All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

T 55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 (3216เมตริก) ฝาปิด3.3 uF 10V X5R 1206 3.3 uF - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 (3216เมตริก) ฝาปิด3.3 uF 10V X5R 1206 3.3 uF - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 (3216เมตริก) ฝาปิด3.3 uF 10V X5R 1206 3.3 uF - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 (3216เมตริก) ฝาปิด3.3 uF 10V X5R 1206 3.3 uF - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 (3216เมตริก) ฝาปิด3.3 uF 10V X5R 1206 3.3 uF - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 (3216เมตริก) ฝาปิด3.3 uF 10V X5R 1206 3.3 uF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 (3216เมตริก) ฝาปิด3.3 uF 10V X5R 1206 3.3 uF

฿0.681-1.37

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 3,000 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว1812 22 UF 16V 1812 22 UF (4532เมตริก) EMK432BJ226KM-T ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก MLCC แบบยึดพื้นผิว - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว1812 22 UF 16V 1812 22 UF (4532เมตริก) EMK432BJ226KM-T ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก MLCC แบบยึดพื้นผิว - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว1812 22 UF 16V 1812 22 UF (4532เมตริก) EMK432BJ226KM-T ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก MLCC แบบยึดพื้นผิว - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว1812 22 UF 16V 1812 22 UF (4532เมตริก) EMK432BJ226KM-T ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก MLCC แบบยึดพื้นผิว - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว1812 22 UF 16V 1812 22 UF (4532เมตริก) EMK432BJ226KM-T ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก MLCC แบบยึดพื้นผิว - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว1812 22 UF 16V 1812 22 UF (4532เมตริก) EMK432BJ226KM-T ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก MLCC แบบยึดพื้นผิว - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว1812 22 UF 16V 1812 22 UF (4532เมตริก) EMK432BJ226KM-T ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก MLCC แบบยึดพื้นผิว

฿9.20-18.39

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MLCC CAP CER 0.022uF 100V X5R 0603 HMK107BJ223MA-T - Product Image 1

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MLCC CAP CER 0.022uF 100V X5R 0603 HMK107BJ223MA-T - Product Image 2

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MLCC CAP CER 0.022uF 100V X5R 0603 HMK107BJ223MA-T - Product Image 3

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MLCC CAP CER 0.022uF 100V X5R 0603 HMK107BJ223MA-T - Product Image 4

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MLCC CAP CER 0.022uF 100V X5R 0603 HMK107BJ223MA-T - Product Image 5

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MLCC CAP CER 0.022uF 100V X5R 0603 HMK107BJ223MA-T - Product Image 6

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MLCC CAP CER 0.022uF 100V X5R 0603 HMK107BJ223MA-T

฿0.681-2.05

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

Taiyo Yuden 0603 1608 1uF X7R 25V 10% ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 1

Taiyo Yuden 0603 1608 1uF X7R 25V 10% ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 2

Taiyo Yuden 0603 1608 1uF X7R 25V 10% ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 3

Taiyo Yuden 0603 1608 1uF X7R 25V 10% ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 4

Taiyo Yuden 0603 1608 1uF X7R 25V 10% ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01 - Product Image 5

Taiyo Yuden 0603 1608 1uF X7R 25V 10% ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01

฿518.89

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ม้วน

CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.

2 yrs

TT8M-T MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&R ชิป IC ของแท้ใหม่เอี่ยมในสต็อก - Product Image 1

TT8M-T MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&R ชิป IC ของแท้ใหม่เอี่ยมในสต็อก - Product Image 2

TT8M-T MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&R ชิป IC ของแท้ใหม่เอี่ยมในสต็อก - Product Image 3

TT8M-T MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&R ชิป IC ของแท้ใหม่เอี่ยมในสต็อก - Product Image 4

TT8M-T MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&R ชิป IC ของแท้ใหม่เอี่ยมในสต็อก - Product Image 5

TT8M-T MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&R ชิป IC ของแท้ใหม่เอี่ยมในสต็อก - Product Image 6

TT8M-T MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&R ชิป IC ของแท้ใหม่เอี่ยมในสต็อก

฿6.81-34.05

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ApexCore HK Technology Limited

1 yrs

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ UPD78F0535GB(T)-UEU-AT 64 LQFP ชิปอิเล็กทรอนิกส์แบบฝังตัว - Product Image 1

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ UPD78F0535GB(T)-UEU-AT 64 LQFP ชิปอิเล็กทรอนิกส์แบบฝังตัว - Product Image 2

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ UPD78F0535GB(T)-UEU-AT 64 LQFP ชิปอิเล็กทรอนิกส์แบบฝังตัว - Product Image 3

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ UPD78F0535GB(T)-UEU-AT 64 LQFP ชิปอิเล็กทรอนิกส์แบบฝังตัว - Product Image 4

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ UPD78F0535GB(T)-UEU-AT 64 LQFP ชิปอิเล็กทรอนิกส์แบบฝังตัว - Product Image 5

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ UPD78F0535GB(T)-UEU-AT 64 LQFP ชิปอิเล็กทรอนิกส์แบบฝังตัว - Product Image 6

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ UPD78F0535GB(T)-UEU-AT 64 LQFP ชิปอิเล็กทรอนิกส์แบบฝังตัว

฿15.67-30.99

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

HK

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น TAIYO YUDEN สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค ขนาด 1206/3216 ค่าความคลาดเคลื่อน 10% รุ่น MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T

฿1,621.35

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ม้วน

CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.

2 yrs

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 10 UF 6.3V 0603 X6S 0603 (1608เมตริก) 10 uF JMK107BC6106MA-T ยึดพื้นผิว - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 10 UF 6.3V 0603 X6S 0603 (1608เมตริก) 10 uF JMK107BC6106MA-T ยึดพื้นผิว - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 10 UF 6.3V 0603 X6S 0603 (1608เมตริก) 10 uF JMK107BC6106MA-T ยึดพื้นผิว - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 10 UF 6.3V 0603 X6S 0603 (1608เมตริก) 10 uF JMK107BC6106MA-T ยึดพื้นผิว - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 10 UF 6.3V 0603 X6S 0603 (1608เมตริก) 10 uF JMK107BC6106MA-T ยึดพื้นผิว - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 10 UF 6.3V 0603 X6S 0603 (1608เมตริก) 10 uF JMK107BC6106MA-T ยึดพื้นผิว - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 10 UF 6.3V 0603 X6S 0603 (1608เมตริก) 10 uF JMK107BC6106MA-T ยึดพื้นผิว

฿0.681-3.07

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK