All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

105

(มีสินค้า 999+ รายการ)

C3216X6S0G107M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 100 F 4V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3216X6S0G107M160AC - Product Image 1
C3216X6S0G107M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 100 F 4V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3216X6S0G107M160AC - Product Image 2
C3216X6S0G107M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 100 F 4V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3216X6S0G107M160AC - Product Image 3
C3216X6S0G107M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 100 F 4V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3216X6S0G107M160AC - Product Image 4
C3216X6S0G107M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 100 F 4V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3216X6S0G107M160AC - Product Image 5
C3216X6S0G107M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 100 F 4V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3216X6S0G107M160AC - Product Image 6

C3216X6S0G107M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 100 F 4V ± X6S 20%-55ถึง105 C 100uF C3216X6S0G107M160AC

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
CL31X226KOHN3W (สวัสดีชิปความจุสูง MLCC 1206 3216 22UF ± 16Vdc 10% X6S 105 ) CL31X226KOHN3W - Product Image 1
CL31X226KOHN3W (สวัสดีชิปความจุสูง MLCC 1206 3216 22UF ± 16Vdc 10% X6S 105 ) CL31X226KOHN3W - Product Image 2
CL31X226KOHN3W (สวัสดีชิปความจุสูง MLCC 1206 3216 22UF ± 16Vdc 10% X6S 105 ) CL31X226KOHN3W - Product Image 3
CL31X226KOHN3W (สวัสดีชิปความจุสูง MLCC 1206 3216 22UF ± 16Vdc 10% X6S 105 ) CL31X226KOHN3W - Product Image 4
CL31X226KOHN3W (สวัสดีชิปความจุสูง MLCC 1206 3216 22UF ± 16Vdc 10% X6S 105 ) CL31X226KOHN3W - Product Image 5
CL31X226KOHN3W (สวัสดีชิปความจุสูง MLCC 1206 3216 22UF ± 16Vdc 10% X6S 105 ) CL31X226KOHN3W - Product Image 6

CL31X226KOHN3W (สวัสดีชิปความจุสูง MLCC 1206 3216 22UF ± 16Vdc 10% X6S 105 ) CL31X226KOHN3W

฿6.77-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
CL21X106KPYNNW (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPYNNW - Product Image 1
CL21X106KPYNNW (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPYNNW - Product Image 2
CL21X106KPYNNW (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPYNNW - Product Image 3
CL21X106KPYNNW (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPYNNW - Product Image 4
CL21X106KPYNNW (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPYNNW - Product Image 5
CL21X106KPYNNW (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPYNNW - Product Image 6

CL21X106KPYNNW (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPYNNW

฿6.77-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
CL10X226MQEURN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ Hello chip ขนาด 0603 1608 ความจุ 22uF แรงดัน 6.3Vdc ±20% รุ่น X6S 105) CL10X226MQEURN - Product Image 1
CL10X226MQEURN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ Hello chip ขนาด 0603 1608 ความจุ 22uF แรงดัน 6.3Vdc ±20% รุ่น X6S 105) CL10X226MQEURN - Product Image 2
CL10X226MQEURN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ Hello chip ขนาด 0603 1608 ความจุ 22uF แรงดัน 6.3Vdc ±20% รุ่น X6S 105) CL10X226MQEURN - Product Image 3
CL10X226MQEURN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ Hello chip ขนาด 0603 1608 ความจุ 22uF แรงดัน 6.3Vdc ±20% รุ่น X6S 105) CL10X226MQEURN - Product Image 4
CL10X226MQEURN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ Hello chip ขนาด 0603 1608 ความจุ 22uF แรงดัน 6.3Vdc ±20% รุ่น X6S 105) CL10X226MQEURN - Product Image 5
CL10X226MQEURN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ Hello chip ขนาด 0603 1608 ความจุ 22uF แรงดัน 6.3Vdc ±20% รุ่น X6S 105) CL10X226MQEURN - Product Image 6

CL10X226MQEURN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ Hello chip ขนาด 0603 1608 ความจุ 22uF แรงดัน 6.3Vdc ±20% รุ่น X6S 105) CL10X226MQEURN

฿6.77-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
CL21X106KOQNNW (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X6S 105) CL21X106KOQNNW - Product Image 1
CL21X106KOQNNW (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X6S 105) CL21X106KOQNNW - Product Image 2
CL21X106KOQNNW (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X6S 105) CL21X106KOQNNW - Product Image 3
CL21X106KOQNNW (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X6S 105) CL21X106KOQNNW - Product Image 4
CL21X106KOQNNW (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X6S 105) CL21X106KOQNNW - Product Image 5
CL21X106KOQNNW (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X6S 105) CL21X106KOQNNW - Product Image 6

CL21X106KOQNNW (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X6S 105) CL21X106KOQNNW

฿6.77-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
ZRB18AC80G226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF ZRB18AC80G226ME01 - Product Image 1
ZRB18AC80G226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF ZRB18AC80G226ME01 - Product Image 2
ZRB18AC80G226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF ZRB18AC80G226ME01 - Product Image 3
ZRB18AC80G226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF ZRB18AC80G226ME01 - Product Image 4
ZRB18AC80G226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF ZRB18AC80G226ME01 - Product Image 5
ZRB18AC80G226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF ZRB18AC80G226ME01 - Product Image 6

ZRB18AC80G226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF ZRB18AC80G226ME01

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
GRM31CC81E226KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 10% X6S 105 22uF GRM31CC81E226KE11 - Product Image 1
GRM31CC81E226KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 10% X6S 105 22uF GRM31CC81E226KE11 - Product Image 2
GRM31CC81E226KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 10% X6S 105 22uF GRM31CC81E226KE11 - Product Image 3
GRM31CC81E226KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 10% X6S 105 22uF GRM31CC81E226KE11 - Product Image 4
GRM31CC81E226KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 10% X6S 105 22uF GRM31CC81E226KE11 - Product Image 5
GRM31CC81E226KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 10% X6S 105 22uF GRM31CC81E226KE11 - Product Image 6

GRM31CC81E226KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 10% X6S 105 22uF GRM31CC81E226KE11

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
C3216X6S1C226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F 16V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1C226M160AC - Product Image 1
C3216X6S1C226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F 16V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1C226M160AC - Product Image 2
C3216X6S1C226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F 16V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1C226M160AC - Product Image 3
C3216X6S1C226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F 16V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1C226M160AC - Product Image 4
C3216X6S1C226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F 16V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1C226M160AC - Product Image 5
C3216X6S1C226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F 16V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1C226M160AC - Product Image 6

C3216X6S1C226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F 16V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1C226M160AC

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

10215716783275178715111140118197173209160111111168171164725995