All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 1

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 2

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 3

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 4

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 5

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 6

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF

฿16.37-65.46

MOQ: 1

C3225X7R1C226M250AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C3225X7R1C226M250AC - Product Image 1

C3225X7R1C226M250AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C3225X7R1C226M250AC - Product Image 2

C3225X7R1C226M250AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C3225X7R1C226M250AC - Product Image 3

C3225X7R1C226M250AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C3225X7R1C226M250AC - Product Image 4

C3225X7R1C226M250AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C3225X7R1C226M250AC - Product Image 5

C3225X7R1C226M250AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C3225X7R1C226M250AC - Product Image 6

C3225X7R1C226M250AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C3225X7R1C226M250AC

฿16.37-65.46

MOQ: 1

C3216X5R1E106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X5R -55ถึง85 C AEC-Q200 CGA5L3X5R1E106K160AB 10uF - Product Image 1

C3216X5R1E106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X5R -55ถึง85 C AEC-Q200 CGA5L3X5R1E106K160AB 10uF - Product Image 2

C3216X5R1E106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X5R -55ถึง85 C AEC-Q200 CGA5L3X5R1E106K160AB 10uF - Product Image 3

C3216X5R1E106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X5R -55ถึง85 C AEC-Q200 CGA5L3X5R1E106K160AB 10uF - Product Image 4

C3216X5R1E106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X5R -55ถึง85 C AEC-Q200 CGA5L3X5R1E106K160AB 10uF - Product Image 5

C3216X5R1E106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X5R -55ถึง85 C AEC-Q200 CGA5L3X5R1E106K160AB 10uF - Product Image 6

C3216X5R1E106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X5R -55ถึง85 C AEC-Q200 CGA5L3X5R1E106K160AB 10uF

฿16.37-65.46

MOQ: 1

C4532X7R1C336M250KC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1812 33 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 33uF C4532X7R1C336M250KC - Product Image 1

C4532X7R1C336M250KC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1812 33 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 33uF C4532X7R1C336M250KC - Product Image 2

C4532X7R1C336M250KC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1812 33 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 33uF C4532X7R1C336M250KC - Product Image 3

C4532X7R1C336M250KC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1812 33 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 33uF C4532X7R1C336M250KC - Product Image 4

C4532X7R1C336M250KC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1812 33 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 33uF C4532X7R1C336M250KC - Product Image 5

C4532X7R1C336M250KC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1812 33 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 33uF C4532X7R1C336M250KC - Product Image 6

C4532X7R1C336M250KC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1812 33 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 33uF C4532X7R1C336M250KC

฿16.37-65.46

MOQ: 1

C3216X7R1V106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 35V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1V106K160AC 10uF - Product Image 1

C3216X7R1V106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 35V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1V106K160AC 10uF - Product Image 2

C3216X7R1V106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 35V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1V106K160AC 10uF - Product Image 3

C3216X7R1V106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 35V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1V106K160AC 10uF - Product Image 4

C3216X7R1V106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 35V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1V106K160AC 10uF - Product Image 5

C3216X7R1V106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 35V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1V106K160AC 10uF - Product Image 6

C3216X7R1V106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 35V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA5L1X7R1V106K160AC 10uF

฿16.37-65.46

MOQ: 1

CNC5L1X7R1E106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CNC5L1X7R1E106K160AE - Product Image 1

CNC5L1X7R1E106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CNC5L1X7R1E106K160AE - Product Image 2

CNC5L1X7R1E106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CNC5L1X7R1E106K160AE - Product Image 3

CNC5L1X7R1E106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CNC5L1X7R1E106K160AE - Product Image 4

CNC5L1X7R1E106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CNC5L1X7R1E106K160AE - Product Image 5

CNC5L1X7R1E106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CNC5L1X7R1E106K160AE - Product Image 6

CNC5L1X7R1E106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CNC5L1X7R1E106K160AE

฿16.37-65.46

MOQ: 1

CAA573X7R1V686M670LH (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 68 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 68uF CAA573X7R1V686M670LH - Product Image 1

CAA573X7R1V686M670LH (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 68 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 68uF CAA573X7R1V686M670LH - Product Image 2

CAA573X7R1V686M670LH (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 68 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 68uF CAA573X7R1V686M670LH - Product Image 3

CAA573X7R1V686M670LH (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 68 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 68uF CAA573X7R1V686M670LH - Product Image 4

CAA573X7R1V686M670LH (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 68 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 68uF CAA573X7R1V686M670LH - Product Image 5

CAA573X7R1V686M670LH (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 68 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 68uF CAA573X7R1V686M670LH - Product Image 6

CAA573X7R1V686M670LH (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 68 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 68uF CAA573X7R1V686M670LH

฿16.37-65.46

MOQ: 1

CKG57NX7R1E226M500JJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1E226M500JJ 22uF - Product Image 1

CKG57NX7R1E226M500JJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1E226M500JJ 22uF - Product Image 2

CKG57NX7R1E226M500JJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1E226M500JJ 22uF - Product Image 3

CKG57NX7R1E226M500JJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1E226M500JJ 22uF - Product Image 4

CKG57NX7R1E226M500JJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1E226M500JJ 22uF - Product Image 5

CKG57NX7R1E226M500JJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1E226M500JJ 22uF - Product Image 6

CKG57NX7R1E226M500JJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1E226M500JJ 22uF

฿16.37-65.46

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

80 135 45 5 65 5 83 www 55 42 94 fifty five 89 96 35 hd 70 5 60 5 555 75 5 55 3 65 65 86 40 5