All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

C3225X8R1C106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 16V ± 10% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P3X8R1C106K250AD 10uF - Product Image 1
C3225X8R1C106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 16V ± 10% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P3X8R1C106K250AD 10uF - Product Image 2
C3225X8R1C106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 16V ± 10% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P3X8R1C106K250AD 10uF - Product Image 3
C3225X8R1C106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 16V ± 10% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P3X8R1C106K250AD 10uF - Product Image 4
C3225X8R1C106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 16V ± 10% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P3X8R1C106K250AD 10uF - Product Image 5
C3225X8R1C106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 16V ± 10% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P3X8R1C106K250AD 10uF - Product Image 6

C3225X8R1C106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 16V ± 10% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P3X8R1C106K250AD 10uF

฿16.37-65.46
MOQ: 1
C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 1
C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 2
C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 3
C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 4
C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 5
C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF C5750X7R1E476M230KB - Product Image 6

C5750X7R1E476M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47uF C5750X7R1E476M230KB

฿16.37-65.46
MOQ: 1
C4532X7R1E226M250KC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1812 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C4532X7R1E226M250KC - Product Image 1
C4532X7R1E226M250KC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1812 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C4532X7R1E226M250KC - Product Image 2
C4532X7R1E226M250KC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1812 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C4532X7R1E226M250KC - Product Image 3
C4532X7R1E226M250KC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1812 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C4532X7R1E226M250KC - Product Image 4
C4532X7R1E226M250KC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1812 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C4532X7R1E226M250KC - Product Image 5
C4532X7R1E226M250KC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1812 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C4532X7R1E226M250KC - Product Image 6

C4532X7R1E226M250KC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1812 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C4532X7R1E226M250KC

฿16.37-65.46
MOQ: 1
C2012X5R1C226M125AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1C226M125AC - Product Image 1
C2012X5R1C226M125AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1C226M125AC - Product Image 2
C2012X5R1C226M125AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1C226M125AC - Product Image 3
C2012X5R1C226M125AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1C226M125AC - Product Image 4
C2012X5R1C226M125AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1C226M125AC - Product Image 5
C2012X5R1C226M125AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1C226M125AC - Product Image 6

C2012X5R1C226M125AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1C226M125AC

฿16.37-65.46
MOQ: 1
C2012X6S0J226M125AB (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 0805 22 F 6.3V ±20% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 22uF C2012X6S0J226M125AB - Product Image 1
C2012X6S0J226M125AB (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 0805 22 F 6.3V ±20% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 22uF C2012X6S0J226M125AB - Product Image 2
C2012X6S0J226M125AB (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 0805 22 F 6.3V ±20% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 22uF C2012X6S0J226M125AB - Product Image 3
C2012X6S0J226M125AB (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 0805 22 F 6.3V ±20% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 22uF C2012X6S0J226M125AB - Product Image 4
C2012X6S0J226M125AB (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 0805 22 F 6.3V ±20% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 22uF C2012X6S0J226M125AB - Product Image 5
C2012X6S0J226M125AB (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 0805 22 F 6.3V ±20% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 22uF C2012X6S0J226M125AB - Product Image 6

C2012X6S0J226M125AB (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 0805 22 F 6.3V ±20% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 22uF C2012X6S0J226M125AB

฿16.37-65.46
MOQ: 1
C3225X5R1E106K250AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1E106K250AA - Product Image 1
C3225X5R1E106K250AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1E106K250AA - Product Image 2
C3225X5R1E106K250AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1E106K250AA - Product Image 3
C3225X5R1E106K250AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1E106K250AA - Product Image 4
C3225X5R1E106K250AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1E106K250AA - Product Image 5
C3225X5R1E106K250AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1E106K250AA - Product Image 6

C3225X5R1E106K250AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1E106K250AA

฿16.37-65.46
MOQ: 1
C3216X5R1E226M160AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1E226M160AB - Product Image 1
C3216X5R1E226M160AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1E226M160AB - Product Image 2
C3216X5R1E226M160AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1E226M160AB - Product Image 3
C3216X5R1E226M160AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1E226M160AB - Product Image 4
C3216X5R1E226M160AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1E226M160AB - Product Image 5
C3216X5R1E226M160AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1E226M160AB - Product Image 6

C3216X5R1E226M160AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1E226M160AB

฿16.37-65.46
MOQ: 1
C3225X8R1E106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 10 F 25V ± 10% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106K250AC 10uF - Product Image 1
C3225X8R1E106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 10 F 25V ± 10% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106K250AC 10uF - Product Image 2
C3225X8R1E106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 10 F 25V ± 10% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106K250AC 10uF - Product Image 3
C3225X8R1E106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 10 F 25V ± 10% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106K250AC 10uF - Product Image 4
C3225X8R1E106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 10 F 25V ± 10% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106K250AC 10uF - Product Image 5
C3225X8R1E106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 10 F 25V ± 10% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106K250AC 10uF - Product Image 6

C3225X8R1E106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 10 F 25V ± 10% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106K250AC 10uF

฿16.37-65.46
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

8013545 565 583www 554294fifty five899635 hd70 560 555575 555 365 658640 5