All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

โรซ่า มาเรีย สเปรย์ X1 68CM SA - Product Image 1

โรซ่า มาเรีย สเปรย์ X1 68CM SA

฿100.79

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD45-E2GA222M-VKA ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD45-E2GA222M-VKA ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD45-E2GA222M-VKA ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD45-E2GA222M-VKA ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD45-E2GA222M-VKA ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD45-E2GA222M-VKA ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD45-E2GA222M-VKA ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1

฿1.65-6.90

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย CD45-E2GA222M-VKA ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 2.2nF 20% 400V/440V X1 Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย CD45-E2GA222M-VKA ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 2.2nF 20% 400V/440V X1 Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย CD45-E2GA222M-VKA ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 2.2nF 20% 400V/440V X1 Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย CD45-E2GA222M-VKA ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 2.2nF 20% 400V/440V X1 Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย CD45-E2GA222M-VKA ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 2.2nF 20% 400V/440V X1 Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย CD45-E2GA222M-VKA ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 2.2nF 20% 400V/440V X1 Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย CD45-E2GA222M-VKA ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 2.2nF 20% 400V/440V X1 Y1

฿1.65-6.90

MOQ: 10

AP7368D-28RS4-7 LDO CMOS HiCurr X1-DFN1612-8 T & R ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 1

AP7368D-28RS4-7 LDO CMOS HiCurr X1-DFN1612-8 T & R ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 2

AP7368D-28RS4-7 LDO CMOS HiCurr X1-DFN1612-8 T & R ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 3

AP7368D-28RS4-7 LDO CMOS HiCurr X1-DFN1612-8 T & R ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 4

AP7368D-28RS4-7 LDO CMOS HiCurr X1-DFN1612-8 T & R ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 5

AP7368D-28RS4-7 LDO CMOS HiCurr X1-DFN1612-8 T & R ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก - Product Image 6

AP7368D-28RS4-7 LDO CMOS HiCurr X1-DFN1612-8 T & R ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิมมีในสต็อก

฿3.29-16.42

MOQ: 100

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1212-3 DMN2450UFD-7ใหม่ดั้งเดิม (MOsfet) - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1212-3 DMN2450UFD-7ใหม่ดั้งเดิม (MOsfet) - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1212-3 DMN2450UFD-7ใหม่ดั้งเดิม (MOsfet) - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1212-3 DMN2450UFD-7ใหม่ดั้งเดิม (MOsfet) - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1212-3 DMN2450UFD-7ใหม่ดั้งเดิม (MOsfet) - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1212-3 DMN2450UFD-7ใหม่ดั้งเดิม (MOsfet) - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1212-3 DMN2450UFD-7ใหม่ดั้งเดิม (MOsfet)

฿1.65-6.24

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD90ZU2GA222MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V รุ่น X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD90ZU2GA222MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V รุ่น X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD90ZU2GA222MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V รุ่น X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD90ZU2GA222MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V รุ่น X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD90ZU2GA222MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V รุ่น X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD90ZU2GA222MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V รุ่น X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD90ZU2GA222MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V รุ่น X1, Y1

฿1.65-6.24

MOQ: 10

Snapdragon 668S 8G + 256G ยูเอสบีวิทยุในรถแบบแยกหน้าจอเครื่องเล่นวิดีโอนำทาง GPS สำหรับรถยนต์ BMW X1/F49 X2/F39 EVO 2018แอนดรอยด์อัตโนมัติ - Product Image 1

Snapdragon 668S 8G + 256G ยูเอสบีวิทยุในรถแบบแยกหน้าจอเครื่องเล่นวิดีโอนำทาง GPS สำหรับรถยนต์ BMW X1/F49 X2/F39 EVO 2018แอนดรอยด์อัตโนมัติ - Product Image 2

Snapdragon 668S 8G + 256G ยูเอสบีวิทยุในรถแบบแยกหน้าจอเครื่องเล่นวิดีโอนำทาง GPS สำหรับรถยนต์ BMW X1/F49 X2/F39 EVO 2018แอนดรอยด์อัตโนมัติ - Product Image 3

Snapdragon 668S 8G + 256G ยูเอสบีวิทยุในรถแบบแยกหน้าจอเครื่องเล่นวิดีโอนำทาง GPS สำหรับรถยนต์ BMW X1/F49 X2/F39 EVO 2018แอนดรอยด์อัตโนมัติ - Product Image 4

Snapdragon 668S 8G + 256G ยูเอสบีวิทยุในรถแบบแยกหน้าจอเครื่องเล่นวิดีโอนำทาง GPS สำหรับรถยนต์ BMW X1/F49 X2/F39 EVO 2018แอนดรอยด์อัตโนมัติ - Product Image 5

Snapdragon 668S 8G + 256G ยูเอสบีวิทยุในรถแบบแยกหน้าจอเครื่องเล่นวิดีโอนำทาง GPS สำหรับรถยนต์ BMW X1/F49 X2/F39 EVO 2018แอนดรอยด์อัตโนมัติ - Product Image 6

Snapdragon 668S 8G + 256G ยูเอสบีวิทยุในรถแบบแยกหน้าจอเครื่องเล่นวิดีโอนำทาง GPS สำหรับรถยนต์ BMW X1/F49 X2/F39 EVO 2018แอนดรอยด์อัตโนมัติ

฿12,639.75-12,803.90

MOQ: 1

D12V0H1U2LP-7B ใหม่และต้นฉบับ X1-DFN1006-2ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 1

D12V0H1U2LP-7B ใหม่และต้นฉบับ X1-DFN1006-2ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 2

D12V0H1U2LP-7B ใหม่และต้นฉบับ X1-DFN1006-2ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 3

D12V0H1U2LP-7B ใหม่และต้นฉบับ X1-DFN1006-2ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 4

D12V0H1U2LP-7B ใหม่และต้นฉบับ X1-DFN1006-2ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 5

D12V0H1U2LP-7B ใหม่และต้นฉบับ X1-DFN1006-2ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 6

D12V0H1U2LP-7B ใหม่และต้นฉบับ X1-DFN1006-2ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD)

฿17.41-65.67

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1 m1 x2 d1 x5 ix 1 x 4 1 1p x4 b1 super1 x3 fuji x 1 xone xm2 only 1 xt2 x 3 1 x trail 1 1j