All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

X1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุนิรภัย WYO472MCMCRBKR แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย WYO472MCMCRBKR แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย WYO472MCMCRBKR แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย WYO472MCMCRBKR แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย WYO472MCMCRBKR แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย WYO472MCMCRBKR แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย WYO472MCMCRBKR แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% 440V X1, Y2

฿15.44-60.10
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE11XRA100KN4AQ01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10mm 10pF 10% 500V X1, Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE11XRA100KN4AQ01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10mm 10pF 10% 500V X1, Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE11XRA100KN4AQ01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10mm 10pF 10% 500V X1, Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE11XRA100KN4AQ01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10mm 10pF 10% 500V X1, Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE11XRA100KN4AQ01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10mm 10pF 10% 500V X1, Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE11XRA100KN4AQ01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10mm 10pF 10% 500V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE11XRA100KN4AQ01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 10mm 10pF 10% 500V X1, Y1

฿8.87-34.82
MOQ: 1
8 Core 8GB + 256GB 12.3-inch Qualcomm Snapdragon 668S วิดีโอสเตอริโอเสียง CarPlay สำหรับ BMW X1 E84ระบบ CIC 2010-2015 - Product Image 1
8 Core 8GB + 256GB 12.3-inch Qualcomm Snapdragon 668S วิดีโอสเตอริโอเสียง CarPlay สำหรับ BMW X1 E84ระบบ CIC 2010-2015 - Product Image 2
8 Core 8GB + 256GB 12.3-inch Qualcomm Snapdragon 668S วิดีโอสเตอริโอเสียง CarPlay สำหรับ BMW X1 E84ระบบ CIC 2010-2015 - Product Image 3
8 Core 8GB + 256GB 12.3-inch Qualcomm Snapdragon 668S วิดีโอสเตอริโอเสียง CarPlay สำหรับ BMW X1 E84ระบบ CIC 2010-2015 - Product Image 4
8 Core 8GB + 256GB 12.3-inch Qualcomm Snapdragon 668S วิดีโอสเตอริโอเสียง CarPlay สำหรับ BMW X1 E84ระบบ CIC 2010-2015 - Product Image 5
8 Core 8GB + 256GB 12.3-inch Qualcomm Snapdragon 668S วิดีโอสเตอริโอเสียง CarPlay สำหรับ BMW X1 E84ระบบ CIC 2010-2015 - Product Image 6

8 Core 8GB + 256GB 12.3-inch Qualcomm Snapdragon 668S วิดีโอสเตอริโอเสียง CarPlay สำหรับ BMW X1 E84ระบบ CIC 2010-2015

฿13,136.28-13,464.68
MOQ: 1
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSR8-10-FHG-D-1Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 1
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSR8-10-FHG-D-1Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 2
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSR8-10-FHG-D-1Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 3
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSR8-10-FHG-D-1Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 4
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSR8-10-FHG-D-1Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 5
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSR8-10-FHG-D-1Z-V1-X1, ราคาดี - Product Image 6

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, VSR8-10-FHG-D-1Z-V1-X1, ราคาดี

฿328.08-2,955.34
MOQ: 10
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3KY332MN3AU02F ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3KY332MN3AU02F ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3KY332MN3AU02F ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3KY332MN3AU02F ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3KY332MN3AU02F ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3KY332MN3AU02F ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3KY332MN3AU02F ชนิด Through Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 3.3nF 20% 300V X1, Y2

฿1.32-5.26
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE1E3KX472MA4BP01F แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 300V/440V X1, Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE1E3KX472MA4BP01F แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 300V/440V X1, Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE1E3KX472MA4BP01F แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 300V/440V X1, Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE1E3KX472MA4BP01F แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 300V/440V X1, Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE1E3KX472MA4BP01F แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 300V/440V X1, Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE1E3KX472MA4BP01F แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 300V/440V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE1E3KX472MA4BP01F แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 300V/440V X1, Y1

฿1.98-8.54
MOQ: 1
X1-SON-2 TPD1E01B04DPYR (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 1
X1-SON-2 TPD1E01B04DPYR (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 2
X1-SON-2 TPD1E01B04DPYR (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 3
X1-SON-2 TPD1E01B04DPYR (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 4
X1-SON-2 TPD1E01B04DPYR (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 5
X1-SON-2 TPD1E01B04DPYR (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 6

X1-SON-2 TPD1E01B04DPYR (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD)

฿1.32-5.59
MOQ: 10
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3SA472MN2AT01F ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 4.7nF 20% 300V/250V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3SA472MN2AT01F ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 4.7nF 20% 300V/250V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3SA472MN2AT01F ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 4.7nF 20% 300V/250V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3SA472MN2AT01F ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 4.7nF 20% 300V/250V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3SA472MN2AT01F ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 4.7nF 20% 300V/250V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3SA472MN2AT01F ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 4.7nF 20% 300V/250V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3SA472MN2AT01F ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 4.7nF 20% 300V/250V X1, Y2

฿1.98-7.56
MOQ: 5

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

n1m1x2d1x5ix 1x 4 11px4b1super1x3fuji x 1xonexm2only 1xt2x 3 1x trail 11j