All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ะะ พ

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1PEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1PEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1PEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1PEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1PEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1PEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1PEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม.

฿0.3166-1.90

MOQ: 20

A2547HJ-9P Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=2.54mm Connector 1x9P 2.54mm 1 9 - Product Image 1

A2547HJ-9P Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=2.54mm Connector 1x9P 2.54mm 1 9 - Product Image 2

A2547HJ-9P Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=2.54mm Connector 1x9P 2.54mm 1 9 - Product Image 3

A2547HJ-9P Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=2.54mm Connector 1x9P 2.54mm 1 9 - Product Image 4

A2547HJ-9P Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=2.54mm Connector 1x9P 2.54mm 1 9 - Product Image 5

A2547HJ-9P Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=2.54mm Connector 1x9P 2.54mm 1 9 - Product Image 6

A2547HJ-9P Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=2.54mm Connector 1x9P 2.54mm 1 9

฿2.22-9.50

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC121J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 120pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC121J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 120pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC121J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 120pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC121J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 120pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC121J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 120pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC121J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 120pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC121J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 120pF 5% 50V 5 มม.

฿0.3166-1.27

MOQ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6WL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6WL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6WL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6WL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6WL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6WL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6WL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.3166-1.90

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม.

฿0.3166-0.9498

MOQ: 50

563 SOT 666ช่องทางผู้ผลิตการจัดการพลังงาน (PMIC) สวิตช์ IC PWR P Chan SC89 6 SI1040X-T1-E3 - Product Image 1

563 SOT 666ช่องทางผู้ผลิตการจัดการพลังงาน (PMIC) สวิตช์ IC PWR P Chan SC89 6 SI1040X-T1-E3 - Product Image 2

563 SOT 666ช่องทางผู้ผลิตการจัดการพลังงาน (PMIC) สวิตช์ IC PWR P Chan SC89 6 SI1040X-T1-E3 - Product Image 3

563 SOT 666ช่องทางผู้ผลิตการจัดการพลังงาน (PMIC) สวิตช์ IC PWR P Chan SC89 6 SI1040X-T1-E3 - Product Image 4

563 SOT 666ช่องทางผู้ผลิตการจัดการพลังงาน (PMIC) สวิตช์ IC PWR P Chan SC89 6 SI1040X-T1-E3 - Product Image 5

563 SOT 666ช่องทางผู้ผลิตการจัดการพลังงาน (PMIC) สวิตช์ IC PWR P Chan SC89 6 SI1040X-T1-E3 - Product Image 6

563 SOT 666ช่องทางผู้ผลิตการจัดการพลังงาน (PMIC) สวิตช์ IC PWR P Chan SC89 6 SI1040X-T1-E3

฿5.07-10.45

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07B1B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07B1B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07B1B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07B1B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07B1B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07B1B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07B1B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม.

฿0.3166-1.27

MOQ: 50

25LC640A-E/P 8 DIP ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก - Product Image 1

25LC640A-E/P 8 DIP ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก - Product Image 2

25LC640A-E/P 8 DIP ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก - Product Image 3

25LC640A-E/P 8 DIP ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก - Product Image 4

25LC640A-E/P 8 DIP ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก - Product Image 5

25LC640A-E/P 8 DIP ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก - Product Image 6

25LC640A-E/P 8 DIP ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก

฿7.92-15.68

MOQ: 1