All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Semiconductor

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

11N ซิลิกอนแท่งโลหะโพลีซิลิคอนเกรด IC สารกึ่งตัวนำ N-Type/P-Type ชนิดแท่งโลหะบริสุทธิ์99.999999999% mcz - Product Image 1

11N ซิลิกอนแท่งโลหะโพลีซิลิคอนเกรด IC สารกึ่งตัวนำ N-Type/P-Type ชนิดแท่งโลหะบริสุทธิ์99.999999999% mcz - Product Image 2

11N ซิลิกอนแท่งโลหะโพลีซิลิคอนเกรด IC สารกึ่งตัวนำ N-Type/P-Type ชนิดแท่งโลหะบริสุทธิ์99.999999999% mcz - Product Image 3

11N ซิลิกอนแท่งโลหะโพลีซิลิคอนเกรด IC สารกึ่งตัวนำ N-Type/P-Type ชนิดแท่งโลหะบริสุทธิ์99.999999999% mcz - Product Image 4

11N ซิลิกอนแท่งโลหะโพลีซิลิคอนเกรด IC สารกึ่งตัวนำ N-Type/P-Type ชนิดแท่งโลหะบริสุทธิ์99.999999999% mcz - Product Image 5

11N ซิลิกอนแท่งโลหะโพลีซิลิคอนเกรด IC สารกึ่งตัวนำ N-Type/P-Type ชนิดแท่งโลหะบริสุทธิ์99.999999999% mcz - Product Image 6

11N ซิลิกอนแท่งโลหะโพลีซิลิคอนเกรด IC สารกึ่งตัวนำ N-Type/P-Type ชนิดแท่งโลหะบริสุทธิ์99.999999999% mcz

฿49,062.51-81,770.85

MOQ: 10

เซมิคอนดักเตอร์อื่นๆฝังอยู่ในสต็อกซื้อ CG6897DST ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ - Product Image 1

เซมิคอนดักเตอร์อื่นๆฝังอยู่ในสต็อกซื้อ CG6897DST ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ - Product Image 2

เซมิคอนดักเตอร์อื่นๆฝังอยู่ในสต็อกซื้อ CG6897DST ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ - Product Image 3

เซมิคอนดักเตอร์อื่นๆฝังอยู่ในสต็อกซื้อ CG6897DST ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ - Product Image 4

เซมิคอนดักเตอร์อื่นๆฝังอยู่ในสต็อกซื้อ CG6897DST ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ - Product Image 5

เซมิคอนดักเตอร์อื่นๆฝังอยู่ในสต็อกซื้อ CG6897DST ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ - Product Image 6

เซมิคอนดักเตอร์อื่นๆฝังอยู่ในสต็อกซื้อ CG6897DST ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์

฿23.56-47.11

MOQ: 2

เวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์แซฟไฟร์ WS2 ขนาด 2 นิ้ว, Raynext BT101A ความบริสุทธิ์สูงสำหรับการทดสอบโมดูลเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 1

เวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์แซฟไฟร์ WS2 ขนาด 2 นิ้ว, Raynext BT101A ความบริสุทธิ์สูงสำหรับการทดสอบโมดูลเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 2

เวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์แซฟไฟร์ WS2 ขนาด 2 นิ้ว, Raynext BT101A ความบริสุทธิ์สูงสำหรับการทดสอบโมดูลเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 3

เวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์แซฟไฟร์ WS2 ขนาด 2 นิ้ว, Raynext BT101A ความบริสุทธิ์สูงสำหรับการทดสอบโมดูลเซมิคอนดักเตอร์ - Product Image 4

เวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์แซฟไฟร์ WS2 ขนาด 2 นิ้ว, Raynext BT101A ความบริสุทธิ์สูงสำหรับการทดสอบโมดูลเซมิคอนดักเตอร์

