All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

X2

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุนิรภัย SMQP332K275C2-1B1015 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 3.3nF 10% 275V X2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย SMQP332K275C2-1B1015 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 3.3nF 10% 275V X2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย SMQP332K275C2-1B1015 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 3.3nF 10% 275V X2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย SMQP332K275C2-1B1015 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 3.3nF 10% 275V X2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย SMQP332K275C2-1B1015 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 3.3nF 10% 275V X2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย SMQP332K275C2-1B1015 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 3.3nF 10% 275V X2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย SMQP332K275C2-1B1015 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 3.3nF 10% 275V X2

฿0.9923-4.30
MOQ: 10
ทรานซิสเตอร์ฟิลด์ทรานซิสเตอร์ X2-DFN1006-3 DMP31D0UFB4-7B (Mosfet) แบบดั้งเดิม-ใหม่ - Product Image 1
ทรานซิสเตอร์ฟิลด์ทรานซิสเตอร์ X2-DFN1006-3 DMP31D0UFB4-7B (Mosfet) แบบดั้งเดิม-ใหม่ - Product Image 2
ทรานซิสเตอร์ฟิลด์ทรานซิสเตอร์ X2-DFN1006-3 DMP31D0UFB4-7B (Mosfet) แบบดั้งเดิม-ใหม่ - Product Image 3
ทรานซิสเตอร์ฟิลด์ทรานซิสเตอร์ X2-DFN1006-3 DMP31D0UFB4-7B (Mosfet) แบบดั้งเดิม-ใหม่ - Product Image 4
ทรานซิสเตอร์ฟิลด์ทรานซิสเตอร์ X2-DFN1006-3 DMP31D0UFB4-7B (Mosfet) แบบดั้งเดิม-ใหม่ - Product Image 5
ทรานซิสเตอร์ฟิลด์ทรานซิสเตอร์ X2-DFN1006-3 DMP31D0UFB4-7B (Mosfet) แบบดั้งเดิม-ใหม่ - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ฟิลด์ทรานซิสเตอร์ X2-DFN1006-3 DMP31D0UFB4-7B (Mosfet) แบบดั้งเดิม-ใหม่

฿2.32-9.93
MOQ: 5
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย SMQP473K275C2-1B10150ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 47nF X2 10% 275V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย SMQP473K275C2-1B10150ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 47nF X2 10% 275V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย SMQP473K275C2-1B10150ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 47nF X2 10% 275V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย SMQP473K275C2-1B10150ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 47nF X2 10% 275V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย SMQP473K275C2-1B10150ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 47nF X2 10% 275V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย SMQP473K275C2-1B10150ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 47nF X2 10% 275V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย SMQP473K275C2-1B10150ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10มม. 47nF X2 10% 275V

฿0.6615-2.32
MOQ: 10
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย F863FL225K310ALW0L ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. ความจุ 2.2uF 10% แรงดัน 310V X2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย F863FL225K310ALW0L ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. ความจุ 2.2uF 10% แรงดัน 310V X2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย F863FL225K310ALW0L ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. ความจุ 2.2uF 10% แรงดัน 310V X2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย F863FL225K310ALW0L ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. ความจุ 2.2uF 10% แรงดัน 310V X2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย F863FL225K310ALW0L ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. ความจุ 2.2uF 10% แรงดัน 310V X2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย F863FL225K310ALW0L ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. ความจุ 2.2uF 10% แรงดัน 310V X2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย F863FL225K310ALW0L ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. ความจุ 2.2uF 10% แรงดัน 310V X2

฿37.71-137.60
MOQ: 1
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง KQ2H06-00-X2และราคาดี - Product Image 1
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง KQ2H06-00-X2และราคาดี - Product Image 2
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง KQ2H06-00-X2และราคาดี - Product Image 3
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง KQ2H06-00-X2และราคาดี - Product Image 4
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง KQ2H06-00-X2และราคาดี - Product Image 5
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง KQ2H06-00-X2และราคาดี - Product Image 6

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง KQ2H06-00-X2และราคาดี

฿330.42-2,976.41
MOQ: 10
ช่องผู้ผลิต4 xdfn แผ่นสัมผัส AP7353D-28FS4-7 LDO CMOS LowCurr X2 DFN1010 4 (T การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 1
ช่องผู้ผลิต4 xdfn แผ่นสัมผัส AP7353D-28FS4-7 LDO CMOS LowCurr X2 DFN1010 4 (T การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 2
ช่องผู้ผลิต4 xdfn แผ่นสัมผัส AP7353D-28FS4-7 LDO CMOS LowCurr X2 DFN1010 4 (T การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 3
ช่องผู้ผลิต4 xdfn แผ่นสัมผัส AP7353D-28FS4-7 LDO CMOS LowCurr X2 DFN1010 4 (T การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 4
ช่องผู้ผลิต4 xdfn แผ่นสัมผัส AP7353D-28FS4-7 LDO CMOS LowCurr X2 DFN1010 4 (T การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 5
ช่องผู้ผลิต4 xdfn แผ่นสัมผัส AP7353D-28FS4-7 LDO CMOS LowCurr X2 DFN1010 4 (T การจัดการพลังงาน (PMIC) - Product Image 6

ช่องผู้ผลิต4 xdfn แผ่นสัมผัส AP7353D-28FS4-7 LDO CMOS LowCurr X2 DFN1010 4 (T การจัดการพลังงาน (PMIC)

฿2.32-11.25
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย C4BQ2225M9SC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 2.2uF 20% 305V X2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย C4BQ2225M9SC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 2.2uF 20% 305V X2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย C4BQ2225M9SC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 2.2uF 20% 305V X2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย C4BQ2225M9SC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 2.2uF 20% 305V X2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย C4BQ2225M9SC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 2.2uF 20% 305V X2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย C4BQ2225M9SC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 2.2uF 20% 305V X2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย C4BQ2225M9SC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 2.2uF 20% 305V X2

฿23.49-88.31
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด X2P2225KV1B0320220130ES0 ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 2.2uF 10% 275V X2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด X2P2225KV1B0320220130ES0 ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 2.2uF 10% 275V X2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด X2P2225KV1B0320220130ES0 ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 2.2uF 10% 275V X2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด X2P2225KV1B0320220130ES0 ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 2.2uF 10% 275V X2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด X2P2225KV1B0320220130ES0 ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 2.2uF 10% 275V X2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด X2P2225KV1B0320220130ES0 ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 2.2uF 10% 275V X2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด X2P2225KV1B0320220130ES0 ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 2.2uF 10% 275V X2

฿10.26-40.03
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

x2 carbonme22tv2gx2z2b21 2os2 2q2key one 2line2yt2x 1 24 22g22 fu2pp2 d2.2