All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Sot23

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

Feiyang แพคเกจ AP22966DC8-7ไดโอด SMD SOT23-3ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ PNP (SIC) เทคโนโลยี60V 12A ระบายน้ำไปยังแหล่งที่มา - Product Image 1
Feiyang แพคเกจ AP22966DC8-7ไดโอด SMD SOT23-3ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ PNP (SIC) เทคโนโลยี60V 12A ระบายน้ำไปยังแหล่งที่มา - Product Image 2
Feiyang แพคเกจ AP22966DC8-7ไดโอด SMD SOT23-3ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ PNP (SIC) เทคโนโลยี60V 12A ระบายน้ำไปยังแหล่งที่มา - Product Image 3
Feiyang แพคเกจ AP22966DC8-7ไดโอด SMD SOT23-3ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ PNP (SIC) เทคโนโลยี60V 12A ระบายน้ำไปยังแหล่งที่มา - Product Image 4
Feiyang แพคเกจ AP22966DC8-7ไดโอด SMD SOT23-3ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ PNP (SIC) เทคโนโลยี60V 12A ระบายน้ำไปยังแหล่งที่มา - Product Image 5
Feiyang แพคเกจ AP22966DC8-7ไดโอด SMD SOT23-3ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ PNP (SIC) เทคโนโลยี60V 12A ระบายน้ำไปยังแหล่งที่มา - Product Image 6

Feiyang แพคเกจ AP22966DC8-7ไดโอด SMD SOT23-3ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ PNP (SIC) เทคโนโลยี60V 12A ระบายน้ำไปยังแหล่งที่มา

฿30.25-336.09
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
JINYIYUAN Technology (Hong Kong) Co., Limited
2 yrsHK flagHK
MMBF5484ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ RF MOSFET JFET 15V SOT23-3ของแท้สินค้าใหม่ - Product Image 1
MMBF5484ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ RF MOSFET JFET 15V SOT23-3ของแท้สินค้าใหม่ - Product Image 2
MMBF5484ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ RF MOSFET JFET 15V SOT23-3ของแท้สินค้าใหม่ - Product Image 3
MMBF5484ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ RF MOSFET JFET 15V SOT23-3ของแท้สินค้าใหม่ - Product Image 4
MMBF5484ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ RF MOSFET JFET 15V SOT23-3ของแท้สินค้าใหม่ - Product Image 5
MMBF5484ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ RF MOSFET JFET 15V SOT23-3ของแท้สินค้าใหม่ - Product Image 6

MMBF5484ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ RF MOSFET JFET 15V SOT23-3ของแท้สินค้าใหม่

฿7.40
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
KotenchipTechnology Co., Limited
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(5)
วงจรรวมส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ BOM ไมโครคอนโทรลเลอร์.IGBT ทรานซิสเตอร์ SOT23-8 MP2233DJ-LF-Z - Product Image 1
วงจรรวมส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ BOM ไมโครคอนโทรลเลอร์.IGBT ทรานซิสเตอร์ SOT23-8 MP2233DJ-LF-Z - Product Image 2
วงจรรวมส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ BOM ไมโครคอนโทรลเลอร์.IGBT ทรานซิสเตอร์ SOT23-8 MP2233DJ-LF-Z - Product Image 3
วงจรรวมส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ BOM ไมโครคอนโทรลเลอร์.IGBT ทรานซิสเตอร์ SOT23-8 MP2233DJ-LF-Z - Product Image 4
วงจรรวมส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ BOM ไมโครคอนโทรลเลอร์.IGBT ทรานซิสเตอร์ SOT23-8 MP2233DJ-LF-Z - Product Image 5
วงจรรวมส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ BOM ไมโครคอนโทรลเลอร์.IGBT ทรานซิสเตอร์ SOT23-8 MP2233DJ-LF-Z - Product Image 6

วงจรรวมส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ BOM ไมโครคอนโทรลเลอร์.IGBT ทรานซิสเตอร์ SOT23-8 MP2233DJ-LF-Z

฿0.6722
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น
USEMI LIMITED
4 yrsHK flagHK4.9/5.0(17)
ชิปไดรเวอร์เกต COS1416R SOT23-5 - Product Image 1
ชิปไดรเวอร์เกต COS1416R SOT23-5 - Product Image 2
ชิปไดรเวอร์เกต COS1416R SOT23-5 - Product Image 3
ชิปไดรเวอร์เกต COS1416R SOT23-5 - Product Image 4
ชิปไดรเวอร์เกต COS1416R SOT23-5 - Product Image 5
ชิปไดรเวอร์เกต COS1416R SOT23-5 - Product Image 6