฿19,625.01-24,531.26

MOQ: 1

วงจรรวมไดโอดสลับสัญญาณไดโอดชิปเซมิคอนดักเตอร์1N4148W 1N4148W-E3-08 1N4148W-E3-08ส่วนประกอบ - Product Image 1

วงจรรวมไดโอดสลับสัญญาณไดโอดชิปเซมิคอนดักเตอร์1N4148W 1N4148W-E3-08 1N4148W-E3-08ส่วนประกอบ - Product Image 2

วงจรรวมไดโอดสลับสัญญาณไดโอดชิปเซมิคอนดักเตอร์1N4148W 1N4148W-E3-08 1N4148W-E3-08ส่วนประกอบ - Product Image 3

วงจรรวมไดโอดสลับสัญญาณไดโอดชิปเซมิคอนดักเตอร์1N4148W 1N4148W-E3-08 1N4148W-E3-08ส่วนประกอบ - Product Image 4

วงจรรวมไดโอดสลับสัญญาณไดโอดชิปเซมิคอนดักเตอร์1N4148W 1N4148W-E3-08 1N4148W-E3-08ส่วนประกอบ - Product Image 5

วงจรรวมไดโอดสลับสัญญาณไดโอดชิปเซมิคอนดักเตอร์1N4148W 1N4148W-E3-08 1N4148W-E3-08ส่วนประกอบ - Product Image 6

วงจรรวมไดโอดสลับสัญญาณไดโอดชิปเซมิคอนดักเตอร์1N4148W 1N4148W-E3-08 1N4148W-E3-08ส่วนประกอบ

฿1.64-13.09

MOQ: 1

ทรานซิสเตอร์มอสเฟต K2700 เซมิคอนดักเตอร์ TO-220F 2SK2700 - Product Image 1

ทรานซิสเตอร์มอสเฟต K2700 เซมิคอนดักเตอร์ TO-220F 2SK2700 - Product Image 2

ทรานซิสเตอร์มอสเฟต K2700 เซมิคอนดักเตอร์ TO-220F 2SK2700 - Product Image 3

ทรานซิสเตอร์มอสเฟต K2700 เซมิคอนดักเตอร์ TO-220F 2SK2700 - Product Image 4

ทรานซิสเตอร์มอสเฟต K2700 เซมิคอนดักเตอร์ TO-220F 2SK2700 - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์มอสเฟต K2700 เซมิคอนดักเตอร์ TO-220F 2SK2700 - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์มอสเฟต K2700 เซมิคอนดักเตอร์ TO-220F 2SK2700

฿15.71-17.67

MOQ: 1

บาร์ไดโอดเลเซอร์650nm 5mW ชิปเซมิคอนดักเตอร์พลังงานสูง - Product Image 1

บาร์ไดโอดเลเซอร์650nm 5mW ชิปเซมิคอนดักเตอร์พลังงานสูง - Product Image 2

บาร์ไดโอดเลเซอร์650nm 5mW ชิปเซมิคอนดักเตอร์พลังงานสูง - Product Image 3

บาร์ไดโอดเลเซอร์650nm 5mW ชิปเซมิคอนดักเตอร์พลังงานสูง - Product Image 4

บาร์ไดโอดเลเซอร์650nm 5mW ชิปเซมิคอนดักเตอร์พลังงานสูง - Product Image 5

บาร์ไดโอดเลเซอร์650nm 5mW ชิปเซมิคอนดักเตอร์พลังงานสูง - Product Image 6

บาร์ไดโอดเลเซอร์650nm 5mW ชิปเซมิคอนดักเตอร์พลังงานสูง

฿9.82-16.36

MOQ: 1

โมดูล IGBT กำลังสูง DDB6U104N16RRP-B37 ชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์สำหรับอุตสาหกรรม ใช้สำหรับอินเวอร์เตอร์และการควบคุมมอเตอร์ - Product Image 1

โมดูล IGBT กำลังสูง DDB6U104N16RRP-B37 ชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์สำหรับอุตสาหกรรม ใช้สำหรับอินเวอร์เตอร์และการควบคุมมอเตอร์ - Product Image 2

