All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Semiconductor

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

WS2 TMDS แบบใช้แซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, ความต้านทานต่ำของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ความถี่สูง - Product Image 1

WS2 TMDS แบบใช้แซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, ความต้านทานต่ำของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ความถี่สูง - Product Image 2

WS2 TMDS แบบใช้แซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, ความต้านทานต่ำของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ความถี่สูง - Product Image 3

WS2 TMDS แบบใช้แซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, ความต้านทานต่ำของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ความถี่สูง - Product Image 4

WS2 TMDS แบบใช้แซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, ความต้านทานต่ำของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ความถี่สูง - Product Image 5

WS2 TMDS แบบใช้แซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, ความต้านทานต่ำของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ความถี่สูง - Product Image 6

WS2 TMDS แบบใช้แซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, ความต้านทานต่ำของ Raynext สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ความถี่สูง

฿19,637.22-24,546.53

MOQ: 1

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับการวิจัยเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมการเก็บพลังงาน - Product Image 1

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับการวิจัยเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมการเก็บพลังงาน - Product Image 2

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับการวิจัยเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมการเก็บพลังงาน - Product Image 3

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับการวิจัยเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมการเก็บพลังงาน

฿58,911.66-72,003.14

MOQ: 1

Raynext WS2 บนแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว BT101A วัสดุ 2 มิติที่มีความเป็นผลึกสูง สำหรับโครงการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1

Raynext WS2 บนแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว BT101A วัสดุ 2 มิติที่มีความเป็นผลึกสูง สำหรับโครงการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2

Raynext WS2 บนแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว BT101A วัสดุ 2 มิติที่มีความเป็นผลึกสูง สำหรับโครงการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3

Raynext WS2 บนแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว BT101A วัสดุ 2 มิติที่มีความเป็นผลึกสูง สำหรับโครงการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 4

Raynext WS2 บนแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว BT101A วัสดุ 2 มิติที่มีความเป็นผลึกสูง สำหรับโครงการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์

฿19,637.22-24,546.53

MOQ: 1

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ BT101A, ระบบ TMDS คุณภาพสูงของ Raynext สำหรับการผลิตวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ BT101A, ระบบ TMDS คุณภาพสูงของ Raynext สำหรับการผลิตวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ BT101A, ระบบ TMDS คุณภาพสูงของ Raynext สำหรับการผลิตวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ BT101A, ระบบ TMDS คุณภาพสูงของ Raynext สำหรับการผลิตวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 4

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ BT101A, ระบบ TMDS คุณภาพสูงของ Raynext สำหรับการผลิตวงจรเซมิคอนดักเตอร์

฿19,637.22-24,546.53

MOQ: 1

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความสม่ำเสมอสูงของ Raynext สำหรับการผลิตวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความสม่ำเสมอสูงของ Raynext สำหรับการผลิตวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความสม่ำเสมอสูงของ Raynext สำหรับการผลิตวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความสม่ำเสมอสูงของ Raynext สำหรับการผลิตวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 4

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์ TMDS, ความสม่ำเสมอสูงของ Raynext สำหรับการผลิตวงจรเซมิคอนดักเตอร์

฿19,637.22-24,546.53

MOQ: 1

NLVASB3157DFT2G Analog Switch IC ON Semiconductor High Speed Routing - Product Image 1

NLVASB3157DFT2G Analog Switch IC ON Semiconductor High Speed Routing - Product Image 2

NLVASB3157DFT2G Analog Switch IC ON Semiconductor High Speed Routing - Product Image 3

NLVASB3157DFT2G Analog Switch IC ON Semiconductor High Speed Routing - Product Image 4

NLVASB3157DFT2G Analog Switch IC ON Semiconductor High Speed Routing - Product Image 5

NLVASB3157DFT2G Analog Switch IC ON Semiconductor High Speed Routing - Product Image 6

NLVASB3157DFT2G Analog Switch IC ON Semiconductor High Speed Routing

฿1.64

MOQ: 100

Raynext WS2 บนแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว TMDS วัสดุ 2 มิติที่มีความสม่ำเสมอสูงสำหรับการทดสอบวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1

Raynext WS2 บนแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว TMDS วัสดุ 2 มิติที่มีความสม่ำเสมอสูงสำหรับการทดสอบวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2

Raynext WS2 บนแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว TMDS วัสดุ 2 มิติที่มีความสม่ำเสมอสูงสำหรับการทดสอบวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3

Raynext WS2 บนแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว TMDS วัสดุ 2 มิติที่มีความสม่ำเสมอสูงสำหรับการทดสอบวงจรเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 4

Raynext WS2 บนแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว TMDS วัสดุ 2 มิติที่มีความสม่ำเสมอสูงสำหรับการทดสอบวงจรเซมิคอนดักเตอร์

฿19,637.22-24,546.53

MOQ: 1

การวิจัยและผลิตวัสดุ TMD บนพื้นผิวแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับห้องปฏิบัติการและโรงงานผลิตเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1

การวิจัยและผลิตวัสดุ TMD บนพื้นผิวแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับห้องปฏิบัติการและโรงงานผลิตเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2

การวิจัยและผลิตวัสดุ TMD บนพื้นผิวแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับห้องปฏิบัติการและโรงงานผลิตเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3

การวิจัยและผลิตวัสดุ TMD บนพื้นผิวแซฟไฟร์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับห้องปฏิบัติการและโรงงานผลิตเซมิคอนดักเตอร์

฿58,911.66-72,003.14

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: