All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE6E3KJ472MN3A แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V/300V X1, Y2 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE6E3KJ472MN3A แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V/300V X1, Y2 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE6E3KJ472MN3A แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V/300V X1, Y2 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE6E3KJ472MN3A แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V/300V X1, Y2 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE6E3KJ472MN3A แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V/300V X1, Y2 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE6E3KJ472MN3A แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V/300V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE6E3KJ472MN3A แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V/300V X1, Y2

฿7.89-30.88

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุนิรภัยแบบ Through hole (THT) รุ่น CD10-E2GA152MYVSA, ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุนิรภัยแบบ Through hole (THT) รุ่น CD10-E2GA152MYVSA, ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุนิรภัยแบบ Through hole (THT) รุ่น CD10-E2GA152MYVSA, ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุนิรภัยแบบ Through hole (THT) รุ่น CD10-E2GA152MYVSA, ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุนิรภัยแบบ Through hole (THT) รุ่น CD10-E2GA152MYVSA, ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุนิรภัยแบบ Through hole (THT) รุ่น CD10-E2GA152MYVSA, ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัยแบบ Through hole (THT) รุ่น CD10-E2GA152MYVSA, ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V X1, Y1

฿2.30-8.87

MOQ: 1

Stwei 2024 ID7 ID6ใหม่ ID8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 12.3นิ้วสำหรับ X1 E84รถยนต์การเล่นจีพีเอสอัตโนมัติ - Product Image 1

Stwei 2024 ID7 ID6ใหม่ ID8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 12.3นิ้วสำหรับ X1 E84รถยนต์การเล่นจีพีเอสอัตโนมัติ - Product Image 2

Stwei 2024 ID7 ID6ใหม่ ID8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 12.3นิ้วสำหรับ X1 E84รถยนต์การเล่นจีพีเอสอัตโนมัติ - Product Image 3

Stwei 2024 ID7 ID6ใหม่ ID8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 12.3นิ้วสำหรับ X1 E84รถยนต์การเล่นจีพีเอสอัตโนมัติ - Product Image 4

Stwei 2024 ID7 ID6ใหม่ ID8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 12.3นิ้วสำหรับ X1 E84รถยนต์การเล่นจีพีเอสอัตโนมัติ - Product Image 5

Stwei 2024 ID7 ID6ใหม่ ID8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 12.3นิ้วสำหรับ X1 E84รถยนต์การเล่นจีพีเอสอัตโนมัติ - Product Image 6

Stwei 2024 ID7 ID6ใหม่ ID8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 12.3นิ้วสำหรับ X1 E84รถยนต์การเล่นจีพีเอสอัตโนมัติ

฿8,632.18-10,977.99

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF472M46Y5VG6UL0BU ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF472M46Y5VG6UL0BU ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF472M46Y5VG6UL0BU ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF472M46Y5VG6UL0BU ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF472M46Y5VG6UL0BU ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF472M46Y5VG6UL0BU ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF472M46Y5VG6UL0BU ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 250V/400V X1, Y1

฿2.63-11.17

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย F873DP104M760L แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 100nF 20% 760V X1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุนิรภัย F873DP104M760L แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 100nF 20% 760V X1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุนิรภัย F873DP104M760L แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 100nF 20% 760V X1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุนิรภัย F873DP104M760L แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 100nF 20% 760V X1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุนิรภัย F873DP104M760L แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 100nF 20% 760V X1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย F873DP104M760L แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 100nF 20% 760V X1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย F873DP104M760L แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 100nF 20% 760V X1

฿85.72-301.81

MOQ: 1

Stwei Id6 2025new Id7 Id8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 10.25นิ้วสำหรับ BMW X1 E84รถยนต์ไร้สาย CarPlay อัตโนมัติ - Product Image 1

Stwei Id6 2025new Id7 Id8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 10.25นิ้วสำหรับ BMW X1 E84รถยนต์ไร้สาย CarPlay อัตโนมัติ - Product Image 2

Stwei Id6 2025new Id7 Id8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 10.25นิ้วสำหรับ BMW X1 E84รถยนต์ไร้สาย CarPlay อัตโนมัติ - Product Image 3

Stwei Id6 2025new Id7 Id8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 10.25นิ้วสำหรับ BMW X1 E84รถยนต์ไร้สาย CarPlay อัตโนมัติ - Product Image 4

Stwei Id6 2025new Id7 Id8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 10.25นิ้วสำหรับ BMW X1 E84รถยนต์ไร้สาย CarPlay อัตโนมัติ - Product Image 5

Stwei Id6 2025new Id7 Id8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 10.25นิ้วสำหรับ BMW X1 E84รถยนต์ไร้สาย CarPlay อัตโนมัติ - Product Image 6

Stwei Id6 2025new Id7 Id8แอนดรอยด์13 Qualcomm680 Snapdragon6225 8GB 256GB 10.25นิ้วสำหรับ BMW X1 E84รถยนต์ไร้สาย CarPlay อัตโนมัติ

฿7,290.64-9,655.16

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF102K36Y5PQ6WL7A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 250V/400V X1, Y2 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF102K36Y5PQ6WL7A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 250V/400V X1, Y2 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF102K36Y5PQ6WL7A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 250V/400V X1, Y2 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF102K36Y5PQ6WL7A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 250V/400V X1, Y2 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF102K36Y5PQ6WL7A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 250V/400V X1, Y2 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF102K36Y5PQ6WL7A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 250V/400V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF102K36Y5PQ6WL7A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 250V/400V X1, Y2

฿1.32-6.24

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA102M-VKA, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V รุ่น X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA102M-VKA, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V รุ่น X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA102M-VKA, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V รุ่น X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA102M-VKA, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V รุ่น X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA102M-VKA, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V รุ่น X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA102M-VKA, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V รุ่น X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA102M-VKA, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V รุ่น X1, Y1

฿0.9853-3.62

MOQ: 20

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1 m1 x2 d1 x5 ix 1 x 4 1 1p x4 b1 super1 x3 fuji x 1 xone xm2 only 1 xt2 x 3 1 x trail 1 1j