ชิปไดรเวอร์เกต COS1416R SOT23-5

฿3.37-33.61
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น
HK SMARTCHIP VOYAGE TECHNOLOGY LIMITED
1 yrsHK flagHK4.9/5.0(4)
L2SC4083NT1G ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้ ทรานซิสเตอร์ NPN แบบ BJT สำหรับเครื่องขยายความถี่สูง แพ็คเกจ SOT23-6 ยี่ห้อ LRC - Product Image 1
L2SC4083NT1G ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้ ทรานซิสเตอร์ NPN แบบ BJT สำหรับเครื่องขยายความถี่สูง แพ็คเกจ SOT23-6 ยี่ห้อ LRC - Product Image 2
L2SC4083NT1G ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้ ทรานซิสเตอร์ NPN แบบ BJT สำหรับเครื่องขยายความถี่สูง แพ็คเกจ SOT23-6 ยี่ห้อ LRC - Product Image 3
L2SC4083NT1G ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้ ทรานซิสเตอร์ NPN แบบ BJT สำหรับเครื่องขยายความถี่สูง แพ็คเกจ SOT23-6 ยี่ห้อ LRC - Product Image 4
L2SC4083NT1G ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้ ทรานซิสเตอร์ NPN แบบ BJT สำหรับเครื่องขยายความถี่สูง แพ็คเกจ SOT23-6 ยี่ห้อ LRC - Product Image 5
L2SC4083NT1G ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้ ทรานซิสเตอร์ NPN แบบ BJT สำหรับเครื่องขยายความถี่สูง แพ็คเกจ SOT23-6 ยี่ห้อ LRC - Product Image 6

L2SC4083NT1G ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้ ทรานซิสเตอร์ NPN แบบ BJT สำหรับเครื่องขยายความถี่สูง แพ็คเกจ SOT23-6 ยี่ห้อ LRC

฿1.35-3.03
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น
TELNOVA TECHNOLOGY (HONG KONG) CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(4)
มอสเฟต BSS123แพ็กเกจ SOT‑23ชนิดช่อง N แรงดันรับได้สูงสุด100โวลต์กระแสขาออกสูงสุด200มิลลิแอมป์ความต้านทานระหว่างขา D–S เมื่อเปิด3โอห์มที่ VGS = 10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า350มิลลิวัตต์แรงดันเปิดประตู1.8โวลต์ประจุขับเคลื่อน1.61นาโนคูลอมบ์ที่ VGS = 10โวลต์ความจุระหว่างขา D–S 32พิโกฟารัดและระหว่างขา G–S 7พิโกฟารัดอุณหภูมิใช้งาน −40℃ ถึง +150℃ ความจุย้อนกลับ10พิโกฟารัดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1
มอสเฟต BSS123แพ็กเกจ SOT‑23ชนิดช่อง N แรงดันรับได้สูงสุด100โวลต์กระแสขาออกสูงสุด200มิลลิแอมป์ความต้านทานระหว่างขา D–S เมื่อเปิด3โอห์มที่ VGS = 10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า350มิลลิวัตต์แรงดันเปิดประตู1.8โวลต์ประจุขับเคลื่อน1.61นาโนคูลอมบ์ที่ VGS = 10โวลต์ความจุระหว่างขา D–S 32พิโกฟารัดและระหว่างขา G–S 7พิโกฟารัดอุณหภูมิใช้งาน −40℃ ถึง +150℃ ความจุย้อนกลับ10พิโกฟารัดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2
มอสเฟต BSS123แพ็กเกจ SOT‑23ชนิดช่อง N แรงดันรับได้สูงสุด100โวลต์กระแสขาออกสูงสุด200มิลลิแอมป์ความต้านทานระหว่างขา D–S เมื่อเปิด3โอห์มที่ VGS = 10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า350มิลลิวัตต์แรงดันเปิดประตู1.8โวลต์ประจุขับเคลื่อน1.61นาโนคูลอมบ์ที่ VGS = 10โวลต์ความจุระหว่างขา D–S 32พิโกฟารัดและระหว่างขา G–S 7พิโกฟารัดอุณหภูมิใช้งาน −40℃ ถึง +150℃ ความจุย้อนกลับ10พิโกฟารัดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3
มอสเฟต BSS123แพ็กเกจ SOT‑23ชนิดช่อง N แรงดันรับได้สูงสุด100โวลต์กระแสขาออกสูงสุด200มิลลิแอมป์ความต้านทานระหว่างขา D–S เมื่อเปิด3โอห์มที่ VGS = 10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า350มิลลิวัตต์แรงดันเปิดประตู1.8โวลต์ประจุขับเคลื่อน1.61นาโนคูลอมบ์ที่ VGS = 10โวลต์ความจุระหว่างขา D–S 32พิโกฟารัดและระหว่างขา G–S 7พิโกฟารัดอุณหภูมิใช้งาน −40℃ ถึง +150℃ ความจุย้อนกลับ10พิโกฟารัดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4
มอสเฟต BSS123แพ็กเกจ SOT‑23ชนิดช่อง N แรงดันรับได้สูงสุด100โวลต์กระแสขาออกสูงสุด200มิลลิแอมป์ความต้านทานระหว่างขา D–S เมื่อเปิด3โอห์มที่ VGS = 10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า350มิลลิวัตต์แรงดันเปิดประตู1.8โวลต์ประจุขับเคลื่อน1.61นาโนคูลอมบ์ที่ VGS = 10โวลต์ความจุระหว่างขา D–S 32พิโกฟารัดและระหว่างขา G–S 7พิโกฟารัดอุณหภูมิใช้งาน −40℃ ถึง +150℃ ความจุย้อนกลับ10พิโกฟารัดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 5
มอสเฟต BSS123แพ็กเกจ SOT‑23ชนิดช่อง N แรงดันรับได้สูงสุด100โวลต์กระแสขาออกสูงสุด200มิลลิแอมป์ความต้านทานระหว่างขา D–S เมื่อเปิด3โอห์มที่ VGS = 10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า350มิลลิวัตต์แรงดันเปิดประตู1.8โวลต์ประจุขับเคลื่อน1.61นาโนคูลอมบ์ที่ VGS = 10โวลต์ความจุระหว่างขา D–S 32พิโกฟารัดและระหว่างขา G–S 7พิโกฟารัดอุณหภูมิใช้งาน −40℃ ถึง +150℃ ความจุย้อนกลับ10พิโกฟารัดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 6

