All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Semiconductor

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ที่ควบคุมความหนาได้ สำหรับการวิจัยเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมที่มีความแม่นยำสูง - Product Image 1
WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ที่ควบคุมความหนาได้ สำหรับการวิจัยเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมที่มีความแม่นยำสูง - Product Image 2
WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ที่ควบคุมความหนาได้ สำหรับการวิจัยเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมที่มีความแม่นยำสูง - Product Image 3

WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ที่ควบคุมความหนาได้ สำหรับการวิจัยเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมที่มีความแม่นยำสูง

฿58,911.66-72,003.14
MOQ: 1
เรยอน2D BT101A WS2แซฟไฟร์2นิ้วฟิล์มแบบบางสำหรับชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1
เรยอน2D BT101A WS2แซฟไฟร์2นิ้วฟิล์มแบบบางสำหรับชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2
เรยอน2D BT101A WS2แซฟไฟร์2นิ้วฟิล์มแบบบางสำหรับชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3
เรยอน2D BT101A WS2แซฟไฟร์2นิ้วฟิล์มแบบบางสำหรับชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4

เรยอน2D BT101A WS2แซฟไฟร์2นิ้วฟิล์มแบบบางสำหรับชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์

฿19,637.22-24,546.53
MOQ: 1
Raynext WS2 บน Sapphire 2 นิ้ว BT101A, ความเสถียรทางความร้อนสูง 2D TMDS สำหรับการวิจัยและพัฒนาอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1
Raynext WS2 บน Sapphire 2 นิ้ว BT101A, ความเสถียรทางความร้อนสูง 2D TMDS สำหรับการวิจัยและพัฒนาอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2
Raynext WS2 บน Sapphire 2 นิ้ว BT101A, ความเสถียรทางความร้อนสูง 2D TMDS สำหรับการวิจัยและพัฒนาอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3
Raynext WS2 บน Sapphire 2 นิ้ว BT101A, ความเสถียรทางความร้อนสูง 2D TMDS สำหรับการวิจัยและพัฒนาอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 4

Raynext WS2 บน Sapphire 2 นิ้ว BT101A, ความเสถียรทางความร้อนสูง 2D TMDS สำหรับการวิจัยและพัฒนาอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์

฿19,637.22-24,546.53
MOQ: 1
WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์, Raynext BT101A ความเป็นผลึกสูงสำหรับโมดูลอุปกรณ์กึ่งตัวนำอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1
WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์, Raynext BT101A ความเป็นผลึกสูงสำหรับโมดูลอุปกรณ์กึ่งตัวนำอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2
WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์, Raynext BT101A ความเป็นผลึกสูงสำหรับโมดูลอุปกรณ์กึ่งตัวนำอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3
WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์, Raynext BT101A ความเป็นผลึกสูงสำหรับโมดูลอุปกรณ์กึ่งตัวนำอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์, Raynext BT101A ความเป็นผลึกสูงสำหรับโมดูลอุปกรณ์กึ่งตัวนำอิเล็กทรอนิกส์

฿19,637.22-24,546.53
MOQ: 1
WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ ตอบสนองรวดเร็วสำหรับการตรวจจับประสิทธิภาพอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ทางอุตสาหกรรม - Product Image 1
WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ ตอบสนองรวดเร็วสำหรับการตรวจจับประสิทธิภาพอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ทางอุตสาหกรรม - Product Image 2
WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ ตอบสนองรวดเร็วสำหรับการตรวจจับประสิทธิภาพอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ทางอุตสาหกรรม - Product Image 3

WS2 ขนาด 4 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ ตอบสนองรวดเร็วสำหรับการตรวจจับประสิทธิภาพอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ทางอุตสาหกรรม

฿58,911.66-72,003.14
MOQ: 1
Power Module Discrete Semiconductor Products PM50B4LA060 Electronic Components Production Line MOD PV-IPM H-BRDG 600V 50A - Product Image 1
Power Module Discrete Semiconductor Products PM50B4LA060 Electronic Components Production Line MOD PV-IPM H-BRDG 600V 50A - Product Image 2
Power Module Discrete Semiconductor Products PM50B4LA060 Electronic Components Production Line MOD PV-IPM H-BRDG 600V 50A - Product Image 3
Power Module Discrete Semiconductor Products PM50B4LA060 Electronic Components Production Line MOD PV-IPM H-BRDG 600V 50A - Product Image 4
Power Module Discrete Semiconductor Products PM50B4LA060 Electronic Components Production Line MOD PV-IPM H-BRDG 600V 50A - Product Image 5
Power Module Discrete Semiconductor Products PM50B4LA060 Electronic Components Production Line MOD PV-IPM H-BRDG 600V 50A - Product Image 6

Power Module Discrete Semiconductor Products PM50B4LA060 Electronic Components Production Line MOD PV-IPM H-BRDG 600V 50A

฿1,057.14-2,114.28
MOQ: 100
แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว Raynext BT101B ความบริสุทธิ์สูง TMD สำหรับการวิจัยและการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ระดับมืออาชีพในอุตสาหกรรม - Product Image 1
แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว Raynext BT101B ความบริสุทธิ์สูง TMD สำหรับการวิจัยและการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ระดับมืออาชีพในอุตสาหกรรม - Product Image 2
แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว Raynext BT101B ความบริสุทธิ์สูง TMD สำหรับการวิจัยและการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ระดับมืออาชีพในอุตสาหกรรม - Product Image 3

แผ่นแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว Raynext BT101B ความบริสุทธิ์สูง TMD สำหรับการวิจัยและการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ระดับมืออาชีพในอุตสาหกรรม

฿58,911.66-72,003.14
MOQ: 1
วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความน่าเชื่อถือสูง TMD สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมการบินและอวกาศและเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1
วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความน่าเชื่อถือสูง TMD สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมการบินและอวกาศและเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2
วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความน่าเชื่อถือสูง TMD สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมการบินและอวกาศและเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว ความน่าเชื่อถือสูง TMD สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมการบินและอวกาศและเซมิคอนดักเตอร์

฿58,911.66-72,003.14
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

perovskitegalliummosfet n smdcircuitoptoelectronicssolid state relayled emitting diodecathodeindiumtransistor j3ym7 diodephoto transistorp mosfetnanometerzener diodeled solar cellhalidevanadiumsolar cell panelmosfet 2n7002