All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

เครื่องเล่นมัลติมีเดียพร้อมระบบนำทาง GPS ในรถยนต์ Qualcomm ขนาด 10.25 นิ้ว สำหรับ BMW X1 E84 รุ่นต่ำ ปี 2010-2015 ระบบ CIC เครื่องเสียงติดรถยนต์ DSP - Product Image 1
เครื่องเล่นมัลติมีเดียพร้อมระบบนำทาง GPS ในรถยนต์ Qualcomm ขนาด 10.25 นิ้ว สำหรับ BMW X1 E84 รุ่นต่ำ ปี 2010-2015 ระบบ CIC เครื่องเสียงติดรถยนต์ DSP - Product Image 2
เครื่องเล่นมัลติมีเดียพร้อมระบบนำทาง GPS ในรถยนต์ Qualcomm ขนาด 10.25 นิ้ว สำหรับ BMW X1 E84 รุ่นต่ำ ปี 2010-2015 ระบบ CIC เครื่องเสียงติดรถยนต์ DSP - Product Image 3
เครื่องเล่นมัลติมีเดียพร้อมระบบนำทาง GPS ในรถยนต์ Qualcomm ขนาด 10.25 นิ้ว สำหรับ BMW X1 E84 รุ่นต่ำ ปี 2010-2015 ระบบ CIC เครื่องเสียงติดรถยนต์ DSP - Product Image 4
เครื่องเล่นมัลติมีเดียพร้อมระบบนำทาง GPS ในรถยนต์ Qualcomm ขนาด 10.25 นิ้ว สำหรับ BMW X1 E84 รุ่นต่ำ ปี 2010-2015 ระบบ CIC เครื่องเสียงติดรถยนต์ DSP - Product Image 5
เครื่องเล่นมัลติมีเดียพร้อมระบบนำทาง GPS ในรถยนต์ Qualcomm ขนาด 10.25 นิ้ว สำหรับ BMW X1 E84 รุ่นต่ำ ปี 2010-2015 ระบบ CIC เครื่องเสียงติดรถยนต์ DSP - Product Image 6

เครื่องเล่นมัลติมีเดียพร้อมระบบนำทาง GPS ในรถยนต์ Qualcomm ขนาด 10.25 นิ้ว สำหรับ BMW X1 E84 รุ่นต่ำ ปี 2010-2015 ระบบ CIC เครื่องเสียงติดรถยนต์ DSP

฿10,551.37-13,024.35
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
3 yrscountry flagHK4.5/5.0 (52)
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2

฿4.62-17.81
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (15)
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2

฿4.62-17.81
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (15)
DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 1
DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 2
DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 3
DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 4
DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 5
DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 6

DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET)

฿6.60-25.39
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (15)
X1-SON-2 TPD1E0B04DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ของใหม่ล่าสุด - Product Image 1
X1-SON-2 TPD1E0B04DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ของใหม่ล่าสุด - Product Image 2
X1-SON-2 TPD1E0B04DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ของใหม่ล่าสุด - Product Image 3
X1-SON-2 TPD1E0B04DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ของใหม่ล่าสุด - Product Image 4
X1-SON-2 TPD1E0B04DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ของใหม่ล่าสุด - Product Image 5
X1-SON-2 TPD1E0B04DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ของใหม่ล่าสุด - Product Image 6

X1-SON-2 TPD1E0B04DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ของใหม่ล่าสุด

฿4.62-17.81
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (15)
ตัวเก็บประจุนิรภัย CS14-F2GA103MYAKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย CS14-F2GA103MYAKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย CS14-F2GA103MYAKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย CS14-F2GA103MYAKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย CS14-F2GA103MYAKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย CS14-F2GA103MYAKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย CS14-F2GA103MYAKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 300V/440V X1, Y2

฿2.97-11.88
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (15)
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD45-E2GA102M-NKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1nF 20% 400V/440V X1, Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD45-E2GA102M-NKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1nF 20% 400V/440V X1, Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD45-E2GA102M-NKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1nF 20% 400V/440V X1, Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD45-E2GA102M-NKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1nF 20% 400V/440V X1, Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD45-E2GA102M-NKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1nF 20% 400V/440V X1, Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD45-E2GA102M-NKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1nF 20% 400V/440V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD45-E2GA102M-NKA แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1nF 20% 400V/440V X1, Y1

฿1.98-7.92
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (15)
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF101K30Y5PG6JP3AB แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 100pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF101K30Y5PG6JP3AB แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 100pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF101K30Y5PG6JP3AB แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 100pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF101K30Y5PG6JP3AB แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 100pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF101K30Y5PG6JP3AB แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 100pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF101K30Y5PG6JP3AB แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 100pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF101K30Y5PG6JP3AB แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 100pF 10% 250V/400V X1, Y1

฿1.32-5.61
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (15)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1m1x2d1x5ix 1x 4 11px4b1super1x3fuji x 1xonexm2only 1xt2x 3 1x trail 11j