All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2101K29Y5SS6UV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 440V X1, Y2 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2101K29Y5SS6UV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 440V X1, Y2 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2101K29Y5SS6UV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 440V X1, Y2 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2101K29Y5SS6UV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 440V X1, Y2 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2101K29Y5SS6UV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 440V X1, Y2 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2101K29Y5SS6UV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2101K29Y5SS6UV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 440V X1, Y2

฿3.63-14.51

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2472M49Y5US6UV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 20% แรงดัน 440V X1, Y2 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2472M49Y5US6UV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 20% แรงดัน 440V X1, Y2 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2472M49Y5US6UV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 20% แรงดัน 440V X1, Y2 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2472M49Y5US6UV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 20% แรงดัน 440V X1, Y2 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2472M49Y5US6UV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 20% แรงดัน 440V X1, Y2 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2472M49Y5US6UV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 20% แรงดัน 440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย VY2472M49Y5US6UV7 ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 20% แรงดัน 440V X1, Y2

฿6.60-26.05

MOQ: 5

AP7353-285CV4-7 LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& วงจรรวมไอซีชิป ผู้ผลิตชิปจัดการพลังงาน (PMIC) ช่องสัญญาณ 4 XFBG - Product Image 1

AP7353-285CV4-7 LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& วงจรรวมไอซีชิป ผู้ผลิตชิปจัดการพลังงาน (PMIC) ช่องสัญญาณ 4 XFBG - Product Image 2

AP7353-285CV4-7 LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& วงจรรวมไอซีชิป ผู้ผลิตชิปจัดการพลังงาน (PMIC) ช่องสัญญาณ 4 XFBG - Product Image 3

AP7353-285CV4-7 LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& วงจรรวมไอซีชิป ผู้ผลิตชิปจัดการพลังงาน (PMIC) ช่องสัญญาณ 4 XFBG - Product Image 4

AP7353-285CV4-7 LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& วงจรรวมไอซีชิป ผู้ผลิตชิปจัดการพลังงาน (PMIC) ช่องสัญญาณ 4 XFBG - Product Image 5

AP7353-285CV4-7 LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& วงจรรวมไอซีชิป ผู้ผลิตชิปจัดการพลังงาน (PMIC) ช่องสัญญาณ 4 XFBG - Product Image 6

AP7353-285CV4-7 LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& วงจรรวมไอซีชิป ผู้ผลิตชิปจัดการพลังงาน (PMIC) ช่องสัญญาณ 4 XFBG

฿1.32-2.64

MOQ: 3

74AVC1T45FW5-7 IC xltr VL Bidir ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม X1-DFN1010-6 - Product Image 1

74AVC1T45FW5-7 IC xltr VL Bidir ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม X1-DFN1010-6 - Product Image 2

74AVC1T45FW5-7 IC xltr VL Bidir ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม X1-DFN1010-6 - Product Image 3

74AVC1T45FW5-7 IC xltr VL Bidir ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม X1-DFN1010-6 - Product Image 4

74AVC1T45FW5-7 IC xltr VL Bidir ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม X1-DFN1010-6 - Product Image 5

74AVC1T45FW5-7 IC xltr VL Bidir ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม X1-DFN1010-6 - Product Image 6

74AVC1T45FW5-7 IC xltr VL Bidir ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม X1-DFN1010-6

฿32.98-65.95

MOQ: 10

หน้าจอบางเฉียบ 12.3 นิ้ว ความละเอียด 2400*900HD ชิปประมวลผล Qualcomm 6115 ระบบปฏิบัติการ Android 14 เครื่องเล่นมัลติมีเดียในรถยนต์ สำหรับ BMW X1 F48 ปี 2016-2017 ระบบ NBT - Product Image 1

หน้าจอบางเฉียบ 12.3 นิ้ว ความละเอียด 2400*900HD ชิปประมวลผล Qualcomm 6115 ระบบปฏิบัติการ Android 14 เครื่องเล่นมัลติมีเดียในรถยนต์ สำหรับ BMW X1 F48 ปี 2016-2017 ระบบ NBT - Product Image 2

หน้าจอบางเฉียบ 12.3 นิ้ว ความละเอียด 2400*900HD ชิปประมวลผล Qualcomm 6115 ระบบปฏิบัติการ Android 14 เครื่องเล่นมัลติมีเดียในรถยนต์ สำหรับ BMW X1 F48 ปี 2016-2017 ระบบ NBT - Product Image 3

หน้าจอบางเฉียบ 12.3 นิ้ว ความละเอียด 2400*900HD ชิปประมวลผล Qualcomm 6115 ระบบปฏิบัติการ Android 14 เครื่องเล่นมัลติมีเดียในรถยนต์ สำหรับ BMW X1 F48 ปี 2016-2017 ระบบ NBT - Product Image 4

หน้าจอบางเฉียบ 12.3 นิ้ว ความละเอียด 2400*900HD ชิปประมวลผล Qualcomm 6115 ระบบปฏิบัติการ Android 14 เครื่องเล่นมัลติมีเดียในรถยนต์ สำหรับ BMW X1 F48 ปี 2016-2017 ระบบ NBT - Product Image 5

หน้าจอบางเฉียบ 12.3 นิ้ว ความละเอียด 2400*900HD ชิปประมวลผล Qualcomm 6115 ระบบปฏิบัติการ Android 14 เครื่องเล่นมัลติมีเดียในรถยนต์ สำหรับ BMW X1 F48 ปี 2016-2017 ระบบ NBT - Product Image 6

หน้าจอบางเฉียบ 12.3 นิ้ว ความละเอียด 2400*900HD ชิปประมวลผล Qualcomm 6115 ระบบปฏิบัติการ Android 14 เครื่องเล่นมัลติมีเดียในรถยนต์ สำหรับ BMW X1 F48 ปี 2016-2017 ระบบ NBT

฿8,737.86-8,902.72

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF152M30Y5UG6BL0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF152M30Y5UG6BL0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF152M30Y5UG6BL0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF152M30Y5UG6BL0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF152M30Y5UG6BL0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF152M30Y5UG6BL0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF152M30Y5UG6BL0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V/400V X1, Y1

฿1.32-4.62

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1102M35Y5UG63V0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1nF 20% 760V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1102M35Y5UG63V0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1nF 20% 760V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1102M35Y5UG63V0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1nF 20% 760V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1102M35Y5UG63V0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1nF 20% 760V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1102M35Y5UG63V0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1nF 20% 760V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1102M35Y5UG63V0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1nF 20% 760V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1102M35Y5UG63V0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1nF 20% 760V X1, Y1

฿3.96-15.50

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย 440LT22-R แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=9.5 มม. 220pF 10% 760V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุนิรภัย 440LT22-R แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=9.5 มม. 220pF 10% 760V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุนิรภัย 440LT22-R แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=9.5 มม. 220pF 10% 760V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุนิรภัย 440LT22-R แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=9.5 มม. 220pF 10% 760V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุนิรภัย 440LT22-R แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=9.5 มม. 220pF 10% 760V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย 440LT22-R แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=9.5 มม. 220pF 10% 760V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย 440LT22-R แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=9.5 มม. 220pF 10% 760V X1, Y1

฿26.38-99.91

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1 m1 x2 d1 x5 ix 1 x 4 1 1p x4 b1 super1 x3 fuji x 1 xone xm2 only 1 xt2 x 3 1 x trail 1 1j