All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Semiconductor

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์5mW 650nm ใหม่ถูกบรรจุเป็นสีแดงสำหรับเครื่องสำอางค์ทางการแพทย์ - Product Image 1

ชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์5mW 650nm ใหม่ถูกบรรจุเป็นสีแดงสำหรับเครื่องสำอางค์ทางการแพทย์ - Product Image 2

ชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์5mW 650nm ใหม่ถูกบรรจุเป็นสีแดงสำหรับเครื่องสำอางค์ทางการแพทย์ - Product Image 3

ชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์5mW 650nm ใหม่ถูกบรรจุเป็นสีแดงสำหรับเครื่องสำอางค์ทางการแพทย์ - Product Image 4

ชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์5mW 650nm ใหม่ถูกบรรจุเป็นสีแดงสำหรับเครื่องสำอางค์ทางการแพทย์ - Product Image 5

ชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์5mW 650nm ใหม่ถูกบรรจุเป็นสีแดงสำหรับเครื่องสำอางค์ทางการแพทย์ - Product Image 6

ชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์5mW 650nm ใหม่ถูกบรรจุเป็นสีแดงสำหรับเครื่องสำอางค์ทางการแพทย์

฿9.81-16.34

MOQ: 1

เซมิคอนดักเตอร์แบบฝังตัว CP7417AT อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ - Product Image 1

เซมิคอนดักเตอร์แบบฝังตัว CP7417AT อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ - Product Image 2

เซมิคอนดักเตอร์แบบฝังตัว CP7417AT อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ - Product Image 3

เซมิคอนดักเตอร์แบบฝังตัว CP7417AT อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ - Product Image 4

เซมิคอนดักเตอร์แบบฝังตัว CP7417AT อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ - Product Image 5

เซมิคอนดักเตอร์แบบฝังตัว CP7417AT อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ - Product Image 6

เซมิคอนดักเตอร์แบบฝังตัว CP7417AT อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ

฿15.36-30.40

MOQ: 4

แผ่นควอตซ์ซิลิกาบริสุทธิ์สูง 99.99% แบบหลอมรวม แผ่นวงแหวนแบบมีร่องสำหรับเลเซอร์ ขนาด 2-150 มม. ความหนา 0.1-10 มม. สำหรับงานเชื่อมและตัดวัสดุกึ่งตัวนำ - Product Image 1

แผ่นควอตซ์ซิลิกาบริสุทธิ์สูง 99.99% แบบหลอมรวม แผ่นวงแหวนแบบมีร่องสำหรับเลเซอร์ ขนาด 2-150 มม. ความหนา 0.1-10 มม. สำหรับงานเชื่อมและตัดวัสดุกึ่งตัวนำ - Product Image 2

แผ่นควอตซ์ซิลิกาบริสุทธิ์สูง 99.99% แบบหลอมรวม แผ่นวงแหวนแบบมีร่องสำหรับเลเซอร์ ขนาด 2-150 มม. ความหนา 0.1-10 มม. สำหรับงานเชื่อมและตัดวัสดุกึ่งตัวนำ - Product Image 3

แผ่นควอตซ์ซิลิกาบริสุทธิ์สูง 99.99% แบบหลอมรวม แผ่นวงแหวนแบบมีร่องสำหรับเลเซอร์ ขนาด 2-150 มม. ความหนา 0.1-10 มม. สำหรับงานเชื่อมและตัดวัสดุกึ่งตัวนำ - Product Image 4

แผ่นควอตซ์ซิลิกาบริสุทธิ์สูง 99.99% แบบหลอมรวม แผ่นวงแหวนแบบมีร่องสำหรับเลเซอร์ ขนาด 2-150 มม. ความหนา 0.1-10 มม. สำหรับงานเชื่อมและตัดวัสดุกึ่งตัวนำ - Product Image 5

แผ่นควอตซ์ซิลิกาบริสุทธิ์สูง 99.99% แบบหลอมรวม แผ่นวงแหวนแบบมีร่องสำหรับเลเซอร์ ขนาด 2-150 มม. ความหนา 0.1-10 มม. สำหรับงานเชื่อมและตัดวัสดุกึ่งตัวนำ - Product Image 6

