All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ส่วนประกอบการจัดการพลังงาน (PMIC) อิเล็กทรอนิกส์ LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& 4 XFBGA, WLBGA ผู้ผลิตช่องทาง AP7353D-31CV4 - Product Image 1

ส่วนประกอบการจัดการพลังงาน (PMIC) อิเล็กทรอนิกส์ LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& 4 XFBGA, WLBGA ผู้ผลิตช่องทาง AP7353D-31CV4 - Product Image 2

ส่วนประกอบการจัดการพลังงาน (PMIC) อิเล็กทรอนิกส์ LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& 4 XFBGA, WLBGA ผู้ผลิตช่องทาง AP7353D-31CV4 - Product Image 3

ส่วนประกอบการจัดการพลังงาน (PMIC) อิเล็กทรอนิกส์ LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& 4 XFBGA, WLBGA ผู้ผลิตช่องทาง AP7353D-31CV4 - Product Image 4

ส่วนประกอบการจัดการพลังงาน (PMIC) อิเล็กทรอนิกส์ LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& 4 XFBGA, WLBGA ผู้ผลิตช่องทาง AP7353D-31CV4 - Product Image 5

ส่วนประกอบการจัดการพลังงาน (PMIC) อิเล็กทรอนิกส์ LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& 4 XFBGA, WLBGA ผู้ผลิตช่องทาง AP7353D-31CV4 - Product Image 6

ส่วนประกอบการจัดการพลังงาน (PMIC) อิเล็กทรอนิกส์ LDO CMOS LOWCURR X1 WLB0707 4 T& 4 XFBGA, WLBGA ผู้ผลิตช่องทาง AP7353D-31CV4

฿2.63-11.50

MOQ: 1

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1212-3 DMN2300UFD-7คุณภาพสูง (MOsfet) - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1212-3 DMN2300UFD-7คุณภาพสูง (MOsfet) - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1212-3 DMN2300UFD-7คุณภาพสูง (MOsfet) - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1212-3 DMN2300UFD-7คุณภาพสูง (MOsfet) - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1212-3 DMN2300UFD-7คุณภาพสูง (MOsfet) - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1212-3 DMN2300UFD-7คุณภาพสูง (MOsfet) - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1212-3 DMN2300UFD-7คุณภาพสูง (MOsfet)

฿1.32-4.60

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS80ZU2GA222MYVKA ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/440V X1, Y2 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS80ZU2GA222MYVKA ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/440V X1, Y2 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS80ZU2GA222MYVKA ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/440V X1, Y2 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS80ZU2GA222MYVKA ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/440V X1, Y2 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS80ZU2GA222MYVKA ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/440V X1, Y2 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS80ZU2GA222MYVKA ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS80ZU2GA222MYVKA ชนิด Through hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/440V X1, Y2

฿0.9853-3.29

MOQ: 10

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSR8-6-FIG-D-3Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 1

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSR8-6-FIG-D-3Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 2

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSR8-6-FIG-D-3Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 3

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSR8-6-FIG-D-3Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 4

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSR8-6-FIG-D-3Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 5

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSR8-6-FIG-D-3Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 6

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSR8-6-FIG-D-3Z-V1-X1, ราคาดี

฿328.08-2,955.34

MOQ: 10

Xtrons เครื่องเล่นสเตอริโอติดรถยนต์แอนดรอยด์4G 680สแนปดราก้อน8 + 128GB หน้าจอ2K ขนาด12.3นิ้วสำหรับ X1 BMW E84ระบบ CIC 2009-2015 - Product Image 1

Xtrons เครื่องเล่นสเตอริโอติดรถยนต์แอนดรอยด์4G 680สแนปดราก้อน8 + 128GB หน้าจอ2K ขนาด12.3นิ้วสำหรับ X1 BMW E84ระบบ CIC 2009-2015 - Product Image 2

Xtrons เครื่องเล่นสเตอริโอติดรถยนต์แอนดรอยด์4G 680สแนปดราก้อน8 + 128GB หน้าจอ2K ขนาด12.3นิ้วสำหรับ X1 BMW E84ระบบ CIC 2009-2015 - Product Image 3

Xtrons เครื่องเล่นสเตอริโอติดรถยนต์แอนดรอยด์4G 680สแนปดราก้อน8 + 128GB หน้าจอ2K ขนาด12.3นิ้วสำหรับ X1 BMW E84ระบบ CIC 2009-2015 - Product Image 4

Xtrons เครื่องเล่นสเตอริโอติดรถยนต์แอนดรอยด์4G 680สแนปดราก้อน8 + 128GB หน้าจอ2K ขนาด12.3นิ้วสำหรับ X1 BMW E84ระบบ CIC 2009-2015 - Product Image 5

Xtrons เครื่องเล่นสเตอริโอติดรถยนต์แอนดรอยด์4G 680สแนปดราก้อน8 + 128GB หน้าจอ2K ขนาด12.3นิ้วสำหรับ X1 BMW E84ระบบ CIC 2009-2015 - Product Image 6

Xtrons เครื่องเล่นสเตอริโอติดรถยนต์แอนดรอยด์4G 680สแนปดราก้อน8 + 128GB หน้าจอ2K ขนาด12.3นิ้วสำหรับ X1 BMW E84ระบบ CIC 2009-2015

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย C45S1474MBSC350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 27.5มม. 470nF 20% X1 440V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย C45S1474MBSC350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 27.5มม. 470nF 20% X1 440V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย C45S1474MBSC350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 27.5มม. 470nF 20% X1 440V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย C45S1474MBSC350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 27.5มม. 470nF 20% X1 440V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย C45S1474MBSC350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 27.5มม. 470nF 20% X1 440V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย C45S1474MBSC350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 27.5มม. 470nF 20% X1 440V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย C45S1474MBSC350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 27.5มม. 470nF 20% X1 440V

฿11.83-46.97

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX102MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX102MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX102MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX102MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX102MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX102MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX102MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 300V/440V X1 Y1

฿0.9853-3.62

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1

฿2.30-8.87

MOQ: 5

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1 m1 x2 d1 x5 ix 1 x 4 1 1p x4 b1 super1 x3 fuji x 1 xone xm2 only 1 xt2 x 3 1 x trail 1 1j