All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2152M31Y5US6UV7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1.5nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2152M31Y5US6UV7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1.5nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2152M31Y5US6UV7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1.5nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2152M31Y5US6UV7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1.5nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2152M31Y5US6UV7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1.5nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2152M31Y5US6UV7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1.5nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2152M31Y5US6UV7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1.5nF 20% 440V X1, Y2

฿5.91-23.31
MOQ: 5
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSS8-8-FHG-D-1Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 1
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSS8-8-FHG-D-1Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 2
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSS8-8-FHG-D-1Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 3
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSS8-8-FHG-D-1Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 4
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSS8-8-FHG-D-1Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 5
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSS8-8-FHG-D-1Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 6

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSS8-8-FHG-D-1Z-V1-X1, ราคาดี

฿327.98-2,954.42
MOQ: 10
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I104K44LEXLX ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 100nF 10% 440V X1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I104K44LEXLX ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 100nF 10% 440V X1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I104K44LEXLX ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 100nF 10% 440V X1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I104K44LEXLX ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 100nF 10% 440V X1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I104K44LEXLX ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 100nF 10% 440V X1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I104K44LEXLX ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 100nF 10% 440V X1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I104K44LEXLX ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 100nF 10% 440V X1

฿2.30-8.87
MOQ: 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย CS11-E2GA222MYNSA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 2.2nF 20% 250V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย CS11-E2GA222MYNSA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 2.2nF 20% 250V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย CS11-E2GA222MYNSA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 2.2nF 20% 250V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย CS11-E2GA222MYNSA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 2.2nF 20% 250V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย CS11-E2GA222MYNSA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 2.2nF 20% 250V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย CS11-E2GA222MYNSA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 2.2nF 20% 250V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย CS11-E2GA222MYNSA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 2.2nF 20% 250V X1, Y2

฿0.985-4.27
MOQ: 10
4 XFBGA, WLBGA LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& AP7353-32CV4-7 ชิปจัดการพลังงาน (PMIC) อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ผู้ผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ C - Product Image 1
4 XFBGA, WLBGA LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& AP7353-32CV4-7 ชิปจัดการพลังงาน (PMIC) อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ผู้ผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ C - Product Image 2
4 XFBGA, WLBGA LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& AP7353-32CV4-7 ชิปจัดการพลังงาน (PMIC) อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ผู้ผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ C - Product Image 3
4 XFBGA, WLBGA LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& AP7353-32CV4-7 ชิปจัดการพลังงาน (PMIC) อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ผู้ผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ C - Product Image 4
4 XFBGA, WLBGA LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& AP7353-32CV4-7 ชิปจัดการพลังงาน (PMIC) อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ผู้ผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ C - Product Image 5
4 XFBGA, WLBGA LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& AP7353-32CV4-7 ชิปจัดการพลังงาน (PMIC) อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ผู้ผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ C - Product Image 6

4 XFBGA, WLBGA LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& AP7353-32CV4-7 ชิปจัดการพลังงาน (PMIC) อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ผู้ผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ C

฿1.32-2.63
MOQ: 3
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DCF102M26Y5VQ6BL7A0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5mm 1nF 20% 250V/400V X1 Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DCF102M26Y5VQ6BL7A0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5mm 1nF 20% 250V/400V X1 Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DCF102M26Y5VQ6BL7A0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5mm 1nF 20% 250V/400V X1 Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DCF102M26Y5VQ6BL7A0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5mm 1nF 20% 250V/400V X1 Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DCF102M26Y5VQ6BL7A0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5mm 1nF 20% 250V/400V X1 Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DCF102M26Y5VQ6BL7A0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5mm 1nF 20% 250V/400V X1 Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DCF102M26Y5VQ6BL7A0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5mm 1nF 20% 250V/400V X1 Y2

฿1.32-5.26
MOQ: 10
Stwei 2024 ID7 ID6ใหม่ ID8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 12.3นิ้วสำหรับ X1 E84รถยนต์การเล่นจีพีเอสอัตโนมัติ - Product Image 1
Stwei 2024 ID7 ID6ใหม่ ID8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 12.3นิ้วสำหรับ X1 E84รถยนต์การเล่นจีพีเอสอัตโนมัติ - Product Image 2
Stwei 2024 ID7 ID6ใหม่ ID8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 12.3นิ้วสำหรับ X1 E84รถยนต์การเล่นจีพีเอสอัตโนมัติ - Product Image 3
Stwei 2024 ID7 ID6ใหม่ ID8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 12.3นิ้วสำหรับ X1 E84รถยนต์การเล่นจีพีเอสอัตโนมัติ - Product Image 4
Stwei 2024 ID7 ID6ใหม่ ID8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 12.3นิ้วสำหรับ X1 E84รถยนต์การเล่นจีพีเอสอัตโนมัติ - Product Image 5
Stwei 2024 ID7 ID6ใหม่ ID8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 12.3นิ้วสำหรับ X1 E84รถยนต์การเล่นจีพีเอสอัตโนมัติ - Product Image 6

Stwei 2024 ID7 ID6ใหม่ ID8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 12.3นิ้วสำหรับ X1 E84รถยนต์การเล่นจีพีเอสอัตโนมัติ

฿8,629.50-10,974.58
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DCF102M26Y5UG60L0A0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 250V/400V X1 Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DCF102M26Y5UG60L0A0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 250V/400V X1 Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DCF102M26Y5UG60L0A0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 250V/400V X1 Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DCF102M26Y5UG60L0A0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 250V/400V X1 Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DCF102M26Y5UG60L0A0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 250V/400V X1 Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DCF102M26Y5UG60L0A0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 250V/400V X1 Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DCF102M26Y5UG60L0A0ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 250V/400V X1 Y1

฿0.985-4.27
MOQ: 10

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1m1x2d1x5ix 1x 4 11px4b1super1x3fuji x 1xonexm2only 1xt2x 3 1x trail 11j