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC220J20COHF6FJ5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 22pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC220J20COHF6FJ5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 22pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC220J20COHF6FJ5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 22pF 5% 50V 5 มม.

฿0.3166-1.27

MOQ: 50

ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิม8 DIP 93AA66A-I/P - Product Image 1

ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิม8 DIP 93AA66A-I/P - Product Image 2

ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิม8 DIP 93AA66A-I/P - Product Image 3

ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิม8 DIP 93AA66A-I/P - Product Image 4

ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิม8 DIP 93AA66A-I/P - Product Image 5

ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิม8 DIP 93AA66A-I/P - Product Image 6

ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิม8 DIP 93AA66A-I/P

฿3.65-7.29

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น H102K065BR58230K750 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น H102K065BR58230K750 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น H102K065BR58230K750 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น H102K065BR58230K750 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น H102K065BR58230K750 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น H102K065BR58230K750 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น H102K065BR58230K750 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม.

฿0.3166-1.59

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N06S1B220KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 22pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N06S1B220KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 22pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N06S1B220KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 22pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N06S1B220KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 22pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N06S1B220KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 22pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N06S1B220KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 22pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N06S1B220KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 22pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.3166-0.9498

MOQ: 50