All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2B3KY221KN3AM02F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 220pF 10% 250V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2B3KY221KN3AM02F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 220pF 10% 250V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2B3KY221KN3AM02F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 220pF 10% 250V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2B3KY221KN3AM02F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 220pF 10% 250V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2B3KY221KN3AM02F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 220pF 10% 250V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2B3KY221KN3AM02F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 220pF 10% 250V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2B3KY221KN3AM02F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 220pF 10% 250V X1, Y2

฿1.65-6.24
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2103M63Y5US6TV7 ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2103M63Y5US6TV7 ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2103M63Y5US6TV7 ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2103M63Y5US6TV7 ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2103M63Y5US6TV7 ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2103M63Y5US6TV7 ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2103M63Y5US6TV7 ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 440V X1, Y2

฿7.89-30.55
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มระงับสัญญาณรบกวนประสิทธิภาพสูงระดับ X1 สำหรับหมวดหมู่ตัวเก็บประจุ - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มระงับสัญญาณรบกวนประสิทธิภาพสูงระดับ X1 สำหรับหมวดหมู่ตัวเก็บประจุ - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มระงับสัญญาณรบกวนประสิทธิภาพสูงระดับ X1 สำหรับหมวดหมู่ตัวเก็บประจุ - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มระงับสัญญาณรบกวนประสิทธิภาพสูงระดับ X1 สำหรับหมวดหมู่ตัวเก็บประจุ - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มระงับสัญญาณรบกวนประสิทธิภาพสูงระดับ X1 สำหรับหมวดหมู่ตัวเก็บประจุ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มระงับสัญญาณรบกวนประสิทธิภาพสูงระดับ X1 สำหรับหมวดหมู่ตัวเก็บประจุ

฿2.63
MOQ: 1
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D1213A-01LP-7B ESD ดั้งเดิมและใหม่ล่าสุดป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 1
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D1213A-01LP-7B ESD ดั้งเดิมและใหม่ล่าสุดป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 2
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D1213A-01LP-7B ESD ดั้งเดิมและใหม่ล่าสุดป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 3
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D1213A-01LP-7B ESD ดั้งเดิมและใหม่ล่าสุดป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 4
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D1213A-01LP-7B ESD ดั้งเดิมและใหม่ล่าสุดป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 5
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D1213A-01LP-7B ESD ดั้งเดิมและใหม่ล่าสุดป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D1213A-01LP-7B ESD ดั้งเดิมและใหม่ล่าสุดป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD)

฿1.65-7.56
MOQ: 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2472M49Y5US6TV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2472M49Y5US6TV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2472M49Y5US6TV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2472M49Y5US6TV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2472M49Y5US6TV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2472M49Y5US6TV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2472M49Y5US6TV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2

฿4.93-19.38
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย VY2472M49Y5US6TV7ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5mm 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย VY2472M49Y5US6TV7ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5mm 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย VY2472M49Y5US6TV7ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5mm 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย VY2472M49Y5US6TV7ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5mm 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย VY2472M49Y5US6TV7ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5mm 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย VY2472M49Y5US6TV7ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5mm 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย VY2472M49Y5US6TV7ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5mm 4.7nF 20% 440V X1, Y2

฿4.93-19.38
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย R474F210050A1K แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 10% 440V X1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย R474F210050A1K แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 10% 440V X1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย R474F210050A1K แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 10% 440V X1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย R474F210050A1K แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 10% 440V X1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย R474F210050A1K แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 10% 440V X1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย R474F210050A1K แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 10% 440V X1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย R474F210050A1K แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 10% 440V X1

฿7.89-30.88
MOQ: 1
AP7368D-15RS4-7 LDO CMOS HiCurr X1-DFN1612-8 T & R ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 1
AP7368D-15RS4-7 LDO CMOS HiCurr X1-DFN1612-8 T & R ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 2
AP7368D-15RS4-7 LDO CMOS HiCurr X1-DFN1612-8 T & R ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 3
AP7368D-15RS4-7 LDO CMOS HiCurr X1-DFN1612-8 T & R ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 4
AP7368D-15RS4-7 LDO CMOS HiCurr X1-DFN1612-8 T & R ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 5
AP7368D-15RS4-7 LDO CMOS HiCurr X1-DFN1612-8 T & R ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 6

AP7368D-15RS4-7 LDO CMOS HiCurr X1-DFN1612-8 T & R ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก

฿3.29-16.43
MOQ: 100

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1m1x2d1x5ix 1x 4 11px4b1super1x3fuji x 1xonexm2only 1xt2x 3 1x trail 11j