แผ่นควอตซ์ซิลิกาบริสุทธิ์สูง 99.99% แบบหลอมรวม แผ่นวงแหวนแบบมีร่องสำหรับเลเซอร์ ขนาด 2-150 มม. ความหนา 0.1-10 มม. สำหรับงานเชื่อมและตัดวัสดุกึ่งตัวนำ

฿326.78-653.56

MOQ: 1

แท่งโพลีซิลิคอนแบบกำหนดเองราคาประหยัด เกรด 9N ชนิด N เกรดเซมิคอนดักเตอร์ เทคโนโลยี MCZ ราคาแข่งขัน รุ่น PM-ICI12 ขนาด 3-8 นิ้ว - Product Image 1

แท่งโพลีซิลิคอนแบบกำหนดเองราคาประหยัด เกรด 9N ชนิด N เกรดเซมิคอนดักเตอร์ เทคโนโลยี MCZ ราคาแข่งขัน รุ่น PM-ICI12 ขนาด 3-8 นิ้ว - Product Image 2

แท่งโพลีซิลิคอนแบบกำหนดเองราคาประหยัด เกรด 9N ชนิด N เกรดเซมิคอนดักเตอร์ เทคโนโลยี MCZ ราคาแข่งขัน รุ่น PM-ICI12 ขนาด 3-8 นิ้ว - Product Image 3

แท่งโพลีซิลิคอนแบบกำหนดเองราคาประหยัด เกรด 9N ชนิด N เกรดเซมิคอนดักเตอร์ เทคโนโลยี MCZ ราคาแข่งขัน รุ่น PM-ICI12 ขนาด 3-8 นิ้ว

฿49,016.70-81,694.50

MOQ: 10

เครื่องตัดเซมิคอนดักเตอร์ Tmds บางเฉียบ WS2แซฟไฟร์2นิ้ววัสดุ2D - Product Image 1

เครื่องตัดเซมิคอนดักเตอร์ Tmds บางเฉียบ WS2แซฟไฟร์2นิ้ววัสดุ2D - Product Image 2

เครื่องตัดเซมิคอนดักเตอร์ Tmds บางเฉียบ WS2แซฟไฟร์2นิ้ววัสดุ2D - Product Image 3

เครื่องตัดเซมิคอนดักเตอร์ Tmds บางเฉียบ WS2แซฟไฟร์2นิ้ววัสดุ2D - Product Image 4

เครื่องตัดเซมิคอนดักเตอร์ Tmds บางเฉียบ WS2แซฟไฟร์2นิ้ววัสดุ2D

฿19,606.68-24,508.35

MOQ: 1

หน้าต่างออปติคอลแบบบล็อกทรงแปดเหลี่ยมลูกบาศก์ WOBO ผลิตจากเพชรผลึกเดี่ยวแบบแรงเสียดทานต่ำ ขนาด 400/500 เมช ความบริสุทธิ์มากกว่า 99.9% สำหรับสารกึ่งตัวนำ - Product Image 1

หน้าต่างออปติคอลแบบบล็อกทรงแปดเหลี่ยมลูกบาศก์ WOBO ผลิตจากเพชรผลึกเดี่ยวแบบแรงเสียดทานต่ำ ขนาด 400/500 เมช ความบริสุทธิ์มากกว่า 99.9% สำหรับสารกึ่งตัวนำ - Product Image 2

หน้าต่างออปติคอลแบบบล็อกทรงแปดเหลี่ยมลูกบาศก์ WOBO ผลิตจากเพชรผลึกเดี่ยวแบบแรงเสียดทานต่ำ ขนาด 400/500 เมช ความบริสุทธิ์มากกว่า 99.9% สำหรับสารกึ่งตัวนำ - Product Image 3

หน้าต่างออปติคอลแบบบล็อกทรงแปดเหลี่ยมลูกบาศก์ WOBO ผลิตจากเพชรผลึกเดี่ยวแบบแรงเสียดทานต่ำ ขนาด 400/500 เมช ความบริสุทธิ์มากกว่า 99.9% สำหรับสารกึ่งตัวนำ - Product Image 4

