All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

105

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRM31CD80G476ME19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 47 F ± 4Vdc 20% X6T 105 47uF GRM31CD80G476ME19 - Product Image 1
GRM31CD80G476ME19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 47 F ± 4Vdc 20% X6T 105 47uF GRM31CD80G476ME19 - Product Image 2
GRM31CD80G476ME19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 47 F ± 4Vdc 20% X6T 105 47uF GRM31CD80G476ME19 - Product Image 3
GRM31CD80G476ME19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 47 F ± 4Vdc 20% X6T 105 47uF GRM31CD80G476ME19 - Product Image 4
GRM31CD80G476ME19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 47 F ± 4Vdc 20% X6T 105 47uF GRM31CD80G476ME19 - Product Image 5
GRM31CD80G476ME19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 47 F ± 4Vdc 20% X6T 105 47uF GRM31CD80G476ME19 - Product Image 6

GRM31CD80G476ME19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 47 F ± 4Vdc 20% X6T 105 47uF GRM31CD80G476ME19

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
CL31X476KQH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 47uF 6.3Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X476KQH1IN - Product Image 1
CL31X476KQH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 47uF 6.3Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X476KQH1IN - Product Image 2
CL31X476KQH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 47uF 6.3Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X476KQH1IN - Product Image 3
CL31X476KQH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 47uF 6.3Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X476KQH1IN - Product Image 4
CL31X476KQH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 47uF 6.3Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X476KQH1IN - Product Image 5
CL31X476KQH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 47uF 6.3Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X476KQH1IN - Product Image 6

CL31X476KQH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 47uF 6.3Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X476KQH1IN

฿6.77-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
CL21X226MOY1IN (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น 0805 2012 22uF 16Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200) CL21X226MOY1IN - Product Image 1
CL21X226MOY1IN (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น 0805 2012 22uF 16Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200) CL21X226MOY1IN - Product Image 2
CL21X226MOY1IN (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น 0805 2012 22uF 16Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200) CL21X226MOY1IN - Product Image 3
CL21X226MOY1IN (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น 0805 2012 22uF 16Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200) CL21X226MOY1IN - Product Image 4
CL21X226MOY1IN (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น 0805 2012 22uF 16Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200) CL21X226MOY1IN - Product Image 5
CL21X226MOY1IN (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น 0805 2012 22uF 16Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200) CL21X226MOY1IN - Product Image 6

CL21X226MOY1IN (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น 0805 2012 22uF 16Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200) CL21X226MOY1IN

฿6.77-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
CL21X226MRYNNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 4Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MRYNNN - Product Image 1
CL21X226MRYNNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 4Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MRYNNN - Product Image 2
CL21X226MRYNNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 4Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MRYNNN - Product Image 3
CL21X226MRYNNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 4Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MRYNNN - Product Image 4
CL21X226MRYNNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 4Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MRYNNN - Product Image 5
CL21X226MRYNNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 4Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MRYNNN - Product Image 6

CL21X226MRYNNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 4Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MRYNNN

฿6.77-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
GRM188C81A106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM188C81A106KA73 10uF - Product Image 1
GRM188C81A106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM188C81A106KA73 10uF - Product Image 2
GRM188C81A106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM188C81A106KA73 10uF - Product Image 3
GRM188C81A106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM188C81A106KA73 10uF - Product Image 4
GRM188C81A106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM188C81A106KA73 10uF - Product Image 5
GRM188C81A106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM188C81A106KA73 10uF - Product Image 6

GRM188C81A106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM188C81A106KA73 10uF

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
CL05X226MS6NUW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0402 1005 22UF ± 2.5Vdc 20% X6S 105 ) CL05X226MS6NUW - Product Image 1
CL05X226MS6NUW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0402 1005 22UF ± 2.5Vdc 20% X6S 105 ) CL05X226MS6NUW - Product Image 2
CL05X226MS6NUW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0402 1005 22UF ± 2.5Vdc 20% X6S 105 ) CL05X226MS6NUW - Product Image 3
CL05X226MS6NUW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0402 1005 22UF ± 2.5Vdc 20% X6S 105 ) CL05X226MS6NUW - Product Image 4
CL05X226MS6NUW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0402 1005 22UF ± 2.5Vdc 20% X6S 105 ) CL05X226MS6NUW - Product Image 5
CL05X226MS6NUW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0402 1005 22UF ± 2.5Vdc 20% X6S 105 ) CL05X226MS6NUW - Product Image 6

CL05X226MS6NUW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0402 1005 22UF ± 2.5Vdc 20% X6S 105 ) CL05X226MS6NUW

฿6.77-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
100% New & Genuine AD9628BCPZ-105 LFCSP-64 Integrated Circuit Chips Wholesale Order One-stop Purchasing of Electronic - Product Image 1
100% New & Genuine AD9628BCPZ-105 LFCSP-64 Integrated Circuit Chips Wholesale Order One-stop Purchasing of Electronic - Product Image 2
100% New & Genuine AD9628BCPZ-105 LFCSP-64 Integrated Circuit Chips Wholesale Order One-stop Purchasing of Electronic - Product Image 3
100% New & Genuine AD9628BCPZ-105 LFCSP-64 Integrated Circuit Chips Wholesale Order One-stop Purchasing of Electronic - Product Image 4
100% New & Genuine AD9628BCPZ-105 LFCSP-64 Integrated Circuit Chips Wholesale Order One-stop Purchasing of Electronic - Product Image 5
100% New & Genuine AD9628BCPZ-105 LFCSP-64 Integrated Circuit Chips Wholesale Order One-stop Purchasing of Electronic - Product Image 6

100% New & Genuine AD9628BCPZ-105 LFCSP-64 Integrated Circuit Chips Wholesale Order One-stop Purchasing of Electronic

฿6.80-20.91
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.8/5.0(12)
GRM21BC8YA106ME11ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0805 10 F 35Vdc ± 20% X6S 105 10uF GRM21BC8YA106ME11 - Product Image 1
GRM21BC8YA106ME11ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0805 10 F 35Vdc ± 20% X6S 105 10uF GRM21BC8YA106ME11 - Product Image 2
GRM21BC8YA106ME11ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0805 10 F 35Vdc ± 20% X6S 105 10uF GRM21BC8YA106ME11 - Product Image 3
GRM21BC8YA106ME11ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0805 10 F 35Vdc ± 20% X6S 105 10uF GRM21BC8YA106ME11 - Product Image 4
GRM21BC8YA106ME11ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0805 10 F 35Vdc ± 20% X6S 105 10uF GRM21BC8YA106ME11 - Product Image 5
GRM21BC8YA106ME11ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0805 10 F 35Vdc ± 20% X6S 105 10uF GRM21BC8YA106ME11 - Product Image 6

GRM21BC8YA106ME11ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0805 10 F 35Vdc ± 20% X6S 105 10uF GRM21BC8YA106ME11

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

10215716783275178715111140118197173209160111111168171164725995