All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1006-3 DMP56D0UFB-7B คุณภาพสูง (MOsfet) - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1006-3 DMP56D0UFB-7B คุณภาพสูง (MOsfet) - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1006-3 DMP56D0UFB-7B คุณภาพสูง (MOsfet) - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1006-3 DMP56D0UFB-7B คุณภาพสูง (MOsfet) - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1006-3 DMP56D0UFB-7B คุณภาพสูง (MOsfet) - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1006-3 DMP56D0UFB-7B คุณภาพสูง (MOsfet) - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์สนาม X1-DFN1006-3 DMP56D0UFB-7B คุณภาพสูง (MOsfet)

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ไดโอด X1-DFN1006-2 SBR05U20LP-7ของแท้ใหม่วงจรเรียงกระแสอุปสรรคสูง (SBR) ชิปชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์และบริการ BOM - Product Image 1

ไดโอด X1-DFN1006-2 SBR05U20LP-7ของแท้ใหม่วงจรเรียงกระแสอุปสรรคสูง (SBR) ชิปชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์และบริการ BOM - Product Image 2

ไดโอด X1-DFN1006-2 SBR05U20LP-7ของแท้ใหม่วงจรเรียงกระแสอุปสรรคสูง (SBR) ชิปชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์และบริการ BOM - Product Image 3

ไดโอด X1-DFN1006-2 SBR05U20LP-7ของแท้ใหม่วงจรเรียงกระแสอุปสรรคสูง (SBR) ชิปชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์และบริการ BOM - Product Image 4

ไดโอด X1-DFN1006-2 SBR05U20LP-7ของแท้ใหม่วงจรเรียงกระแสอุปสรรคสูง (SBR) ชิปชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์และบริการ BOM - Product Image 5

ไดโอด X1-DFN1006-2 SBR05U20LP-7ของแท้ใหม่วงจรเรียงกระแสอุปสรรคสูง (SBR) ชิปชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์และบริการ BOM - Product Image 6

ไดโอด X1-DFN1006-2 SBR05U20LP-7ของแท้ใหม่วงจรเรียงกระแสอุปสรรคสูง (SBR) ชิปชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์และบริการ BOM

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE1E3RA152MN4AN01F แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE1E3RA152MN4AN01F แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE1E3RA152MN4AN01F แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE1E3RA152MN4AN01F แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE1E3RA152MN4AN01F แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE1E3RA152MN4AN01F แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย DE1E3RA152MN4AN01F แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 1.5nF 20% 250V X1, Y1

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ลดลง m.f. แขน2 "x 1" - Product Image 1

ลดลง m.f. แขน2 "x 1" - Product Image 2

ลดลง m.f. แขน2 "x 1"

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 30 ชิ้น

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE2E3SA472MA2BT01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5mm 4.7nF 20% 300V/250V X1 Y2 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE2E3SA472MA2BT01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5mm 4.7nF 20% 300V/250V X1 Y2 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE2E3SA472MA2BT01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5mm 4.7nF 20% 300V/250V X1 Y2 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE2E3SA472MA2BT01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5mm 4.7nF 20% 300V/250V X1 Y2 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE2E3SA472MA2BT01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5mm 4.7nF 20% 300V/250V X1 Y2 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE2E3SA472MA2BT01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5mm 4.7nF 20% 300V/250V X1 Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE2E3SA472MA2BT01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 5mm 4.7nF 20% 300V/250V X1 Y2

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I104K48LEXLX ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 100nF 10% 480V X1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I104K48LEXLX ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 100nF 10% 480V X1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I104K48LEXLX ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 100nF 10% 480V X1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I104K48LEXLX ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 100nF 10% 480V X1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I104K48LEXLX ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 100nF 10% 480V X1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I104K48LEXLX ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 100nF 10% 480V X1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย I104K48LEXLX ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. 100nF 10% 480V X1

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

Components Electronic Transistors X1-DFN1006-3 DMP32D5SFB-7B BOM IC In Stock - Product Image 1

Components Electronic Transistors X1-DFN1006-3 DMP32D5SFB-7B BOM IC In Stock - Product Image 2

Components Electronic Transistors X1-DFN1006-3 DMP32D5SFB-7B BOM IC In Stock - Product Image 3

Components Electronic Transistors X1-DFN1006-3 DMP32D5SFB-7B BOM IC In Stock - Product Image 4

Components Electronic Transistors X1-DFN1006-3 DMP32D5SFB-7B BOM IC In Stock - Product Image 5

Components Electronic Transistors X1-DFN1006-3 DMP32D5SFB-7B BOM IC In Stock - Product Image 6

Components Electronic Transistors X1-DFN1006-3 DMP32D5SFB-7B BOM IC In Stock

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS65ZU2GA102MYPKA ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS65ZU2GA102MYPKA ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS65ZU2GA102MYPKA ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS65ZU2GA102MYPKA ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS65ZU2GA102MYPKA ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS65ZU2GA102MYPKA ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 300V/440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS65ZU2GA102MYPKA ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 300V/440V X1, Y2

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1 m1 x2 d1 x5 ix 1 x 4 1 1p x4 b1 super1 x3 fuji x 1 xone xm2 only 1 xt2 x 3 1 x trail 1 1j