มอสเฟต BSS123แพ็กเกจ SOT‑23ชนิดช่อง N แรงดันรับได้สูงสุด100โวลต์กระแสขาออกสูงสุด200มิลลิแอมป์ความต้านทานระหว่างขา D–S เมื่อเปิด3โอห์มที่ VGS = 10โวลต์พิกัดกำลังไฟฟ้า350มิลลิวัตต์แรงดันเปิดประตู1.8โวลต์ประจุขับเคลื่อน1.61นาโนคูลอมบ์ที่ VGS = 10โวลต์ความจุระหว่างขา D–S 32พิโกฟารัดและระหว่างขา G–S 7พิโกฟารัดอุณหภูมิใช้งาน −40℃ ถึง +150℃ ความจุย้อนกลับ10พิโกฟารัดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์

฿0.2119-0.4625
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 หน่วย
HONGKONG SMARE TRADING LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(2)
ชิปวงจรรวม36V ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบ Shunt ความแม่นยำปรับ TL431AQDBZRQ1ได้ดี - Product Image 1
ชิปวงจรรวม36V ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบ Shunt ความแม่นยำปรับ TL431AQDBZRQ1ได้ดี - Product Image 2
ชิปวงจรรวม36V ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบ Shunt ความแม่นยำปรับ TL431AQDBZRQ1ได้ดี - Product Image 3
ชิปวงจรรวม36V ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบ Shunt ความแม่นยำปรับ TL431AQDBZRQ1ได้ดี - Product Image 4
ชิปวงจรรวม36V ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบ Shunt ความแม่นยำปรับ TL431AQDBZRQ1ได้ดี - Product Image 5
ชิปวงจรรวม36V ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบ Shunt ความแม่นยำปรับ TL431AQDBZRQ1ได้ดี - Product Image 6

ชิปวงจรรวม36V ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบ Shunt ความแม่นยำปรับ TL431AQDBZRQ1ได้ดี

฿2.36
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
L C GREAT EXPLOIT LIMITED
1 yrsHK flagHK
ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์ SOT23 MU2305T (Mosfet) แบบดั้งเดิมชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1
ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์ SOT23 MU2305T (Mosfet) แบบดั้งเดิมชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2
ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์ SOT23 MU2305T (Mosfet) แบบดั้งเดิมชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3
ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์ SOT23 MU2305T (Mosfet) แบบดั้งเดิมชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4
ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์ SOT23 MU2305T (Mosfet) แบบดั้งเดิมชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 5
ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์ SOT23 MU2305T (Mosfet) แบบดั้งเดิมชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์สนามทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์ SOT23 MU2305T (Mosfet) แบบดั้งเดิมชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

฿0.6722-2.02
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

s 23a22 a23s23 minia23 a22samsung s22 s23s ultra 23galaxy s23s23samsungsotas24lr23ac23a23es33s23 plusa13 a23 a33samsung s 23s23pluss23ultras 23 plus