All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2332M35Y5VS63V7 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2332M35Y5VS63V7 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2332M35Y5VS63V7 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2332M35Y5VS63V7 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2332M35Y5VS63V7 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2332M35Y5VS63V7 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2332M35Y5VS63V7 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2

฿4.97-19.85
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF221K24Y5PG5LL0A8 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 220pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF221K24Y5PG5LL0A8 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 220pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF221K24Y5PG5LL0A8 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 220pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF221K24Y5PG5LL0A8 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 220pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF221K24Y5PG5LL0A8 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 220pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF221K24Y5PG5LL0A8 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 220pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF221K24Y5PG5LL0A8 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 220pF 10% 250V/400V X1, Y1

฿0.9923-3.64
MOQ: 10
ชิปวงจรรวม X1-QFN2845-32 PI2DPT1021XEAEX เครื่องกำเนิดสัญญาณนาฬิกา/ความถี่ในการสังเคราะห์สัญญาณ/PLL - Product Image 1
ชิปวงจรรวม X1-QFN2845-32 PI2DPT1021XEAEX เครื่องกำเนิดสัญญาณนาฬิกา/ความถี่ในการสังเคราะห์สัญญาณ/PLL - Product Image 2
ชิปวงจรรวม X1-QFN2845-32 PI2DPT1021XEAEX เครื่องกำเนิดสัญญาณนาฬิกา/ความถี่ในการสังเคราะห์สัญญาณ/PLL - Product Image 3
ชิปวงจรรวม X1-QFN2845-32 PI2DPT1021XEAEX เครื่องกำเนิดสัญญาณนาฬิกา/ความถี่ในการสังเคราะห์สัญญาณ/PLL - Product Image 4
ชิปวงจรรวม X1-QFN2845-32 PI2DPT1021XEAEX เครื่องกำเนิดสัญญาณนาฬิกา/ความถี่ในการสังเคราะห์สัญญาณ/PLL - Product Image 5
ชิปวงจรรวม X1-QFN2845-32 PI2DPT1021XEAEX เครื่องกำเนิดสัญญาณนาฬิกา/ความถี่ในการสังเคราะห์สัญญาณ/PLL - Product Image 6

ชิปวงจรรวม X1-QFN2845-32 PI2DPT1021XEAEX เครื่องกำเนิดสัญญาณนาฬิกา/ความถี่ในการสังเคราะห์สัญญาณ/PLL

฿93.94-329.76
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K26Y5PG6JP0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K26Y5PG6JP0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K26Y5PG6JP0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K26Y5PG6JP0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K26Y5PG6JP0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K26Y5PG6JP0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K26Y5PG6JP0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1

฿0.9923-4.30
MOQ: 10
ชิปวงจรรวม8V N-CH DMN1054UCB4-7 2.7A X1-WLB0808-4ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 1
ชิปวงจรรวม8V N-CH DMN1054UCB4-7 2.7A X1-WLB0808-4ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 2
ชิปวงจรรวม8V N-CH DMN1054UCB4-7 2.7A X1-WLB0808-4ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 3
ชิปวงจรรวม8V N-CH DMN1054UCB4-7 2.7A X1-WLB0808-4ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 4
ชิปวงจรรวม8V N-CH DMN1054UCB4-7 2.7A X1-WLB0808-4ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 5
ชิปวงจรรวม8V N-CH DMN1054UCB4-7 2.7A X1-WLB0808-4ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 6

ชิปวงจรรวม8V N-CH DMN1054UCB4-7 2.7A X1-WLB0808-4ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก

฿6.62-33.08
MOQ: 10
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1222M37Y5VQ6UV0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1222M37Y5VQ6UV0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1222M37Y5VQ6UV0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1222M37Y5VQ6UV0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1222M37Y5VQ6UV0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1222M37Y5VQ6UV0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1222M37Y5VQ6UV0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1

฿4.64-18.53
MOQ: 5
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง ZXP7A01-ZP08UN-X1และราคาดี - Product Image 1
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง ZXP7A01-ZP08UN-X1และราคาดี - Product Image 2
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง ZXP7A01-ZP08UN-X1และราคาดี - Product Image 3
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง ZXP7A01-ZP08UN-X1และราคาดี - Product Image 4
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง ZXP7A01-ZP08UN-X1และราคาดี - Product Image 5
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง ZXP7A01-ZP08UN-X1และราคาดี - Product Image 6

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง ZXP7A01-ZP08UN-X1และราคาดี

฿330.42-2,976.41
MOQ: 10
ตัวเก็บประจุนิรภัย R413I21005000K แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 10nF 10% 300V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย R413I21005000K แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 10nF 10% 300V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย R413I21005000K แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 10nF 10% 300V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย R413I21005000K แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 10nF 10% 300V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย R413I21005000K แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 10nF 10% 300V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย R413I21005000K แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 10nF 10% 300V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย R413I21005000K แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 10nF 10% 300V X1, Y2

฿6.62-26.46
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1m1x2d1x5ix 1x 4 11px4b1super1x3fuji x 1xonexm2only 1xt2x 3 1x trail 11j