All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

C3216X7R1C106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1C106K160AC 10uF - Product Image 1

C3216X7R1C106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1C106K160AC 10uF - Product Image 2

C3216X7R1C106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1C106K160AC 10uF - Product Image 3

C3216X7R1C106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1C106K160AC 10uF - Product Image 4

C3216X7R1C106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1C106K160AC 10uF - Product Image 5

C3216X7R1C106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1C106K160AC 10uF - Product Image 6

C3216X7R1C106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1C106K160AC 10uF

฿16.37-65.46

MOQ: 1

C3225X7R1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6M3X7R1C106K200AB - Product Image 1

C3225X7R1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6M3X7R1C106K200AB - Product Image 2

C3225X7R1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6M3X7R1C106K200AB - Product Image 3

C3225X7R1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6M3X7R1C106K200AB - Product Image 4

C3225X7R1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6M3X7R1C106K200AB - Product Image 5

C3225X7R1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6M3X7R1C106K200AB - Product Image 6

C3225X7R1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6M3X7R1C106K200AB

฿16.37-65.46

MOQ: 1

C5750X7R1E226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA9P2X7R1E226M250KA 22uF - Product Image 1

C5750X7R1E226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA9P2X7R1E226M250KA 22uF - Product Image 2

C5750X7R1E226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA9P2X7R1E226M250KA 22uF - Product Image 3

C5750X7R1E226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA9P2X7R1E226M250KA 22uF - Product Image 4

C5750X7R1E226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA9P2X7R1E226M250KA 22uF - Product Image 5

C5750X7R1E226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA9P2X7R1E226M250KA 22uF - Product Image 6

C5750X7R1E226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA9P2X7R1E226M250KA 22uF

฿16.37-65.46

MOQ: 1

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ช่องสัญญาณหน่วยความจำของผู้ผลิต 32 TFSOP SST39LF010-55-4C-WHE-T - Product Image 1

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ช่องสัญญาณหน่วยความจำของผู้ผลิต 32 TFSOP SST39LF010-55-4C-WHE-T - Product Image 2

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ช่องสัญญาณหน่วยความจำของผู้ผลิต 32 TFSOP SST39LF010-55-4C-WHE-T - Product Image 3

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ช่องสัญญาณหน่วยความจำของผู้ผลิต 32 TFSOP SST39LF010-55-4C-WHE-T - Product Image 4

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ช่องสัญญาณหน่วยความจำของผู้ผลิต 32 TFSOP SST39LF010-55-4C-WHE-T - Product Image 5

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ช่องสัญญาณหน่วยความจำของผู้ผลิต 32 TFSOP SST39LF010-55-4C-WHE-T - Product Image 6

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ช่องสัญญาณหน่วยความจำของผู้ผลิต 32 TFSOP SST39LF010-55-4C-WHE-T

฿19.81-21.12

MOQ: 1

C4532X7R1C226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA8N3X7R1C226M230KB 22uF - Product Image 1

C4532X7R1C226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA8N3X7R1C226M230KB 22uF - Product Image 2

C4532X7R1C226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA8N3X7R1C226M230KB 22uF - Product Image 3

C4532X7R1C226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA8N3X7R1C226M230KB 22uF - Product Image 4

C4532X7R1C226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA8N3X7R1C226M230KB 22uF - Product Image 5

C4532X7R1C226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA8N3X7R1C226M230KB 22uF - Product Image 6

C4532X7R1C226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA8N3X7R1C226M230KB 22uF

฿16.37-65.46

MOQ: 1

C5750X7R1E106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA9M2X7R1E106M200KA 10uF - Product Image 1

C5750X7R1E106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA9M2X7R1E106M200KA 10uF - Product Image 2

C5750X7R1E106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA9M2X7R1E106M200KA 10uF - Product Image 3

C5750X7R1E106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA9M2X7R1E106M200KA 10uF - Product Image 4

C5750X7R1E106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA9M2X7R1E106M200KA 10uF - Product Image 5

C5750X7R1E106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA9M2X7R1E106M200KA 10uF - Product Image 6

C5750X7R1E106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 10 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA9M2X7R1E106M200KA 10uF

฿16.37-65.46

MOQ: 1

SST39LF800A-55-4C-EKE อิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ48 TFSOP IC มีในสต็อก - Product Image 1

SST39LF800A-55-4C-EKE อิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ48 TFSOP IC มีในสต็อก - Product Image 2

SST39LF800A-55-4C-EKE อิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ48 TFSOP IC มีในสต็อก - Product Image 3

SST39LF800A-55-4C-EKE อิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ48 TFSOP IC มีในสต็อก - Product Image 4

SST39LF800A-55-4C-EKE อิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ48 TFSOP IC มีในสต็อก - Product Image 5

SST39LF800A-55-4C-EKE อิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ48 TFSOP IC มีในสต็อก - Product Image 6

SST39LF800A-55-4C-EKE อิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ48 TFSOP IC มีในสต็อก

฿30.12-60.23

MOQ: 1

CKG57NX7R1E107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1E107M500JJ 100uF - Product Image 1

CKG57NX7R1E107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1E107M500JJ 100uF - Product Image 2

CKG57NX7R1E107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1E107M500JJ 100uF - Product Image 3

CKG57NX7R1E107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1E107M500JJ 100uF - Product Image 4

CKG57NX7R1E107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1E107M500JJ 100uF - Product Image 5

CKG57NX7R1E107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1E107M500JJ 100uF - Product Image 6

CKG57NX7R1E107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1E107M500JJ 100uF

฿16.37-65.46

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

80 135 45 5 65 5 83 www 55 42 94 fifty five 89 96 35 hd 70 5 60 5 555 75 5 55 3 65 65 86 40 5