All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS80ZU2GA222MYGKA ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/440V X1, Y2 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS80ZU2GA222MYGKA ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/440V X1, Y2 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS80ZU2GA222MYGKA ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/440V X1, Y2 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS80ZU2GA222MYGKA ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/440V X1, Y2 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS80ZU2GA222MYGKA ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/440V X1, Y2 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS80ZU2GA222MYGKA ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CS80ZU2GA222MYGKA ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V/440V X1, Y2

฿0.9853-3.62

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุนิรภัยแบบ Through hole (THT) รุ่น CD12-E2GA222MYNSA, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 250V รุ่น X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุนิรภัยแบบ Through hole (THT) รุ่น CD12-E2GA222MYNSA, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 250V รุ่น X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุนิรภัยแบบ Through hole (THT) รุ่น CD12-E2GA222MYNSA, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 250V รุ่น X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุนิรภัยแบบ Through hole (THT) รุ่น CD12-E2GA222MYNSA, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 250V รุ่น X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุนิรภัยแบบ Through hole (THT) รุ่น CD12-E2GA222MYNSA, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 250V รุ่น X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุนิรภัยแบบ Through hole (THT) รุ่น CD12-E2GA222MYNSA, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 250V รุ่น X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัยแบบ Through hole (THT) รุ่น CD12-E2GA222MYNSA, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 250V รุ่น X1, Y1

฿2.30-9.53

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD12ZU2GA472MYGKA ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD12ZU2GA472MYGKA ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD12ZU2GA472MYGKA ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD12ZU2GA472MYGKA ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD12ZU2GA472MYGKA ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD12ZU2GA472MYGKA ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย CD12ZU2GA472MYGKA ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1

฿2.96-11.83

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย WKO472MCPEJ0KR ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย WKO472MCPEJ0KR ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย WKO472MCPEJ0KR ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย WKO472MCPEJ0KR ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย WKO472MCPEJ0KR ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย WKO472MCPEJ0KR ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย WKO472MCPEJ0KR ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=12.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2

฿30.55-115.93

MOQ: 1

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D2V5L1BS2LP4-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D2V5L1BS2LP4-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D2V5L1BS2LP4-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D2V5L1BS2LP4-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D2V5L1BS2LP4-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D2V5L1BS2LP4-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 D2V5L1BS2LP4-7B แบบใหม่ดั้งเดิมและการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD)

฿0.9853-3.62

MOQ: 5

การจัดการพลังงาน (PMIC) LDO CMOS LowCurr X1 WLB0707 4 T & AP7353-31CV4-7 4 xfbga ชุด wlbga ดั้งเดิม - Product Image 1

การจัดการพลังงาน (PMIC) LDO CMOS LowCurr X1 WLB0707 4 T & AP7353-31CV4-7 4 xfbga ชุด wlbga ดั้งเดิม - Product Image 2

การจัดการพลังงาน (PMIC) LDO CMOS LowCurr X1 WLB0707 4 T & AP7353-31CV4-7 4 xfbga ชุด wlbga ดั้งเดิม - Product Image 3

การจัดการพลังงาน (PMIC) LDO CMOS LowCurr X1 WLB0707 4 T & AP7353-31CV4-7 4 xfbga ชุด wlbga ดั้งเดิม - Product Image 4

การจัดการพลังงาน (PMIC) LDO CMOS LowCurr X1 WLB0707 4 T & AP7353-31CV4-7 4 xfbga ชุด wlbga ดั้งเดิม - Product Image 5

การจัดการพลังงาน (PMIC) LDO CMOS LowCurr X1 WLB0707 4 T & AP7353-31CV4-7 4 xfbga ชุด wlbga ดั้งเดิม - Product Image 6

การจัดการพลังงาน (PMIC) LDO CMOS LowCurr X1 WLB0707 4 T & AP7353-31CV4-7 4 xfbga ชุด wlbga ดั้งเดิม

฿1.32-2.63

MOQ: 3

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSS8-8-FG-D-3EZ-V1-X1, ราคาดี - Product Image 1

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSS8-8-FG-D-3EZ-V1-X1, ราคาดี - Product Image 2

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSS8-8-FG-D-3EZ-V1-X1, ราคาดี - Product Image 3

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSS8-8-FG-D-3EZ-V1-X1, ราคาดี - Product Image 4

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSS8-8-FG-D-3EZ-V1-X1, ราคาดี - Product Image 5

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSS8-8-FG-D-3EZ-V1-X1, ราคาดี - Product Image 6

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSS8-8-FG-D-3EZ-V1-X1, ราคาดี

฿328.08-2,955.34

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K30Y5PG63L0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K30Y5PG63L0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K30Y5PG63L0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K30Y5PG63L0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K30Y5PG63L0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K30Y5PG63L0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF331K30Y5PG63L0A0 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 330pF 10% 250V/400V X1, Y1

฿1.32-5.26

MOQ: 10

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1 m1 x2 d1 x5 ix 1 x 4 1 1p x4 b1 super1 x3 fuji x 1 xone xm2 only 1 xt2 x 3 1 x trail 1 1j