All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

Electronic Chips Component X1-DFN1212-3 DMP21D0UFD-7 Transistors Original One Stop Service - Product Image 1

Electronic Chips Component X1-DFN1212-3 DMP21D0UFD-7 Transistors Original One Stop Service - Product Image 2

Electronic Chips Component X1-DFN1212-3 DMP21D0UFD-7 Transistors Original One Stop Service - Product Image 3

Electronic Chips Component X1-DFN1212-3 DMP21D0UFD-7 Transistors Original One Stop Service - Product Image 4

Electronic Chips Component X1-DFN1212-3 DMP21D0UFD-7 Transistors Original One Stop Service - Product Image 5

Electronic Chips Component X1-DFN1212-3 DMP21D0UFD-7 Transistors Original One Stop Service - Product Image 6

Electronic Chips Component X1-DFN1212-3 DMP21D0UFD-7 Transistors Original One Stop Service

฿7.94-15.88

MOQ: 100

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I684K44LHXLX ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 680nF 10% 440V X1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I684K44LHXLX ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 680nF 10% 440V X1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I684K44LHXLX ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 680nF 10% 440V X1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I684K44LHXLX ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 680nF 10% 440V X1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I684K44LHXLX ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 680nF 10% 440V X1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I684K44LHXLX ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 680nF 10% 440V X1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I684K44LHXLX ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. 680nF 10% 440V X1

฿6.62-25.47

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย VJ2220Y332KXUSTX1 2220 250V X1, Y2 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุนิรภัย VJ2220Y332KXUSTX1 2220 250V X1, Y2 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุนิรภัย VJ2220Y332KXUSTX1 2220 250V X1, Y2 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุนิรภัย VJ2220Y332KXUSTX1 2220 250V X1, Y2 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุนิรภัย VJ2220Y332KXUSTX1 2220 250V X1, Y2 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย VJ2220Y332KXUSTX1 2220 250V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย VJ2220Y332KXUSTX1 2220 250V X1, Y2

฿51.60-187.54

MOQ: 1

Components Electronic Transistors X1-DFN1006-3 DMP21D0UFB-7B In Stock - Product Image 1

Components Electronic Transistors X1-DFN1006-3 DMP21D0UFB-7B In Stock - Product Image 2

Components Electronic Transistors X1-DFN1006-3 DMP21D0UFB-7B In Stock - Product Image 3

Components Electronic Transistors X1-DFN1006-3 DMP21D0UFB-7B In Stock - Product Image 4

Components Electronic Transistors X1-DFN1006-3 DMP21D0UFB-7B In Stock - Product Image 5

Components Electronic Transistors X1-DFN1006-3 DMP21D0UFB-7B In Stock - Product Image 6

Components Electronic Transistors X1-DFN1006-3 DMP21D0UFB-7B In Stock

฿6.29-12.57

MOQ: 100

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF332M39Y5UG6BL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 3.3nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF332M39Y5UG6BL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 3.3nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF332M39Y5UG6BL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 3.3nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF332M39Y5UG6BL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 3.3nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF332M39Y5UG6BL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 3.3nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF332M39Y5UG6BL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 3.3nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF332M39Y5UG6BL0A0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 3.3nF 20% 250V/400V X1, Y1

฿1.66-6.62

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF681K30Y5UG9VPAGB แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 680pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF681K30Y5UG9VPAGB แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 680pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF681K30Y5UG9VPAGB แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 680pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF681K30Y5UG9VPAGB แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 680pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF681K30Y5UG9VPAGB แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 680pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF681K30Y5UG9VPAGB แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 680pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF681K30Y5UG9VPAGB แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 680pF 10% 250V/400V X1, Y1

฿1.33-5.63

MOQ: 10

ไดโอดซีเนอร์ไดโอด X1-DFN1006-2 BZT52C8V2LP-7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1

ไดโอดซีเนอร์ไดโอด X1-DFN1006-2 BZT52C8V2LP-7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2

ไดโอดซีเนอร์ไดโอด X1-DFN1006-2 BZT52C8V2LP-7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3

ไดโอดซีเนอร์ไดโอด X1-DFN1006-2 BZT52C8V2LP-7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4

ไดโอดซีเนอร์ไดโอด X1-DFN1006-2 BZT52C8V2LP-7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 5

ไดโอดซีเนอร์ไดโอด X1-DFN1006-2 BZT52C8V2LP-7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 6

ไดโอดซีเนอร์ไดโอด X1-DFN1006-2 BZT52C8V2LP-7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

฿2.98-11.91

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD70ZU2GA102MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V จำนวน 1 ตัว, รุ่น Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD70ZU2GA102MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V จำนวน 1 ตัว, รุ่น Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD70ZU2GA102MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V จำนวน 1 ตัว, รุ่น Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD70ZU2GA102MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V จำนวน 1 ตัว, รุ่น Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD70ZU2GA102MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V จำนวน 1 ตัว, รุ่น Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD70ZU2GA102MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V จำนวน 1 ตัว, รุ่น Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD70ZU2GA102MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V จำนวน 1 ตัว, รุ่น Y1

฿0.9923-4.64

MOQ: 10

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1 m1 x2 d1 x5 ix 1 x 4 1 1p x4 b1 super1 x3 fuji x 1 xone xm2 only 1 xt2 x 3 1 x trail 1 1j