All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

C3216X7S0G336M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 33 F 4V ± 20% X7S -55ถึง125 C 33uF C3216X7S0G336M160AB - Product Image 1
C3216X7S0G336M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 33 F 4V ± 20% X7S -55ถึง125 C 33uF C3216X7S0G336M160AB - Product Image 2
C3216X7S0G336M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 33 F 4V ± 20% X7S -55ถึง125 C 33uF C3216X7S0G336M160AB - Product Image 3
C3216X7S0G336M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 33 F 4V ± 20% X7S -55ถึง125 C 33uF C3216X7S0G336M160AB - Product Image 4
C3216X7S0G336M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 33 F 4V ± 20% X7S -55ถึง125 C 33uF C3216X7S0G336M160AB - Product Image 5
C3216X7S0G336M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 33 F 4V ± 20% X7S -55ถึง125 C 33uF C3216X7S0G336M160AB - Product Image 6

C3216X7S0G336M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 33 F 4V ± 20% X7S -55ถึง125 C 33uF C3216X7S0G336M160AB

฿16.36-65.42
MOQ: 1
C3225X6S1A107M250AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 1210 100 F 10V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3225X6S1A107M250AC - Product Image 1
C3225X6S1A107M250AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 1210 100 F 10V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3225X6S1A107M250AC - Product Image 2
C3225X6S1A107M250AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 1210 100 F 10V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3225X6S1A107M250AC - Product Image 3
C3225X6S1A107M250AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 1210 100 F 10V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3225X6S1A107M250AC - Product Image 4
C3225X6S1A107M250AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 1210 100 F 10V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3225X6S1A107M250AC - Product Image 5
C3225X6S1A107M250AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 1210 100 F 10V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3225X6S1A107M250AC - Product Image 6

C3225X6S1A107M250AC (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 1210 100 F 10V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3225X6S1A107M250AC

฿16.36-65.42
MOQ: 1
C3216X5R1C106K160AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3216X5R1C106K160AA - Product Image 1
C3216X5R1C106K160AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3216X5R1C106K160AA - Product Image 2
C3216X5R1C106K160AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3216X5R1C106K160AA - Product Image 3
C3216X5R1C106K160AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3216X5R1C106K160AA - Product Image 4
C3216X5R1C106K160AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3216X5R1C106K160AA - Product Image 5
C3216X5R1C106K160AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3216X5R1C106K160AA - Product Image 6

C3216X5R1C106K160AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3216X5R1C106K160AA

฿16.36-65.42
MOQ: 1
CKG57KX7R1E476M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CKG57KX7R1E476M335JJ - Product Image 1
CKG57KX7R1E476M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CKG57KX7R1E476M335JJ - Product Image 2
CKG57KX7R1E476M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CKG57KX7R1E476M335JJ - Product Image 3
CKG57KX7R1E476M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CKG57KX7R1E476M335JJ - Product Image 4
CKG57KX7R1E476M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CKG57KX7R1E476M335JJ - Product Image 5
CKG57KX7R1E476M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CKG57KX7R1E476M335JJ - Product Image 6

CKG57KX7R1E476M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CKG57KX7R1E476M335JJ

฿16.36-65.42
MOQ: 1
C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 1
C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 2
C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 3
C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 4
C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 5
C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 6

C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3225X5R1H106K250AB

฿16.36-65.42
MOQ: 1
C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 1
C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 2
C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 3
C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 4
C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 5
C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 6

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB

฿16.36-65.42
MOQ: 1
CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 1
CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 2
CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 3
CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 4
CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 5
CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 6

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH

฿16.36-65.42
MOQ: 1
C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 1
C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 2
C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 3
C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 4
C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 5
C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 6

C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC

฿16.36-65.42
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

8013545 565 583www 554294fifty five899635 hd70 560 555575 555 365 658640 5