All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Semiconductor

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

โมดูลวงจรใหม่แท้ไร้สาย RF เซมิคอนดักเตอร์ ทรานซิสเตอร์ PTFA211801E-V5-R250 ตัวเก็บประจุ ตัวต้านทาน คริสตัล ไดโอด BOM - Product Image 1

โมดูลวงจรใหม่แท้ไร้สาย RF เซมิคอนดักเตอร์ ทรานซิสเตอร์ PTFA211801E-V5-R250 ตัวเก็บประจุ ตัวต้านทาน คริสตัล ไดโอด BOM - Product Image 2

โมดูลวงจรใหม่แท้ไร้สาย RF เซมิคอนดักเตอร์ ทรานซิสเตอร์ PTFA211801E-V5-R250 ตัวเก็บประจุ ตัวต้านทาน คริสตัล ไดโอด BOM - Product Image 3

โมดูลวงจรใหม่แท้ไร้สาย RF เซมิคอนดักเตอร์ ทรานซิสเตอร์ PTFA211801E-V5-R250 ตัวเก็บประจุ ตัวต้านทาน คริสตัล ไดโอด BOM - Product Image 4

โมดูลวงจรใหม่แท้ไร้สาย RF เซมิคอนดักเตอร์ ทรานซิสเตอร์ PTFA211801E-V5-R250 ตัวเก็บประจุ ตัวต้านทาน คริสตัล ไดโอด BOM - Product Image 5

โมดูลวงจรใหม่แท้ไร้สาย RF เซมิคอนดักเตอร์ ทรานซิสเตอร์ PTFA211801E-V5-R250 ตัวเก็บประจุ ตัวต้านทาน คริสตัล ไดโอด BOM

฿9,576.42

MOQ: 1

HITACHI Energy ABB 1000E330300 5SNE โมดูล IGBT เซมิคอนดักเตอร์เดี่ยวซิลิคอนเวเฟอร์ hipak - Product Image 1

HITACHI Energy ABB 1000E330300 5SNE โมดูล IGBT เซมิคอนดักเตอร์เดี่ยวซิลิคอนเวเฟอร์ hipak - Product Image 2

HITACHI Energy ABB 1000E330300 5SNE โมดูล IGBT เซมิคอนดักเตอร์เดี่ยวซิลิคอนเวเฟอร์ hipak - Product Image 3

HITACHI Energy ABB 1000E330300 5SNE โมดูล IGBT เซมิคอนดักเตอร์เดี่ยวซิลิคอนเวเฟอร์ hipak - Product Image 4

HITACHI Energy ABB 1000E330300 5SNE โมดูล IGBT เซมิคอนดักเตอร์เดี่ยวซิลิคอนเวเฟอร์ hipak - Product Image 5

HITACHI Energy ABB 1000E330300 5SNE โมดูล IGBT เซมิคอนดักเตอร์เดี่ยวซิลิคอนเวเฟอร์ hipak - Product Image 6

HITACHI Energy ABB 1000E330300 5SNE โมดูล IGBT เซมิคอนดักเตอร์เดี่ยวซิลิคอนเวเฟอร์ hipak

฿3,272,866.73-3,272,869.68

MOQ: 3

ชุดอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์แพคเกจ MST9U03RN-3ชิปวงจรรวมส่วนประกอบโปรแกรม BGA - Product Image 1

ชุดอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์แพคเกจ MST9U03RN-3ชิปวงจรรวมส่วนประกอบโปรแกรม BGA - Product Image 2

ชุดอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์แพคเกจ MST9U03RN-3ชิปวงจรรวมส่วนประกอบโปรแกรม BGA - Product Image 3

ชุดอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์แพคเกจ MST9U03RN-3ชิปวงจรรวมส่วนประกอบโปรแกรม BGA - Product Image 4

ชุดอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์แพคเกจ MST9U03RN-3ชิปวงจรรวมส่วนประกอบโปรแกรม BGA - Product Image 5

ชุดอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์แพคเกจ MST9U03RN-3ชิปวงจรรวมส่วนประกอบโปรแกรม BGA - Product Image 6

ชุดอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์แพคเกจ MST9U03RN-3ชิปวงจรรวมส่วนประกอบโปรแกรม BGA

฿160.05-182.96

MOQ: 1

LTC4365IDDB วงจรรวมเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ QFN ชิปวงจรรวมที่ตั้งโปรแกรมได้ - Product Image 1

