All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 1
C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 2
C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 3
C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 4
C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 5
C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 6

C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB

฿16.37-65.46
MOQ: 1
C3216X5R1H106K160AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3216X5R1H106K160AB - Product Image 1
C3216X5R1H106K160AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3216X5R1H106K160AB - Product Image 2
C3216X5R1H106K160AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3216X5R1H106K160AB - Product Image 3
C3216X5R1H106K160AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3216X5R1H106K160AB - Product Image 4
C3216X5R1H106K160AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3216X5R1H106K160AB - Product Image 5
C3216X5R1H106K160AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3216X5R1H106K160AB - Product Image 6

C3216X5R1H106K160AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3216X5R1H106K160AB

฿16.37-65.46
MOQ: 1
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 1
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 2
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 3
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 4
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 5
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 6

CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF

฿16.37-65.46
MOQ: 1
CKG57KX7S2A106M335JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 10 F 100V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7S2A106M335JH - Product Image 1
CKG57KX7S2A106M335JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 10 F 100V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7S2A106M335JH - Product Image 2
CKG57KX7S2A106M335JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 10 F 100V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7S2A106M335JH - Product Image 3
CKG57KX7S2A106M335JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 10 F 100V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7S2A106M335JH - Product Image 4
CKG57KX7S2A106M335JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 10 F 100V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7S2A106M335JH - Product Image 5
CKG57KX7S2A106M335JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 10 F 100V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7S2A106M335JH - Product Image 6

CKG57KX7S2A106M335JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 10 F 100V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7S2A106M335JH

฿16.37-65.46
MOQ: 1
CKG57KX7R1E476M335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47UF CKG57KX7R1E476M335JH - Product Image 1
CKG57KX7R1E476M335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47UF CKG57KX7R1E476M335JH - Product Image 2
CKG57KX7R1E476M335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47UF CKG57KX7R1E476M335JH - Product Image 3
CKG57KX7R1E476M335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47UF CKG57KX7R1E476M335JH - Product Image 4
CKG57KX7R1E476M335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47UF CKG57KX7R1E476M335JH - Product Image 5
CKG57KX7R1E476M335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47UF CKG57KX7R1E476M335JH - Product Image 6

CKG57KX7R1E476M335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47UF CKG57KX7R1E476M335JH

฿16.37-65.46
MOQ: 1
CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 1
CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 2
CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 3
CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 4
CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 5
CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 6

CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ

฿16.37-65.46
MOQ: 1
C3225X7S1H106K250AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 F 50V ± 10% X7S -55ถึง125 C 10uF C3225X7S1H106K250AE - Product Image 1
C3225X7S1H106K250AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 F 50V ± 10% X7S -55ถึง125 C 10uF C3225X7S1H106K250AE - Product Image 2
C3225X7S1H106K250AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 F 50V ± 10% X7S -55ถึง125 C 10uF C3225X7S1H106K250AE - Product Image 3
C3225X7S1H106K250AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 F 50V ± 10% X7S -55ถึง125 C 10uF C3225X7S1H106K250AE - Product Image 4
C3225X7S1H106K250AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 F 50V ± 10% X7S -55ถึง125 C 10uF C3225X7S1H106K250AE - Product Image 5
C3225X7S1H106K250AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 F 50V ± 10% X7S -55ถึง125 C 10uF C3225X7S1H106K250AE - Product Image 6

C3225X7S1H106K250AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 F 50V ± 10% X7S -55ถึง125 C 10uF C3225X7S1H106K250AE

฿16.37-65.46
MOQ: 1
C3216X7R1H106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 50V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1H106K160AE - Product Image 1
C3216X7R1H106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 50V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1H106K160AE - Product Image 2
C3216X7R1H106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 50V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1H106K160AE - Product Image 3
C3216X7R1H106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 50V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1H106K160AE - Product Image 4
C3216X7R1H106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 50V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1H106K160AE - Product Image 5
C3216X7R1H106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 50V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1H106K160AE - Product Image 6

C3216X7R1H106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 50V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1H106K160AE

฿16.37-65.46
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

8013545 565 583www 554294fifty five899635 hd70 560 555575 555 365 658640 5