All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย C45S1474MBSC350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 27.5มม. 470nF 20% X1 440V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย C45S1474MBSC350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 27.5มม. 470nF 20% X1 440V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย C45S1474MBSC350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 27.5มม. 470nF 20% X1 440V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย C45S1474MBSC350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 27.5มม. 470nF 20% X1 440V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย C45S1474MBSC350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 27.5มม. 470nF 20% X1 440V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย C45S1474MBSC350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 27.5มม. 470nF 20% X1 440V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย C45S1474MBSC350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 27.5มม. 470nF 20% X1 440V

฿11.83-46.97
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX102MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX102MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX102MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX102MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX102MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX102MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX102MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 1nF 20% 300V/440V X1 Y1

฿0.9853-3.62
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA472M-VKA, ระยะขา P=10 มม., ความจุ 4.7nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดัน 400V/440V, รุ่น X1, Y1

฿2.30-8.87
MOQ: 5
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD24VF1BLQ-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 1
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD24VF1BLQ-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 2
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD24VF1BLQ-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 3
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD24VF1BLQ-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 4
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD24VF1BLQ-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 5
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD24VF1BLQ-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD24VF1BLQ-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD)

฿8.87-34.82
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYVKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1

฿2.30-8.87
MOQ: 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2

฿4.60-17.74
MOQ: 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย VY2681M29Y5US63V7 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 680pF 20% 300V/440V X1, Y2

฿4.60-17.74
MOQ: 5
DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 1
DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 2
DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 3
DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 4
DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 5
DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET) - Product Image 6

DMP21D0UFD-7 X1-DFN1212-3ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ (MOSFET)

฿6.57-25.29
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1m1x2d1x5ix 1x 4 11px4b1super1x3fuji x 1xonexm2only 1xt2x 3 1x trail 11j