All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

Electronic Circuit Components X1-DFN1006-3 DMP68D1LFB-7B Transistors Manufacturer Channel - Product Image 1
Electronic Circuit Components X1-DFN1006-3 DMP68D1LFB-7B Transistors Manufacturer Channel - Product Image 2
Electronic Circuit Components X1-DFN1006-3 DMP68D1LFB-7B Transistors Manufacturer Channel - Product Image 3
Electronic Circuit Components X1-DFN1006-3 DMP68D1LFB-7B Transistors Manufacturer Channel - Product Image 4
Electronic Circuit Components X1-DFN1006-3 DMP68D1LFB-7B Transistors Manufacturer Channel - Product Image 5
Electronic Circuit Components X1-DFN1006-3 DMP68D1LFB-7B Transistors Manufacturer Channel - Product Image 6

Electronic Circuit Components X1-DFN1006-3 DMP68D1LFB-7B Transistors Manufacturer Channel

฿0.9853-1.98
MOQ: 100
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2E3SA472MA3BT02F แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/250V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2E3SA472MA3BT02F แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/250V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2E3SA472MA3BT02F แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/250V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2E3SA472MA3BT02F แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/250V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2E3SA472MA3BT02F แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/250V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2E3SA472MA3BT02F แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/250V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2E3SA472MA3BT02F แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/250V X1, Y2

฿2.96-12.16
MOQ: 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331M26Y5UG6WL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331M26Y5UG6WL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331M26Y5UG6WL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331M26Y5UG6WL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331M26Y5UG6WL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331M26Y5UG6WL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331M26Y5UG6WL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 20% 250V/400V X1, Y1

฿0.9853-3.62
MOQ: 10
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331M26Y5UG6WL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331M26Y5UG6WL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331M26Y5UG6WL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331M26Y5UG6WL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331M26Y5UG6WL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331M26Y5UG6WL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331M26Y5UG6WL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 20% 250V/400V X1, Y1

฿0.9853-3.62
MOQ: 10
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE1E3RA222MN4AQ01F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE1E3RA222MN4AQ01F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE1E3RA222MN4AQ01F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE1E3RA222MN4AQ01F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE1E3RA222MN4AQ01F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE1E3RA222MN4AQ01F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE1E3RA222MN4AQ01F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 500V X1, Y1

฿6.24-24.96
MOQ: 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1101K31Y5SQ63V0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 100pF 10% 760V/500V X1, Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1101K31Y5SQ63V0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 100pF 10% 760V/500V X1, Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1101K31Y5SQ63V0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 100pF 10% 760V/500V X1, Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1101K31Y5SQ63V0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 100pF 10% 760V/500V X1, Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1101K31Y5SQ63V0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 100pF 10% 760V/500V X1, Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1101K31Y5SQ63V0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 100pF 10% 760V/500V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY1101K31Y5SQ63V0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 100pF 10% 760V/500V X1, Y1

฿3.95-16.10
MOQ: 5
เครื่องเล่นสเตอริโอรถยนต์12.3นิ้ว Snapdragon 668S 8G + 256G NBT มัลติมีเดียแอนดรอยด์13สำหรับ X1 BMW F48 2016-2017 GPS DSP ฟังก์ชั่น1ปี - Product Image 1
เครื่องเล่นสเตอริโอรถยนต์12.3นิ้ว Snapdragon 668S 8G + 256G NBT มัลติมีเดียแอนดรอยด์13สำหรับ X1 BMW F48 2016-2017 GPS DSP ฟังก์ชั่น1ปี - Product Image 2
เครื่องเล่นสเตอริโอรถยนต์12.3นิ้ว Snapdragon 668S 8G + 256G NBT มัลติมีเดียแอนดรอยด์13สำหรับ X1 BMW F48 2016-2017 GPS DSP ฟังก์ชั่น1ปี - Product Image 3
เครื่องเล่นสเตอริโอรถยนต์12.3นิ้ว Snapdragon 668S 8G + 256G NBT มัลติมีเดียแอนดรอยด์13สำหรับ X1 BMW F48 2016-2017 GPS DSP ฟังก์ชั่น1ปี - Product Image 4
เครื่องเล่นสเตอริโอรถยนต์12.3นิ้ว Snapdragon 668S 8G + 256G NBT มัลติมีเดียแอนดรอยด์13สำหรับ X1 BMW F48 2016-2017 GPS DSP ฟังก์ชั่น1ปี - Product Image 5
เครื่องเล่นสเตอริโอรถยนต์12.3นิ้ว Snapdragon 668S 8G + 256G NBT มัลติมีเดียแอนดรอยด์13สำหรับ X1 BMW F48 2016-2017 GPS DSP ฟังก์ชั่น1ปี - Product Image 6

เครื่องเล่นสเตอริโอรถยนต์12.3นิ้ว Snapdragon 668S 8G + 256G NBT มัลติมีเดียแอนดรอยด์13สำหรับ X1 BMW F48 2016-2017 GPS DSP ฟังก์ชั่น1ปี

฿16,420.34-16,584.55
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2E3KY472MB3BM02F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 250V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2E3KY472MB3BM02F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 250V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2E3KY472MB3BM02F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 250V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2E3KY472MB3BM02F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 250V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2E3KY472MB3BM02F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 250V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2E3KY472MB3BM02F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 250V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE2E3KY472MB3BM02F แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 250V X1, Y2

฿1.65-6.90
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1m1x2d1x5ix 1x 4 11px4b1super1x3fuji x 1xonexm2only 1xt2x 3 1x trail 11j