หน้าต่างออปติคอลแบบบล็อกทรงแปดเหลี่ยมลูกบาศก์ WOBO ผลิตจากเพชรผลึกเดี่ยวแบบแรงเสียดทานต่ำ ขนาด 400/500 เมช ความบริสุทธิ์มากกว่า 99.9% สำหรับสารกึ่งตัวนำ - Product Image 5

หน้าต่างออปติคอลแบบบล็อกทรงแปดเหลี่ยมลูกบาศก์ WOBO ผลิตจากเพชรผลึกเดี่ยวแบบแรงเสียดทานต่ำ ขนาด 400/500 เมช ความบริสุทธิ์มากกว่า 99.9% สำหรับสารกึ่งตัวนำ - Product Image 6

หน้าต่างออปติคอลแบบบล็อกทรงแปดเหลี่ยมลูกบาศก์ WOBO ผลิตจากเพชรผลึกเดี่ยวแบบแรงเสียดทานต่ำ ขนาด 400/500 เมช ความบริสุทธิ์มากกว่า 99.9% สำหรับสารกึ่งตัวนำ

฿3,561.89-4,444.19

MOQ: 1

วงแหวนเวเฟอร์สำหรับห้องปฏิบัติการเซมิคอนดักเตอร์แบบกำหนดเอง - Product Image 1

วงแหวนเวเฟอร์สำหรับห้องปฏิบัติการเซมิคอนดักเตอร์แบบกำหนดเอง - Product Image 2

วงแหวนเวเฟอร์สำหรับห้องปฏิบัติการเซมิคอนดักเตอร์แบบกำหนดเอง - Product Image 3

วงแหวนเวเฟอร์สำหรับห้องปฏิบัติการเซมิคอนดักเตอร์แบบกำหนดเอง - Product Image 4

วงแหวนเวเฟอร์สำหรับห้องปฏิบัติการเซมิคอนดักเตอร์แบบกำหนดเอง - Product Image 5

วงแหวนเวเฟอร์สำหรับห้องปฏิบัติการเซมิคอนดักเตอร์แบบกำหนดเอง - Product Image 6

วงแหวนเวเฟอร์สำหรับห้องปฏิบัติการเซมิคอนดักเตอร์แบบกำหนดเอง

฿81.70-130.72

MOQ: 100

โมดูล IGBT กำลังสูง SKM400GAL125D 400A 1200V เซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมสำหรับอินเวอร์เตอร์, มอเตอร์ไดรฟ์, ระบบควบคุมพลังงาน - Product Image 1

โมดูล IGBT กำลังสูง SKM400GAL125D 400A 1200V เซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมสำหรับอินเวอร์เตอร์, มอเตอร์ไดรฟ์, ระบบควบคุมพลังงาน - Product Image 2

โมดูล IGBT กำลังสูง SKM400GAL125D 400A 1200V เซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมสำหรับอินเวอร์เตอร์, มอเตอร์ไดรฟ์, ระบบควบคุมพลังงาน - Product Image 3

โมดูล IGBT กำลังสูง SKM400GAL125D 400A 1200V เซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมสำหรับอินเวอร์เตอร์, มอเตอร์ไดรฟ์, ระบบควบคุมพลังงาน - Product Image 4

โมดูล IGBT กำลังสูง SKM400GAL125D 400A 1200V เซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมสำหรับอินเวอร์เตอร์, มอเตอร์ไดรฟ์, ระบบควบคุมพลังงาน - Product Image 5

โมดูล IGBT กำลังสูง SKM400GAL125D 400A 1200V เซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมสำหรับอินเวอร์เตอร์, มอเตอร์ไดรฟ์, ระบบควบคุมพลังงาน - Product Image 6

โมดูล IGBT กำลังสูง SKM400GAL125D 400A 1200V เซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมสำหรับอินเวอร์เตอร์, มอเตอร์ไดรฟ์, ระบบควบคุมพลังงาน

฿1,928.00-2,124.06

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: