All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Semiconductor

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 พรีเมียมขนาด 4 นิ้ว ความหนาสม่ำเสมอ สำหรับการวิจัยอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET - Product Image 1

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 พรีเมียมขนาด 4 นิ้ว ความหนาสม่ำเสมอ สำหรับการวิจัยอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET - Product Image 2

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 พรีเมียมขนาด 4 นิ้ว ความหนาสม่ำเสมอ สำหรับการวิจัยอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET - Product Image 3

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 พรีเมียมขนาด 4 นิ้ว ความหนาสม่ำเสมอ สำหรับการวิจัยอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET

฿58,820.04-71,891.16

MOQ: 1

ฟิล์ม WS2 แบบแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, Raynext BT101A ความทนทานสูงสำหรับการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1

ฟิล์ม WS2 แบบแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, Raynext BT101A ความทนทานสูงสำหรับการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2

ฟิล์ม WS2 แบบแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, Raynext BT101A ความทนทานสูงสำหรับการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3

ฟิล์ม WS2 แบบแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, Raynext BT101A ความทนทานสูงสำหรับการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4

ฟิล์ม WS2 แบบแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, Raynext BT101A ความทนทานสูงสำหรับการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

฿19,606.68-24,508.35

MOQ: 1

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความเป็นผลึกสูง TMD สำหรับอุปกรณ์ MOSFET อุตสาหกรรมประสิทธิภาพสูง - Product Image 1

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความเป็นผลึกสูง TMD สำหรับอุปกรณ์ MOSFET อุตสาหกรรมประสิทธิภาพสูง - Product Image 2

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความเป็นผลึกสูง TMD สำหรับอุปกรณ์ MOSFET อุตสาหกรรมประสิทธิภาพสูง - Product Image 3

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความเป็นผลึกสูง TMD สำหรับอุปกรณ์ MOSFET อุตสาหกรรมประสิทธิภาพสูง

฿58,820.04-71,891.16

MOQ: 1

การเจริญเติบโตแบบอีพิแท็กซ์เชียลของ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับการผลิต MOSFET ขั้นสูงในปริมาณมาก - Product Image 1

การเจริญเติบโตแบบอีพิแท็กซ์เชียลของ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับการผลิต MOSFET ขั้นสูงในปริมาณมาก - Product Image 2

การเจริญเติบโตแบบอีพิแท็กซ์เชียลของ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับการผลิต MOSFET ขั้นสูงในปริมาณมาก - Product Image 3

การเจริญเติบโตแบบอีพิแท็กซ์เชียลของ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับการผลิต MOSFET ขั้นสูงในปริมาณมาก

฿58,820.04-71,891.16

MOQ: 1

กรอบ dicing ที่กำหนดเอง6 "8" 12" - Product Image 1

กรอบ dicing ที่กำหนดเอง6 "8" 12" - Product Image 2

กรอบ dicing ที่กำหนดเอง6 "8" 12" - Product Image 3

กรอบ dicing ที่กำหนดเอง6 "8" 12" - Product Image 4

กรอบ dicing ที่กำหนดเอง6 "8" 12" - Product Image 5

กรอบ dicing ที่กำหนดเอง6 "8" 12" - Product Image 6

กรอบ dicing ที่กำหนดเอง6 "8" 12"

฿98.04-418.28

MOQ: 100

เครื่องกำจัดขน 808 นาโนเมตร 2 in 1 คลื่นสามความยาว 808 1064 1320 นาโนเมตร เครื่องกำจัดรอยสักแบบพิโคเซคันด์ กำจัดกระ - Product Image 1

เครื่องกำจัดขน 808 นาโนเมตร 2 in 1 คลื่นสามความยาว 808 1064 1320 นาโนเมตร เครื่องกำจัดรอยสักแบบพิโคเซคันด์ กำจัดกระ - Product Image 2

เครื่องกำจัดขน 808 นาโนเมตร 2 in 1 คลื่นสามความยาว 808 1064 1320 นาโนเมตร เครื่องกำจัดรอยสักแบบพิโคเซคันด์ กำจัดกระ - Product Image 3

เครื่องกำจัดขน 808 นาโนเมตร 2 in 1 คลื่นสามความยาว 808 1064 1320 นาโนเมตร เครื่องกำจัดรอยสักแบบพิโคเซคันด์ กำจัดกระ - Product Image 4

เครื่องกำจัดขน 808 นาโนเมตร 2 in 1 คลื่นสามความยาว 808 1064 1320 นาโนเมตร เครื่องกำจัดรอยสักแบบพิโคเซคันด์ กำจัดกระ - Product Image 5

เครื่องกำจัดขน 808 นาโนเมตร 2 in 1 คลื่นสามความยาว 808 1064 1320 นาโนเมตร เครื่องกำจัดรอยสักแบบพิโคเซคันด์ กำจัดกระ - Product Image 6

เครื่องกำจัดขน 808 นาโนเมตร 2 in 1 คลื่นสามความยาว 808 1064 1320 นาโนเมตร เครื่องกำจัดรอยสักแบบพิโคเซคันด์ กำจัดกระ

฿43,396.12-44,049.68

MOQ: 1

Raynext BT101A 2 นิ้ว WS2 บนแซฟไฟร์, โลหะไดแคลโคเจไนด์ 2 มิติ สำหรับการวิจัยและพัฒนาชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1

Raynext BT101A 2 นิ้ว WS2 บนแซฟไฟร์, โลหะไดแคลโคเจไนด์ 2 มิติ สำหรับการวิจัยและพัฒนาชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2

Raynext BT101A 2 นิ้ว WS2 บนแซฟไฟร์, โลหะไดแคลโคเจไนด์ 2 มิติ สำหรับการวิจัยและพัฒนาชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3

Raynext BT101A 2 นิ้ว WS2 บนแซฟไฟร์, โลหะไดแคลโคเจไนด์ 2 มิติ สำหรับการวิจัยและพัฒนาชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4

Raynext BT101A 2 นิ้ว WS2 บนแซฟไฟร์, โลหะไดแคลโคเจไนด์ 2 มิติ สำหรับการวิจัยและพัฒนาชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

฿19,606.68-24,508.35

MOQ: 1

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความบริสุทธิ์สูง สำหรับการทดสอบและผลิตอุปกรณ์ MOSFET ในห้องปฏิบัติการและอุตสาหกรรม - Product Image 1

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความบริสุทธิ์สูง สำหรับการทดสอบและผลิตอุปกรณ์ MOSFET ในห้องปฏิบัติการและอุตสาหกรรม - Product Image 2

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความบริสุทธิ์สูง สำหรับการทดสอบและผลิตอุปกรณ์ MOSFET ในห้องปฏิบัติการและอุตสาหกรรม - Product Image 3

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความบริสุทธิ์สูง สำหรับการทดสอบและผลิตอุปกรณ์ MOSFET ในห้องปฏิบัติการและอุตสาหกรรม

฿58,820.04-71,891.16

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: