All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

CKG57KX7S1H106M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 10 F 50V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7S1H106M335JJ 10uF - Product Image 1
CKG57KX7S1H106M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 10 F 50V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7S1H106M335JJ 10uF - Product Image 2
CKG57KX7S1H106M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 10 F 50V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7S1H106M335JJ 10uF - Product Image 3
CKG57KX7S1H106M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 10 F 50V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7S1H106M335JJ 10uF - Product Image 4
CKG57KX7S1H106M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 10 F 50V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7S1H106M335JJ 10uF - Product Image 5
CKG57KX7S1H106M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 10 F 50V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7S1H106M335JJ 10uF - Product Image 6

CKG57KX7S1H106M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 10 F 50V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7S1H106M335JJ 10uF

฿16.37-65.46
MOQ: 1
C3216X7R1V106K สำหรับรถยนต์ (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 35V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1V106K160AE 10uF - Product Image 1
C3216X7R1V106K สำหรับรถยนต์ (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 35V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1V106K160AE 10uF - Product Image 2
C3216X7R1V106K สำหรับรถยนต์ (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 35V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1V106K160AE 10uF - Product Image 3
C3216X7R1V106K สำหรับรถยนต์ (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 35V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1V106K160AE 10uF - Product Image 4
C3216X7R1V106K สำหรับรถยนต์ (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 35V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1V106K160AE 10uF - Product Image 5
C3216X7R1V106K สำหรับรถยนต์ (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 35V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1V106K160AE 10uF - Product Image 6

C3216X7R1V106K สำหรับรถยนต์ (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 35V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1V106K160AE 10uF

฿16.37-65.46
MOQ: 1
CKG57KX7R1E106M335JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7R1E106M335JJ 10uF - Product Image 1
CKG57KX7R1E106M335JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7R1E106M335JJ 10uF - Product Image 2
CKG57KX7R1E106M335JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7R1E106M335JJ 10uF - Product Image 3
CKG57KX7R1E106M335JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7R1E106M335JJ 10uF - Product Image 4
CKG57KX7R1E106M335JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7R1E106M335JJ 10uF - Product Image 5
CKG57KX7R1E106M335JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7R1E106M335JJ 10uF - Product Image 6

CKG57KX7R1E106M335JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7R1E106M335JJ 10uF

฿16.37-65.46
MOQ: 1
CGA6P1X7S1N106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 75V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7S1N106K250AE - Product Image 1
CGA6P1X7S1N106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 75V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7S1N106K250AE - Product Image 2
CGA6P1X7S1N106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 75V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7S1N106K250AE - Product Image 3
CGA6P1X7S1N106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 75V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7S1N106K250AE - Product Image 4
CGA6P1X7S1N106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 75V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7S1N106K250AE - Product Image 5
CGA6P1X7S1N106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 75V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7S1N106K250AE - Product Image 6

CGA6P1X7S1N106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 75V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7S1N106K250AE

฿16.37-65.46
MOQ: 1
CGA3EDX7T1A106M080AU (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 10V ± 20% X7T -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA3EDX7T1A106M080AU 10uF - Product Image 1
CGA3EDX7T1A106M080AU (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 10V ± 20% X7T -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA3EDX7T1A106M080AU 10uF - Product Image 2
CGA3EDX7T1A106M080AU (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 10V ± 20% X7T -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA3EDX7T1A106M080AU 10uF - Product Image 3
CGA3EDX7T1A106M080AU (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 10V ± 20% X7T -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA3EDX7T1A106M080AU 10uF - Product Image 4
CGA3EDX7T1A106M080AU (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 10V ± 20% X7T -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA3EDX7T1A106M080AU 10uF - Product Image 5
CGA3EDX7T1A106M080AU (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 10V ± 20% X7T -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA3EDX7T1A106M080AU 10uF - Product Image 6

CGA3EDX7T1A106M080AU (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 10V ± 20% X7T -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA3EDX7T1A106M080AU 10uF

฿16.37-65.46
MOQ: 1
C2012X8L0J106K125AC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 10 F 6.3V ± 10% X8L -55ถึง150 C 10uF C2012X8L0J106K125AC - Product Image 1
C2012X8L0J106K125AC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 10 F 6.3V ± 10% X8L -55ถึง150 C 10uF C2012X8L0J106K125AC - Product Image 2
C2012X8L0J106K125AC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 10 F 6.3V ± 10% X8L -55ถึง150 C 10uF C2012X8L0J106K125AC - Product Image 3
C2012X8L0J106K125AC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 10 F 6.3V ± 10% X8L -55ถึง150 C 10uF C2012X8L0J106K125AC - Product Image 4
C2012X8L0J106K125AC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 10 F 6.3V ± 10% X8L -55ถึง150 C 10uF C2012X8L0J106K125AC - Product Image 5
C2012X8L0J106K125AC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 10 F 6.3V ± 10% X8L -55ถึง150 C 10uF C2012X8L0J106K125AC - Product Image 6

C2012X8L0J106K125AC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 10 F 6.3V ± 10% X8L -55ถึง150 C 10uF C2012X8L0J106K125AC

฿16.37-65.46
MOQ: 1
CKG57KX7S2A106K335JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 10 F 100V ± 10% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7S2A106K335JJ 10uF - Product Image 1
CKG57KX7S2A106K335JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 10 F 100V ± 10% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7S2A106K335JJ 10uF - Product Image 2
CKG57KX7S2A106K335JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 10 F 100V ± 10% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7S2A106K335JJ 10uF - Product Image 3
CKG57KX7S2A106K335JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 10 F 100V ± 10% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7S2A106K335JJ 10uF - Product Image 4
CKG57KX7S2A106K335JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 10 F 100V ± 10% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7S2A106K335JJ 10uF - Product Image 5
CKG57KX7S2A106K335JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 10 F 100V ± 10% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7S2A106K335JJ 10uF - Product Image 6

CKG57KX7S2A106K335JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 10 F 100V ± 10% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7S2A106K335JJ 10uF

฿16.37-65.46
MOQ: 1
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 1
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 2
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 3
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 4
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 5
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 6

CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH

฿16.37-65.46
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

8013545 565 583www 554294fifty five899635 hd70 560 555575 555 365 658640 5