All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

T 55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว4.7 UF 4.7 uF 10V X5R 1206 1206 (3216เมตริก) LMK316BJ475MD-T - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว4.7 UF 4.7 uF 10V X5R 1206 1206 (3216เมตริก) LMK316BJ475MD-T - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว4.7 UF 4.7 uF 10V X5R 1206 1206 (3216เมตริก) LMK316BJ475MD-T - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว4.7 UF 4.7 uF 10V X5R 1206 1206 (3216เมตริก) LMK316BJ475MD-T - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว4.7 UF 4.7 uF 10V X5R 1206 1206 (3216เมตริก) LMK316BJ475MD-T - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว4.7 UF 4.7 uF 10V X5R 1206 1206 (3216เมตริก) LMK316BJ475MD-T - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว4.7 UF 4.7 uF 10V X5R 1206 1206 (3216เมตริก) LMK316BJ475MD-T

฿0.6837-1.37

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 4,000 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

UJ4C075023K3S 750V/23mOhm, SiC, cascode, G4, T ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม - Product Image 1

UJ4C075023K3S 750V/23mOhm, SiC, cascode, G4, T ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม - Product Image 2

UJ4C075023K3S 750V/23mOhm, SiC, cascode, G4, T ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม - Product Image 3

UJ4C075023K3S 750V/23mOhm, SiC, cascode, G4, T ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม - Product Image 4

UJ4C075023K3S 750V/23mOhm, SiC, cascode, G4, T ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม - Product Image 5

UJ4C075023K3S 750V/23mOhm, SiC, cascode, G4, T ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม - Product Image 6

UJ4C075023K3S 750V/23mOhm, SiC, cascode, G4, T ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม

฿6.84-34.19

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ApexCore HK Technology Limited

1 yrs

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นความถี่สูงยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T ขนาด 0603 X7R 1UF - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นความถี่สูงยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T ขนาด 0603 X7R 1UF - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นความถี่สูงยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T ขนาด 0603 X7R 1UF - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นความถี่สูงยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T ขนาด 0603 X7R 1UF - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นความถี่สูงยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T ขนาด 0603 X7R 1UF - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นความถี่สูงยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T ขนาด 0603 X7R 1UF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นความถี่สูงยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T ขนาด 0603 X7R 1UF

฿520.91

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ม้วน

CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.

2 yrs

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดตั้งบนพื้นผิว (Surface Mount) รุ่น MLCC CAP CER 1UF 6.3V X7S 0306 0306 (0816 เมตริก) JWK107C7105MV-T 1 ยูเอฟ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดตั้งบนพื้นผิว (Surface Mount) รุ่น MLCC CAP CER 1UF 6.3V X7S 0306 0306 (0816 เมตริก) JWK107C7105MV-T 1 ยูเอฟ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดตั้งบนพื้นผิว (Surface Mount) รุ่น MLCC CAP CER 1UF 6.3V X7S 0306 0306 (0816 เมตริก) JWK107C7105MV-T 1 ยูเอฟ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดตั้งบนพื้นผิว (Surface Mount) รุ่น MLCC CAP CER 1UF 6.3V X7S 0306 0306 (0816 เมตริก) JWK107C7105MV-T 1 ยูเอฟ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดตั้งบนพื้นผิว (Surface Mount) รุ่น MLCC CAP CER 1UF 6.3V X7S 0306 0306 (0816 เมตริก) JWK107C7105MV-T 1 ยูเอฟ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดตั้งบนพื้นผิว (Surface Mount) รุ่น MLCC CAP CER 1UF 6.3V X7S 0306 0306 (0816 เมตริก) JWK107C7105MV-T 1 ยูเอฟ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดตั้งบนพื้นผิว (Surface Mount) รุ่น MLCC CAP CER 1UF 6.3V X7S 0306 0306 (0816 เมตริก) JWK107C7105MV-T 1 ยูเอฟ