LTC4365IDDB วงจรรวมเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ QFN ชิปวงจรรวมที่ตั้งโปรแกรมได้ - Product Image 2

LTC4365IDDB วงจรรวมเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ QFN ชิปวงจรรวมที่ตั้งโปรแกรมได้ - Product Image 3

LTC4365IDDB วงจรรวมเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ QFN ชิปวงจรรวมที่ตั้งโปรแกรมได้ - Product Image 4

LTC4365IDDB วงจรรวมเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ QFN ชิปวงจรรวมที่ตั้งโปรแกรมได้ - Product Image 5

LTC4365IDDB วงจรรวมเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ QFN ชิปวงจรรวมที่ตั้งโปรแกรมได้ - Product Image 6

LTC4365IDDB วงจรรวมเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ QFN ชิปวงจรรวมที่ตั้งโปรแกรมได้

฿9.50-19.31

MOQ: 1

ชิปเซมิคอนดักเตอร์ของแท้ MCF5281CVM66 MCF5281CVM ไมโครชิป BGA MCU - Product Image 1

ชิปเซมิคอนดักเตอร์ของแท้ MCF5281CVM66 MCF5281CVM ไมโครชิป BGA MCU - Product Image 2

ชิปเซมิคอนดักเตอร์ของแท้ MCF5281CVM66 MCF5281CVM ไมโครชิป BGA MCU - Product Image 3

ชิปเซมิคอนดักเตอร์ของแท้ MCF5281CVM66 MCF5281CVM ไมโครชิป BGA MCU - Product Image 4

ชิปเซมิคอนดักเตอร์ของแท้ MCF5281CVM66 MCF5281CVM ไมโครชิป BGA MCU - Product Image 5

ชิปเซมิคอนดักเตอร์ของแท้ MCF5281CVM66 MCF5281CVM ไมโครชิป BGA MCU - Product Image 6

ชิปเซมิคอนดักเตอร์ของแท้ MCF5281CVM66 MCF5281CVM ไมโครชิป BGA MCU

฿6.55-15.06

MOQ: 1

ประสิทธิภาพทางอุตสาหกรรม WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับกระบวนการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET - Product Image 1

ประสิทธิภาพทางอุตสาหกรรม WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับกระบวนการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET - Product Image 2

ประสิทธิภาพทางอุตสาหกรรม WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับกระบวนการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET - Product Image 3

ประสิทธิภาพทางอุตสาหกรรม WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์สำหรับกระบวนการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MOSFET

฿58,911.66-72,003.14

MOQ: 1

วัสดุเซมิคอนดักเตอร์แซฟไฟร์ WS2 ขนาด 2 นิ้ว, ความต้านทานต่ำ Raynext BT101A สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ประสิทธิภาพสูง - Product Image 1

วัสดุเซมิคอนดักเตอร์แซฟไฟร์ WS2 ขนาด 2 นิ้ว, ความต้านทานต่ำ Raynext BT101A สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ประสิทธิภาพสูง - Product Image 2

วัสดุเซมิคอนดักเตอร์แซฟไฟร์ WS2 ขนาด 2 นิ้ว, ความต้านทานต่ำ Raynext BT101A สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ประสิทธิภาพสูง - Product Image 3

วัสดุเซมิคอนดักเตอร์แซฟไฟร์ WS2 ขนาด 2 นิ้ว, ความต้านทานต่ำ Raynext BT101A สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ประสิทธิภาพสูง - Product Image 4

วัสดุเซมิคอนดักเตอร์แซฟไฟร์ WS2 ขนาด 2 นิ้ว, ความต้านทานต่ำ Raynext BT101A สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ประสิทธิภาพสูง

฿19,637.22-24,546.53

MOQ: 1

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์, Raynext BT101A ความเป็นผลึกสูงสำหรับโมดูลอุปกรณ์กึ่งตัวนำอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์, Raynext BT101A ความเป็นผลึกสูงสำหรับโมดูลอุปกรณ์กึ่งตัวนำอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์, Raynext BT101A ความเป็นผลึกสูงสำหรับโมดูลอุปกรณ์กึ่งตัวนำอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์, Raynext BT101A ความเป็นผลึกสูงสำหรับโมดูลอุปกรณ์กึ่งตัวนำอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์, Raynext BT101A ความเป็นผลึกสูงสำหรับโมดูลอุปกรณ์กึ่งตัวนำอิเล็กทรอนิกส์

฿19,637.22-24,546.53

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: