All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1

฿2.30-8.87

MOQ: 5

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD24VF1BLQ-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD24VF1BLQ-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD24VF1BLQ-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD24VF1BLQ-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD24VF1BLQ-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD24VF1BLQ-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD24VF1BLQ-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD)

฿8.87-34.82

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1

฿2.30-8.87

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2

฿4.60-17.74

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2

฿4.60-17.74

MOQ: 5

DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 1

DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 2

DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 3

DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 4

DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 5

DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 6

DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET)

฿6.57-25.29

MOQ: 1

X1-SON-2 TPD1E0B04DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ของใหม่ล่าสุด - Product Image 1

X1-SON-2 TPD1E0B04DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ของใหม่ล่าสุด - Product Image 2

X1-SON-2 TPD1E0B04DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ของใหม่ล่าสุด - Product Image 3

X1-SON-2 TPD1E0B04DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ของใหม่ล่าสุด - Product Image 4

X1-SON-2 TPD1E0B04DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ของใหม่ล่าสุด - Product Image 5

X1-SON-2 TPD1E0B04DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ของใหม่ล่าสุด - Product Image 6

X1-SON-2 TPD1E0B04DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ของใหม่ล่าสุด

฿4.60-17.74

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย CS14-F2GA103MYAKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุนิรภัย CS14-F2GA103MYAKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุนิรภัย CS14-F2GA103MYAKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุนิรภัย CS14-F2GA103MYAKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุนิรภัย CS14-F2GA103MYAKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย CS14-F2GA103MYAKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย CS14-F2GA103MYAKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 300V/440V X1, Y2

฿2.96-11.83

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1 m1 x2 d1 x5 ix 1 x 4 1 1p x4 b1 super1 x3 fuji x 1 xone xm2 only 1 xt2 x 3 1 x trail 1 1j