โมดูล IGBT กำลังสูง DDB6U104N16RRP-B37 ชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์สำหรับอุตสาหกรรม ใช้สำหรับอินเวอร์เตอร์และการควบคุมมอเตอร์ - Product Image 3

โมดูล IGBT กำลังสูง DDB6U104N16RRP-B37 ชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์สำหรับอุตสาหกรรม ใช้สำหรับอินเวอร์เตอร์และการควบคุมมอเตอร์ - Product Image 4

โมดูล IGBT กำลังสูง DDB6U104N16RRP-B37 ชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์สำหรับอุตสาหกรรม ใช้สำหรับอินเวอร์เตอร์และการควบคุมมอเตอร์ - Product Image 5

โมดูล IGBT กำลังสูง DDB6U104N16RRP-B37 ชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์สำหรับอุตสาหกรรม ใช้สำหรับอินเวอร์เตอร์และการควบคุมมอเตอร์ - Product Image 6

โมดูล IGBT กำลังสูง DDB6U104N16RRP-B37 ชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์สำหรับอุตสาหกรรม ใช้สำหรับอินเวอร์เตอร์และการควบคุมมอเตอร์

฿6,508.96-6,705.21

MOQ: 1

หน้าต่างออปติคอลแบบบล็อกทรงแปดเหลี่ยมลูกบาศก์ WOBO ผลิตจากเพชรผลึกเดี่ยวแบบแรงเสียดทานต่ำ ขนาด 400/500 เมช ความบริสุทธิ์มากกว่า 99.9% สำหรับสารกึ่งตัวนำ - Product Image 1

หน้าต่างออปติคอลแบบบล็อกทรงแปดเหลี่ยมลูกบาศก์ WOBO ผลิตจากเพชรผลึกเดี่ยวแบบแรงเสียดทานต่ำ ขนาด 400/500 เมช ความบริสุทธิ์มากกว่า 99.9% สำหรับสารกึ่งตัวนำ - Product Image 2

หน้าต่างออปติคอลแบบบล็อกทรงแปดเหลี่ยมลูกบาศก์ WOBO ผลิตจากเพชรผลึกเดี่ยวแบบแรงเสียดทานต่ำ ขนาด 400/500 เมช ความบริสุทธิ์มากกว่า 99.9% สำหรับสารกึ่งตัวนำ - Product Image 3

หน้าต่างออปติคอลแบบบล็อกทรงแปดเหลี่ยมลูกบาศก์ WOBO ผลิตจากเพชรผลึกเดี่ยวแบบแรงเสียดทานต่ำ ขนาด 400/500 เมช ความบริสุทธิ์มากกว่า 99.9% สำหรับสารกึ่งตัวนำ - Product Image 4

หน้าต่างออปติคอลแบบบล็อกทรงแปดเหลี่ยมลูกบาศก์ WOBO ผลิตจากเพชรผลึกเดี่ยวแบบแรงเสียดทานต่ำ ขนาด 400/500 เมช ความบริสุทธิ์มากกว่า 99.9% สำหรับสารกึ่งตัวนำ - Product Image 5

หน้าต่างออปติคอลแบบบล็อกทรงแปดเหลี่ยมลูกบาศก์ WOBO ผลิตจากเพชรผลึกเดี่ยวแบบแรงเสียดทานต่ำ ขนาด 400/500 เมช ความบริสุทธิ์มากกว่า 99.9% สำหรับสารกึ่งตัวนำ - Product Image 6

หน้าต่างออปติคอลแบบบล็อกทรงแปดเหลี่ยมลูกบาศก์ WOBO ผลิตจากเพชรผลึกเดี่ยวแบบแรงเสียดทานต่ำ ขนาด 400/500 เมช ความบริสุทธิ์มากกว่า 99.9% สำหรับสารกึ่งตัวนำ

฿3,565.21-4,448.34

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: