All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Semiconductor

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ความหนาแน่นสูงขนาด 4 นิ้ว ทังสเตนไดซัลไฟด์ สำหรับการผลิตชิ้นส่วนนาโนเซมิคอนดักเตอร์ขนาดใหญ่ - Product Image 1

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ความหนาแน่นสูงขนาด 4 นิ้ว ทังสเตนไดซัลไฟด์ สำหรับการผลิตชิ้นส่วนนาโนเซมิคอนดักเตอร์ขนาดใหญ่ - Product Image 2

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ความหนาแน่นสูงขนาด 4 นิ้ว ทังสเตนไดซัลไฟด์ สำหรับการผลิตชิ้นส่วนนาโนเซมิคอนดักเตอร์ขนาดใหญ่ - Product Image 3

วัสดุรองรับแซฟไฟร์ WS2 ความหนาแน่นสูงขนาด 4 นิ้ว ทังสเตนไดซัลไฟด์ สำหรับการผลิตชิ้นส่วนนาโนเซมิคอนดักเตอร์ขนาดใหญ่

฿59,864.51-73,167.74

MOQ: 1

แผ่นแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ - Product Image 1

แผ่นแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ - Product Image 2

แผ่นแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ - Product Image 3

แผ่นแซฟไฟร์ทังสเตนไดซัลไฟด์ WS2 ขนาด 4 นิ้ว สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ

฿59,864.51-73,167.74

MOQ: 1

BT101A เรยอน WS2 2นิ้วบนไพลินวัสดุ2D ความทนทานสูงสำหรับการผลิตชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1

BT101A เรยอน WS2 2นิ้วบนไพลินวัสดุ2D ความทนทานสูงสำหรับการผลิตชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2

BT101A เรยอน WS2 2นิ้วบนไพลินวัสดุ2D ความทนทานสูงสำหรับการผลิตชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3

BT101A เรยอน WS2 2นิ้วบนไพลินวัสดุ2D ความทนทานสูงสำหรับการผลิตชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 4

BT101A เรยอน WS2 2นิ้วบนไพลินวัสดุ2D ความทนทานสูงสำหรับการผลิตชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์

฿19,954.84-24,943.55

MOQ: 1

ฟิล์ม WS2 แบบแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, วัสดุ 2 มิติ Raynext BT101A สำหรับโครงการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1

ฟิล์ม WS2 แบบแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, วัสดุ 2 มิติ Raynext BT101A สำหรับโครงการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2

ฟิล์ม WS2 แบบแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, วัสดุ 2 มิติ Raynext BT101A สำหรับโครงการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3

ฟิล์ม WS2 แบบแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, วัสดุ 2 มิติ Raynext BT101A สำหรับโครงการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 4

ฟิล์ม WS2 แบบแซฟไฟร์ขนาด 2 นิ้ว, วัสดุ 2 มิติ Raynext BT101A สำหรับโครงการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์

฿19,954.84-24,943.55

MOQ: 1

วัสดุรองรับการพิมพ์ลิโทกราฟี WS2 Sapphire ขนาด 4 นิ้ว ที่มีความเข้ากันได้สูงสำหรับการสร้างรูปแบบเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมความละเอียดสูง - Product Image 1

วัสดุรองรับการพิมพ์ลิโทกราฟี WS2 Sapphire ขนาด 4 นิ้ว ที่มีความเข้ากันได้สูงสำหรับการสร้างรูปแบบเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมความละเอียดสูง - Product Image 2

วัสดุรองรับการพิมพ์ลิโทกราฟี WS2 Sapphire ขนาด 4 นิ้ว ที่มีความเข้ากันได้สูงสำหรับการสร้างรูปแบบเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมความละเอียดสูง - Product Image 3

วัสดุรองรับการพิมพ์ลิโทกราฟี WS2 Sapphire ขนาด 4 นิ้ว ที่มีความเข้ากันได้สูงสำหรับการสร้างรูปแบบเซมิคอนดักเตอร์อุตสาหกรรมความละเอียดสูง

฿59,864.51-73,167.74

MOQ: 1

WS2 2นิ้วบนพื้นผิวไพลิน BT101A เรยอนมีความสม่ำเสมอสูงสำหรับกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1

WS2 2นิ้วบนพื้นผิวไพลิน BT101A เรยอนมีความสม่ำเสมอสูงสำหรับกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2

WS2 2นิ้วบนพื้นผิวไพลิน BT101A เรยอนมีความสม่ำเสมอสูงสำหรับกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3

WS2 2นิ้วบนพื้นผิวไพลิน BT101A เรยอนมีความสม่ำเสมอสูงสำหรับกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 4

WS2 2นิ้วบนพื้นผิวไพลิน BT101A เรยอนมีความสม่ำเสมอสูงสำหรับกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์

฿19,954.84-24,943.55

MOQ: 1

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์, Raynext BT101A Ultra-Pure สำหรับโครงการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ระดับนาโน - Product Image 1

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์, Raynext BT101A Ultra-Pure สำหรับโครงการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ระดับนาโน - Product Image 2

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์, Raynext BT101A Ultra-Pure สำหรับโครงการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ระดับนาโน - Product Image 3

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์, Raynext BT101A Ultra-Pure สำหรับโครงการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ระดับนาโน - Product Image 4

WS2 ขนาด 2 นิ้วบนพื้นผิวแซฟไฟร์, Raynext BT101A Ultra-Pure สำหรับโครงการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ระดับนาโน

฿19,954.84-24,943.55

MOQ: 1

WS2 ความสม่ำเสมอสูงขนาด 2 นิ้วบนแซฟไฟร์, Raynext BT101A ความทนทานสูงสำหรับการวิจัยและพัฒนาและผลิตเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1

WS2 ความสม่ำเสมอสูงขนาด 2 นิ้วบนแซฟไฟร์, Raynext BT101A ความทนทานสูงสำหรับการวิจัยและพัฒนาและผลิตเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2

WS2 ความสม่ำเสมอสูงขนาด 2 นิ้วบนแซฟไฟร์, Raynext BT101A ความทนทานสูงสำหรับการวิจัยและพัฒนาและผลิตเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3

WS2 ความสม่ำเสมอสูงขนาด 2 นิ้วบนแซฟไฟร์, Raynext BT101A ความทนทานสูงสำหรับการวิจัยและพัฒนาและผลิตเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 4

WS2 ความสม่ำเสมอสูงขนาด 2 นิ้วบนแซฟไฟร์, Raynext BT101A ความทนทานสูงสำหรับการวิจัยและพัฒนาและผลิตเซมิคอนดักเตอร์

฿19,954.84-24,943.55

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: