All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Semiconductor

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความเข้ากันได้สูงสำหรับการรวมวัสดุอุตสาหกรรมหลายชนิดในวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความเข้ากันได้สูงสำหรับการรวมวัสดุอุตสาหกรรมหลายชนิดในวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความเข้ากันได้สูงสำหรับการรวมวัสดุอุตสาหกรรมหลายชนิดในวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความเข้ากันได้สูงสำหรับการรวมวัสดุอุตสาหกรรมหลายชนิดในวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 4

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความเข้ากันได้สูงสำหรับการรวมวัสดุอุตสาหกรรมหลายชนิดในวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 5

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความเข้ากันได้สูงสำหรับการรวมวัสดุอุตสาหกรรมหลายชนิดในวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 6

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความเข้ากันได้สูงสำหรับการรวมวัสดุอุตสาหกรรมหลายชนิดในวงจรเซมิคอนดักเตอร์

฿58,875.02-71,958.35

MOQ: 1

ชิปวงจรรวม TCD2901D เซ็นเซอร์รับภาพเชิงเส้น CCD แบบดั้งเดิมใหม่ DIP22แพ็กเกจ - Product Image 1

ชิปวงจรรวม TCD2901D เซ็นเซอร์รับภาพเชิงเส้น CCD แบบดั้งเดิมใหม่ DIP22แพ็กเกจ - Product Image 2

ชิปวงจรรวม TCD2901D เซ็นเซอร์รับภาพเชิงเส้น CCD แบบดั้งเดิมใหม่ DIP22แพ็กเกจ - Product Image 3

ชิปวงจรรวม TCD2901D เซ็นเซอร์รับภาพเชิงเส้น CCD แบบดั้งเดิมใหม่ DIP22แพ็กเกจ - Product Image 4

ชิปวงจรรวม TCD2901D เซ็นเซอร์รับภาพเชิงเส้น CCD แบบดั้งเดิมใหม่ DIP22แพ็กเกจ - Product Image 5

ชิปวงจรรวม TCD2901D เซ็นเซอร์รับภาพเชิงเส้น CCD แบบดั้งเดิมใหม่ DIP22แพ็กเกจ - Product Image 6

ชิปวงจรรวม TCD2901D เซ็นเซอร์รับภาพเชิงเส้น CCD แบบดั้งเดิมใหม่ DIP22แพ็กเกจ

฿1,481.69

MOQ: 1

WS2 ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางใหญ่ 4 นิ้ว บนพื้นผิวแซฟไฟร์ สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ประสิทธิภาพสูง - Product Image 1

WS2 ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางใหญ่ 4 นิ้ว บนพื้นผิวแซฟไฟร์ สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ประสิทธิภาพสูง - Product Image 2

WS2 ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางใหญ่ 4 นิ้ว บนพื้นผิวแซฟไฟร์ สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ประสิทธิภาพสูง - Product Image 3

WS2 ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางใหญ่ 4 นิ้ว บนพื้นผิวแซฟไฟร์ สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ประสิทธิภาพสูง

฿58,875.02-71,958.35

MOQ: 1

ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนแซฟไฟร์สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมปัญญาประดิษฐ์ - Product Image 1

ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนแซฟไฟร์สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมปัญญาประดิษฐ์ - Product Image 2

ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนแซฟไฟร์สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมปัญญาประดิษฐ์ - Product Image 3

ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนแซฟไฟร์สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมปัญญาประดิษฐ์

฿58,875.02-71,958.35

MOQ: 1

WS2 ขนาด 4 นิ้ว บนพื้นผิวแซฟไฟร์คุณภาพสูง สำหรับกระบวนการลิโทกราฟีเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมขั้นสูง - Product Image 1

WS2 ขนาด 4 นิ้ว บนพื้นผิวแซฟไฟร์คุณภาพสูง สำหรับกระบวนการลิโทกราฟีเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมขั้นสูง - Product Image 2

WS2 ขนาด 4 นิ้ว บนพื้นผิวแซฟไฟร์คุณภาพสูง สำหรับกระบวนการลิโทกราฟีเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมขั้นสูง - Product Image 3

WS2 ขนาด 4 นิ้ว บนพื้นผิวแซฟไฟร์คุณภาพสูง สำหรับกระบวนการลิโทกราฟีเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมขั้นสูง

฿58,875.02-71,958.35

MOQ: 1

แผ่นแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว พร้อมเคลือบ WS2, Raynext BT101A TMDS สำหรับการวิจัยและพัฒนาและผลิตเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1

แผ่นแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว พร้อมเคลือบ WS2, Raynext BT101A TMDS สำหรับการวิจัยและพัฒนาและผลิตเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2

แผ่นแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว พร้อมเคลือบ WS2, Raynext BT101A TMDS สำหรับการวิจัยและพัฒนาและผลิตเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3

แผ่นแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว พร้อมเคลือบ WS2, Raynext BT101A TMDS สำหรับการวิจัยและพัฒนาและผลิตเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 4

แผ่นแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว พร้อมเคลือบ WS2, Raynext BT101A TMDS สำหรับการวิจัยและพัฒนาและผลิตเซมิคอนดักเตอร์

฿19,625.01-24,531.26

MOQ: 1

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความสม่ำเสมอสูงของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์นาโนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความสม่ำเสมอสูงของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์นาโนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความสม่ำเสมอสูงของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์นาโนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความสม่ำเสมอสูงของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์นาโนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความสม่ำเสมอสูงของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์นาโนอิเล็กทรอนิกส์

฿19,625.01-24,531.26

MOQ: 1

การผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ คุณภาพผลึกสูงสำหรับชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1

การผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ คุณภาพผลึกสูงสำหรับชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2

การผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ คุณภาพผลึกสูงสำหรับชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3

การผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ คุณภาพผลึกสูงสำหรับชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์

฿58,875.02-71,958.35

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: