All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Semiconductor

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

Vicfuse ชุด VC14 690V AC IEC269-4ฟิวส์ทรงกระบอกป้องกันเซมิคอนดักเตอร์มาตรฐาน CE // CUL ได้รับการรับรอง50kA AC Breaking - Product Image 1

Vicfuse ชุด VC14 690V AC IEC269-4ฟิวส์ทรงกระบอกป้องกันเซมิคอนดักเตอร์มาตรฐาน CE // CUL ได้รับการรับรอง50kA AC Breaking - Product Image 2

Vicfuse ชุด VC14 690V AC IEC269-4ฟิวส์ทรงกระบอกป้องกันเซมิคอนดักเตอร์มาตรฐาน CE // CUL ได้รับการรับรอง50kA AC Breaking

฿166.45-499.33

MOQ: 10

การประมวลผล WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์อย่างรวดเร็วสำหรับโครงการสร้างต้นแบบเซมิคอนดักเตอร์เชิงอุตสาหกรรมที่รวดเร็ว - Product Image 1

การประมวลผล WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์อย่างรวดเร็วสำหรับโครงการสร้างต้นแบบเซมิคอนดักเตอร์เชิงอุตสาหกรรมที่รวดเร็ว - Product Image 2

การประมวลผล WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์อย่างรวดเร็วสำหรับโครงการสร้างต้นแบบเซมิคอนดักเตอร์เชิงอุตสาหกรรมที่รวดเร็ว - Product Image 3

การประมวลผล WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์อย่างรวดเร็วสำหรับโครงการสร้างต้นแบบเซมิคอนดักเตอร์เชิงอุตสาหกรรมที่รวดเร็ว

฿59,919.48-73,234.92

MOQ: 1

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับการสื่อสาร 5G และการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ในอุตสาหกรรม - Product Image 1

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับการสื่อสาร 5G และการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ในอุตสาหกรรม - Product Image 2

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับการสื่อสาร 5G และการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ในอุตสาหกรรม - Product Image 3

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับการสื่อสาร 5G และการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ในอุตสาหกรรม

฿59,919.48-73,234.92

MOQ: 1

WS2ที่มีความสม่ำเสมอสูงขนาด2นิ้วบนแผ่นเวเฟอร์แซฟไฟร์ BT101A เรยอนเน่การนำไฟฟ้าสูงสำหรับการประกอบมอสเฟท - Product Image 1

WS2ที่มีความสม่ำเสมอสูงขนาด2นิ้วบนแผ่นเวเฟอร์แซฟไฟร์ BT101A เรยอนเน่การนำไฟฟ้าสูงสำหรับการประกอบมอสเฟท - Product Image 2

WS2ที่มีความสม่ำเสมอสูงขนาด2นิ้วบนแผ่นเวเฟอร์แซฟไฟร์ BT101A เรยอนเน่การนำไฟฟ้าสูงสำหรับการประกอบมอสเฟท - Product Image 3

WS2ที่มีความสม่ำเสมอสูงขนาด2นิ้วบนแผ่นเวเฟอร์แซฟไฟร์ BT101A เรยอนเน่การนำไฟฟ้าสูงสำหรับการประกอบมอสเฟท - Product Image 4

WS2ที่มีความสม่ำเสมอสูงขนาด2นิ้วบนแผ่นเวเฟอร์แซฟไฟร์ BT101A เรยอนเน่การนำไฟฟ้าสูงสำหรับการประกอบมอสเฟท

฿19,973.16-24,966.45

MOQ: 1

ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนแซฟไฟร์สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ 2 มิติแบบยืดหยุ่นพื้นที่ขนาดใหญ่ - Product Image 1

ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนแซฟไฟร์สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ 2 มิติแบบยืดหยุ่นพื้นที่ขนาดใหญ่ - Product Image 2

ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนแซฟไฟร์สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ 2 มิติแบบยืดหยุ่นพื้นที่ขนาดใหญ่ - Product Image 3

ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้วบนแซฟไฟร์สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ 2 มิติแบบยืดหยุ่นพื้นที่ขนาดใหญ่

฿59,919.48-73,234.92

MOQ: 1

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ประสิทธิภาพทางไฟฟ้าสูงสำหรับการใช้งานส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมขั้นสูง - Product Image 1

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ประสิทธิภาพทางไฟฟ้าสูงสำหรับการใช้งานส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมขั้นสูง - Product Image 2

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ประสิทธิภาพทางไฟฟ้าสูงสำหรับการใช้งานส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมขั้นสูง - Product Image 3

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ประสิทธิภาพทางไฟฟ้าสูงสำหรับการใช้งานส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมขั้นสูง

฿59,919.48-73,234.92

MOQ: 1

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความบริสุทธิ์สูงของ Raynext สำหรับสารกึ่งตัวนำไมโครอิเล็กทรอนิกส์และนาโนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความบริสุทธิ์สูงของ Raynext สำหรับสารกึ่งตัวนำไมโครอิเล็กทรอนิกส์และนาโนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความบริสุทธิ์สูงของ Raynext สำหรับสารกึ่งตัวนำไมโครอิเล็กทรอนิกส์และนาโนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความบริสุทธิ์สูงของ Raynext สำหรับสารกึ่งตัวนำไมโครอิเล็กทรอนิกส์และนาโนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความบริสุทธิ์สูงของ Raynext สำหรับสารกึ่งตัวนำไมโครอิเล็กทรอนิกส์และนาโนอิเล็กทรอนิกส์

฿19,973.16-24,966.45

MOQ: 1

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความแม่นยำสูงของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์และการวิจัยและพัฒนา - Product Image 1

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความแม่นยำสูงของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์และการวิจัยและพัฒนา - Product Image 2

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความแม่นยำสูงของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์และการวิจัยและพัฒนา - Product Image 3

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความแม่นยำสูงของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์และการวิจัยและพัฒนา - Product Image 4

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความแม่นยำสูงของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์และการวิจัยและพัฒนา

฿19,973.16-24,966.45

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: