All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D15V0H1U2LP-7B ESD และการป้องกันไฟกระชากใหม่ล่าสุด (TVS/ESD) - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D15V0H1U2LP-7B ESD และการป้องกันไฟกระชากใหม่ล่าสุด (TVS/ESD) - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D15V0H1U2LP-7B ESD และการป้องกันไฟกระชากใหม่ล่าสุด (TVS/ESD) - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D15V0H1U2LP-7B ESD และการป้องกันไฟกระชากใหม่ล่าสุด (TVS/ESD) - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D15V0H1U2LP-7B ESD และการป้องกันไฟกระชากใหม่ล่าสุด (TVS/ESD) - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D15V0H1U2LP-7B ESD และการป้องกันไฟกระชากใหม่ล่าสุด (TVS/ESD) - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D15V0H1U2LP-7B ESD และการป้องกันไฟกระชากใหม่ล่าสุด (TVS/ESD)

฿2.30-8.87

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2332M35Y5VS63V7 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2332M35Y5VS63V7 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2332M35Y5VS63V7 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2332M35Y5VS63V7 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2332M35Y5VS63V7 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2332M35Y5VS63V7 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2332M35Y5VS63V7 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2

฿4.93-19.70

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF221K24Y5PG5LL0A8 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 220pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF221K24Y5PG5LL0A8 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 220pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF221K24Y5PG5LL0A8 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 220pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF221K24Y5PG5LL0A8 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 220pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF221K24Y5PG5LL0A8 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 220pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF221K24Y5PG5LL0A8 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 220pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF221K24Y5PG5LL0A8 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 220pF 10% 250V/400V X1, Y1

฿0.985-3.62

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K26Y5PG6JP0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K26Y5PG6JP0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K26Y5PG6JP0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K26Y5PG6JP0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K26Y5PG6JP0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K26Y5PG6JP0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K26Y5PG6JP0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1

฿0.985-4.27

MOQ: 10

ชิปวงจรรวม8V N-CH DMN1054UCB4-7 2.7A X1-WLB0808-4ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 1

ชิปวงจรรวม8V N-CH DMN1054UCB4-7 2.7A X1-WLB0808-4ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 2

ชิปวงจรรวม8V N-CH DMN1054UCB4-7 2.7A X1-WLB0808-4ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 3

ชิปวงจรรวม8V N-CH DMN1054UCB4-7 2.7A X1-WLB0808-4ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 4

ชิปวงจรรวม8V N-CH DMN1054UCB4-7 2.7A X1-WLB0808-4ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 5

ชิปวงจรรวม8V N-CH DMN1054UCB4-7 2.7A X1-WLB0808-4ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 6

ชิปวงจรรวม8V N-CH DMN1054UCB4-7 2.7A X1-WLB0808-4ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก

฿6.57-32.84

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1222M37Y5VQ6UV0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1222M37Y5VQ6UV0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1222M37Y5VQ6UV0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1222M37Y5VQ6UV0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1222M37Y5VQ6UV0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1222M37Y5VQ6UV0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1222M37Y5VQ6UV0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1

฿4.60-18.39

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิด Through Hole (THT) รุ่น DE2E3SA222MN3AX02F, ระยะขา P=7.5 มม., ความจุ 2.2nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 300V, รุ่น X1, Y2 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิด Through Hole (THT) รุ่น DE2E3SA222MN3AX02F, ระยะขา P=7.5 มม., ความจุ 2.2nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 300V, รุ่น X1, Y2 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิด Through Hole (THT) รุ่น DE2E3SA222MN3AX02F, ระยะขา P=7.5 มม., ความจุ 2.2nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 300V, รุ่น X1, Y2 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิด Through Hole (THT) รุ่น DE2E3SA222MN3AX02F, ระยะขา P=7.5 มม., ความจุ 2.2nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 300V, รุ่น X1, Y2 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิด Through Hole (THT) รุ่น DE2E3SA222MN3AX02F, ระยะขา P=7.5 มม., ความจุ 2.2nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 300V, รุ่น X1, Y2 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิด Through Hole (THT) รุ่น DE2E3SA222MN3AX02F, ระยะขา P=7.5 มม., ความจุ 2.2nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 300V, รุ่น X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิด Through Hole (THT) รุ่น DE2E3SA222MN3AX02F, ระยะขา P=7.5 มม., ความจุ 2.2nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 300V, รุ่น X1, Y2

฿1.97-7.88

MOQ: 5

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง ZXP7A01-ZP08UN-X1และราคาดี - Product Image 1

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง ZXP7A01-ZP08UN-X1และราคาดี - Product Image 2

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง ZXP7A01-ZP08UN-X1และราคาดี - Product Image 3

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง ZXP7A01-ZP08UN-X1และราคาดี - Product Image 4

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง ZXP7A01-ZP08UN-X1และราคาดี - Product Image 5

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง ZXP7A01-ZP08UN-X1และราคาดี - Product Image 6

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง ZXP7A01-ZP08UN-X1และราคาดี

฿327.98-2,954.42

MOQ: 10

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1 m1 x2 d1 x5 ix 1 x 4 1 1p x4 b1 super1 x3 fuji x 1 xone xm2 only 1 xt2 x 3 1 x trail 1 1j