฿1.37-4.11

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดติดบนพื้นผิว47 uF MLCC แคป CER 47 uF 10V X5R 1210 1210 (3225เมตริก) LMK325BJ476MM-T - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดติดบนพื้นผิว47 uF MLCC แคป CER 47 uF 10V X5R 1210 1210 (3225เมตริก) LMK325BJ476MM-T - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดติดบนพื้นผิว47 uF MLCC แคป CER 47 uF 10V X5R 1210 1210 (3225เมตริก) LMK325BJ476MM-T - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดติดบนพื้นผิว47 uF MLCC แคป CER 47 uF 10V X5R 1210 1210 (3225เมตริก) LMK325BJ476MM-T - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดติดบนพื้นผิว47 uF MLCC แคป CER 47 uF 10V X5R 1210 1210 (3225เมตริก) LMK325BJ476MM-T - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดติดบนพื้นผิว47 uF MLCC แคป CER 47 uF 10V X5R 1210 1210 (3225เมตริก) LMK325BJ476MM-T - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดติดบนพื้นผิว47 uF MLCC แคป CER 47 uF 10V X5R 1210 1210 (3225เมตริก) LMK325BJ476MM-T

฿4.11-12.31

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว1210 (3225เมตริก) MLCC 10 uF ตัวเก็บประจุแบบ EMK325BJ106MD-T ตัวเก็บประจุ10 UF 16V X5R 1210 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว1210 (3225เมตริก) MLCC 10 uF ตัวเก็บประจุแบบ EMK325BJ106MD-T ตัวเก็บประจุ10 UF 16V X5R 1210 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว1210 (3225เมตริก) MLCC 10 uF ตัวเก็บประจุแบบ EMK325BJ106MD-T ตัวเก็บประจุ10 UF 16V X5R 1210 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว1210 (3225เมตริก) MLCC 10 uF ตัวเก็บประจุแบบ EMK325BJ106MD-T ตัวเก็บประจุ10 UF 16V X5R 1210 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว1210 (3225เมตริก) MLCC 10 uF ตัวเก็บประจุแบบ EMK325BJ106MD-T ตัวเก็บประจุ10 UF 16V X5R 1210 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว1210 (3225เมตริก) MLCC 10 uF ตัวเก็บประจุแบบ EMK325BJ106MD-T ตัวเก็บประจุ10 UF 16V X5R 1210 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว1210 (3225เมตริก) MLCC 10 uF ตัวเก็บประจุแบบ EMK325BJ106MD-T ตัวเก็บประจุ10 UF 16V X5R 1210

฿2.40-7.87

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

ทรานซิสเตอร์ช่องทางผู้ผลิต T-MAX [B2] ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ APT50M75B2LLG - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์ช่องทางผู้ผลิต T-MAX [B2] ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ APT50M75B2LLG - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์ช่องทางผู้ผลิต T-MAX [B2] ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ APT50M75B2LLG - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์ช่องทางผู้ผลิต T-MAX [B2] ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ APT50M75B2LLG - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์ช่องทางผู้ผลิต T-MAX [B2] ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ APT50M75B2LLG - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์ช่องทางผู้ผลิต T-MAX [B2] ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ APT50M75B2LLG - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ช่องทางผู้ผลิต T-MAX [B2] ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ APT50M75B2LLG

฿252.25-504.16

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

HK

ตัวเก็บประจุ UMK325B7475MM-T เซรามิก CER 4.7 uF 50V X7R 1210ยึดพื้นผิว MLCC 4.7 uF 1210 (3225เมตริก) ผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 1

ตัวเก็บประจุ UMK325B7475MM-T เซรามิก CER 4.7 uF 50V X7R 1210ยึดพื้นผิว MLCC 4.7 uF 1210 (3225เมตริก) ผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 2

ตัวเก็บประจุ UMK325B7475MM-T เซรามิก CER 4.7 uF 50V X7R 1210ยึดพื้นผิว MLCC 4.7 uF 1210 (3225เมตริก) ผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 3

ตัวเก็บประจุ UMK325B7475MM-T เซรามิก CER 4.7 uF 50V X7R 1210ยึดพื้นผิว MLCC 4.7 uF 1210 (3225เมตริก) ผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 4

ตัวเก็บประจุ UMK325B7475MM-T เซรามิก CER 4.7 uF 50V X7R 1210ยึดพื้นผิว MLCC 4.7 uF 1210 (3225เมตริก) ผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 5

ตัวเก็บประจุ UMK325B7475MM-T เซรามิก CER 4.7 uF 50V X7R 1210ยึดพื้นผิว MLCC 4.7 uF 1210 (3225เมตริก) ผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ UMK325B7475MM-T เซรามิก CER 4.7 uF 50V X7R 1210ยึดพื้นผิว MLCC 4.7 uF 1210 (3225เมตริก) ผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต

฿2.74-8.21

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK